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半导体
技术参数
一般工业用途。
A
TIP31CF
三重扩散型NPN晶体管
C
·补充
到TIP32CF 。
F
特点
U
E
S
最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极电源
耗散
结温
存储温度范围
Ta=25℃
Tc=25℃
DC
脉冲
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
100
100
5
3
5
1
2
25
150
-55½150
单位
V
V
V
K
T
L
L
M
D
D
N
T
N
T
A
O
Q
1
2
3
DIM毫米
A
10.30 MAX
B
15.30 MAX
C
2.70±0.30
D
0.85最大
E
Φ3.20±0.20
F
3.00±0.30
12.30 MAX
G
0.75最大
R
H
13.60±0.50
J
K
3.90 MAX
L
1.20
1.30
M
V
N
2.54
4.50±0.20
O
P
6.80
2.60±0.20
Q
R
10°
H
S
25°
5°
T
U
0.5
V
2.60±0.15
G
J
B
A
W
W
℃
℃
1.基地
2.收集
3.辐射源
TO-220IS
电气特性（Ta = 25℃）
特征
集电极发射极电压维持
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
跃迁频率
符号
V
CEO （ SUS ）
I
首席执行官
I
CES
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
测试条件
I
C
= 30mA时我
B
=0
V
CE
= 60V ，我
B
=0
V
CE
=100V, V
EB
=0
V
BE
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 4V ，我
C
=1A
V
CE
= 4V ，我
C
=3A
I
C
= 3A ，我
B
=375mA
V
CE
= 4V ，我
C
=3A
V
CE
= 10V ，我
C
= 500毫安F = 1MHz的
分钟。
100
-
-
-
25
10
-
-
3.0
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
0.3
200
1
-
50
1.2
1.8
-
V
V
兆赫
单位
V
mA
μ
A
mA
2002. 6. 14
版本号： 0
P
1/2
TIP31CF
h
FE
- I
C
1k
500
300
100
50
30
10
5
3
1
-1
V
CE
=-4V
V
CE （ SAT ）
,V
BE （ SAT ）
- I
C
-10k
-5k
-3k
-1k
-500
-300
-100
-50
-30
-10
V
BE （ SAT ）
I
C
/I
B
=10
饱和电压
V
CE （ SAT ）
,V
BE （ SAT ）
（毫伏）
直流电流增益
FE
V
CE （ SAT ）
-3
-10
-30 -100
-300
-1k
-3k -10k
-1
-3
-10
-30
-100
-300
-1k
-3k -10k
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
集电极耗散功率P
C
(W)
P
C
- TA
30
集电极电流I
C
(A)
25
20
15
10
5
0
0
50
100
150
200
周围温度Ta （℃）
-10
-5
-3
安全工作区
I
C
MAX 。 （ PULSE） *
I
C
马克斯。
（ CONTIN
-UOUS ）
s
0
10
*
s
1m
s
5m
OP
ER
*
*
-1
-0.5
-0.3
DC
AT
-0.1
-4
*单不重复
PULSE TC = 25℃
曲线必须降低
线性增长
温度
IN
G
-10
-30
-50
-100
-200
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
2002. 6. 14
版本号： 0
2/2
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    TIP31CF
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