【TK7P60WMOSFET的硅N沟道MOS （ DTMOS ）TK7P60W1.应用开关稳压器2.特】,IC型号TK7P60W,TK7P60W PDF资料,TK7P60W经销商,ic,电子元器件-51电子网

TK7P60W

MOSFET的

硅N沟道MOS （ DTMOS ）

TK7P60W

1.应用

开关稳压器

2.特点

(1)

(2)

(3)

导通电阻低的漏极 - 源极，R

DS （ ON）

= 0.5

（典型值）。

通过使用超级结结构： DTMOS

易于控制门的开关

增强型： V

= 2.7 3.7 V（V

= 10 V，I

= 0.35 mA）的

3.包装和内部电路

1 ：门

2 ：漏极（散热器）

3 ：源

DPAK

4.绝对最大额定值（注）（T

= 25

除非另有规定编）

特征

漏源电压

栅源电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

功耗

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

反向漏电流（DC）的

反向漏电流（脉冲电流）

通道温度

储存温度

（注1 ）

= 25)

（注2 ）

（注1 ）

符号

DSS

GSS

DRP

英镑

等级

600

±30

7.0

1.8

7.0

150

-55到150

单位

注意：

在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用

在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至

如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大

收视率。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ "Handling Precautions" / "Derating概念和Methods" ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验

报告与估计的故障率，等）。

2012-09-10

Rev.1.0

TK7P60W

5.热特性

特征

通道到外壳热阻

符号

TH（ CH-C ）

最大

2.09

单位

注1 ：确保通道温度不超过150 。

注2 ： V

= 90 V，T

= 25 （初始）， L = 49.9 mH的，R

= 25

= 1.8 A

注意：

该晶体管是静电放电敏感，应谨慎处理。

2012-09-10

Rev.1.0

TK7P60W

6，电气特性

6.1 。静态特性（T

= 25

除非另有规定编）

特征

栅极漏电流

排水截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

符号

GSS

DSS

（ BR ） DSS

DS （ ON）

测试条件

±30

V, V

= 0 V

= 600 V, V

= 0 V

= 10 mA时， V

= 0 V

= 10 V，I

= 0.35毫安

= 10 V，I

= 3.5 A

民

600

2.7

典型值。

0.5

最大

±1

3.7

0.6

单位

6.2 。动态特性（T

= 25

除非另有规定编）

特征

输入电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

栅极电阻

切换时间（上升时间）

切换时间（导通时间）

切换时间（下降时间）

切换时间（关断时间）

MOSFET的dv / dt坚固

符号

国际空间站

RSS

OSS

O（ ER ）

关闭

dv / dt的

= 0 400 V，I

= 3.5 A

= 0 400 V ，V

= 0 V

= OPEN ， F = 1兆赫

参见图6.2.1

测试条件

= 300 V, V

= 0 V ， F = 1兆赫

民

典型值。

490

1.7

7.0

最大

V / ns的

单位

图。 6.2.1开关时间测试电路

6.3 。栅极电荷特性（T

= 25

除非另有规定编）

特征

总栅极电荷（栅极 - 源极加

栅极 - 漏极）

栅极 - 源极电荷1

栅极 - 漏极电荷

符号

gs1

测试条件

≈

400 V, V

= 10 V，I

= 7.0 A

民

典型值。

3.2

8.0

最大

单位

6.4 。源极 - 漏极特性（T

= 25

除非另有规定编）

特征

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

峰值反向恢复电流

二极管的dv / dt坚固

符号

DSF

dv / dt的

= 3.5 A，V

= 0 V, V

= 400 V

测试条件

= 7.0 A，V

= 0 V

= 3.5 A，V

= 0 V

- 二

/ DT = 100 A / μs的

民

典型值。

230

1.7

最大

-1.7

单位

V / ns的

2012-09-10

Rev.1.0

TK7P60W

7，打标

图。 7.1标志

2012-09-10

Rev.1.0

TK7P60W

8.特性曲线（注）

图。 8.1我

- V

图。 8.2我

- V

图。 8.3我

- V

图。 8.4 V

- V

图。 8.5 V

DSS

- T

图。 8.6

DS （ ON）

- I

2012-09-10

Rev.1.0

TK7P60W

MOSFET的

硅N沟道MOS （ DTMOS ）

1.应用

开关稳压器

2.特点

(1)

(2)

(3)

导通电阻低的漏极 - 源极，R

DS （ ON）

= 0.5

（典型值）。

通过使用超级结结构： DTMOS

易于控制门的开关

增强型： V

= 2.7 3.7 V（V

= 10 V，I

= 0.35 mA）的

3.包装和内部电路

1 ：门

2 ：漏极（散热器）

3 ：源

DPAK

4.绝对最大额定值（注）（T

= 25

除非另有规定编）

特征

漏源电压

栅源电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

功耗

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

反向漏电流（DC）的

反向漏电流（脉冲电流）

通道温度

储存温度

（注1 ）

= 25)

（注2 ）

（注1 ）

符号

DSS

GSS

DRP

英镑

等级

600

±30

7.0

1.8

7.0

150

-55到150

单位

注意：

在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用

在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至

如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大

收视率。

1/9

www.freescale.net.cn

5.热特性

特征

通道到外壳热阻

符号

TH（ CH-C ）

最大

2.09

单位

注1 ：确保通道温度不超过150 。

注2 ： V

= 90 V，T

= 25 （初始）， L = 49.9 mH的，R

= 25

= 1.8 A

注意：

该晶体管是静电放电敏感，应谨慎处理。

2/9

www.freescale.net.cn

6，电气特性

6.1 。静态特性（T

= 25

除非另有规定编）

特征

栅极漏电流

排水截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

符号

GSS

DSS

（ BR ） DSS

DS （ ON）

测试条件

±30

V, V

= 0 V

= 600 V, V

= 0 V

= 10 mA时， V

= 0 V

= 10 V，I

= 0.35毫安

= 10 V，I

= 3.5 A

民

600

2.7

典型值。

0.5

最大

±1

3.7

0.6

单位

6.2 。动态特性（T

= 25

除非另有规定编）

特征

输入电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

栅极电阻

切换时间（上升时间）

切换时间（导通时间）

切换时间（下降时间）

切换时间（关断时间）

MOSFET的dv / dt坚固

符号

国际空间站

RSS

OSS

O（ ER ）

关闭

dv / dt的

= 0 400 V，I

= 3.5 A

= 0 400 V ，V

= 0 V

= OPEN ， F = 1兆赫

参见图6.2.1

测试条件

= 300 V, V

= 0 V ， F = 1兆赫

民

典型值。

490

1.7

7.0

最大

V / ns的

单位

图。 6.2.1开关时间测试电路

6.3 。栅极电荷特性（T

= 25

除非另有规定编）

特征

总栅极电荷（栅极 - 源极加

栅极 - 漏极）

栅极 - 源极电荷1

栅极 - 漏极电荷

符号

gs1

测试条件

≈

400 V, V

= 10 V，I

= 7.0 A

民

典型值。

3.2

8.0

最大

单位

6.4 。源极 - 漏极特性（T

= 25

除非另有规定编）

特征

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

峰值反向恢复电流

二极管的dv / dt坚固

符号

DSF

dv / dt的

= 3.5 A，V

= 0 V, V

= 400 V

测试条件

= 7.0 A，V

= 0 V

= 3.5 A，V

= 0 V

- 二

/ DT = 100 A / μs的

民

典型值。

230

1.7

最大

-1.7

单位

V / ns的

3/9

www.freescale.net.cn

7，打标

图。 7.1标志

4/9

www.freescale.net.cn

8.特性曲线（注）

图。 8.1我

- V

图。 8.2我

- V

图。 8.3我

- V

图。 8.4 V

- V

图。 8.5 V

DSS

- T

图。 8.6

DS （ ON）

- I

5/9