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TC7SH32FS
东芝CMOS数字集成电路
硅单片
TC7SH32FS
2输入或门
特点
高速：吨
pd
= 3.8 ns（典型值），在V
CC
= 5 V
低功耗：我
CC
= 2
μA
（最大）在TA = 25℃
高抗干扰性： V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28% V
CC
（分钟）
宽容5.5V的输入。
宽工作电压范围： V
CC
（ OPR ） = 2 5.5 V
SON5-P-0.35
（ FSV ）
（ TOP VIEW ）
型号名称
记号
针
转让
重量：0.001克（典型值）。
H
4
以1
5 V
CC
GND 2
IN B 3
4输出Y
1
2007-11-01
TC7SH32FS
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
电源电压范围
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流
DC V
CC
/接地电流
功耗
储存温度
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
等级
0.5~7.0
0.5~7.0
0.5~V
CC
+
0.5
20
±20
±25
±50
50
65~150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
额定值和工作范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
逻辑图
IN A
＆ GT ;
1
真值表
输出Y
A
L
L
H
H
B
L
H
L
H
Y
L
H
H
H
IN B
工作范围
特征
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
输入上升和下降时间
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
OPR
DT / DV
等级
2.0~5.5
0~5.5
0~V
CC
40~85
0~100 (V
CC
=
3.3
±
0.3 V)
0~20 (V
CC
=
5
±
0.5 V)
单位
V
V
V
°C
NS / V
2
2007-11-01
TC7SH32FS
电气特性
DC特性
特征
符号
TEST
电路
Ta
=
25°C
测试条件
V
CC
(V)
2.0
V
IH
3.0~
5.5
2.0
V
IL
3.0~
5.5
2.0
I
OH
= 50 μA
高位
输出电压
V
OH
V
IN
=
V
IH
or
V
IL
I
OH
= 4
mA
I
OH
= 8
mA
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
I
OL
=
50
μA
低电平输出
电压
V
OL
V
IN
=
V
IL
I
OL
=
4毫安
I
OL
=
8毫安
输入漏
当前
静
电源电流
I
IN
I
CC
V
IN
=
5.5 V或GND
V
IN
=
V
CC
或GND
3.0
4.5
3.0
4.5
0~
5.5
5.5
民
1.50
V
CC
×
0.7
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
典型值。
2.0
3.0
4.5
0.0
0.0
0.0
最大
0.50
V
CC
×
0.3
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
±0.1
2.0
Ta
= 40~85°C
民
1.50
V
CC
×
0.7
1.9
2.9
4.4
2.48
3.80
最大
0.50
V
CC
×
0.3
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
±1.0
20.0
μA
μA
V
V
V
V
单位
高级别输入
电压
低电平输入
电压
3
2007-11-01
TC7SH32FS
AC特性
（输入：吨
r
=
t
f
=
3 NS ）
特征
符号
TEST
电路
测试条件
V
CC
(V)
3.3
±
0.3
5.0
±
0.5
（注）
C
L
（PF ）
15
50
15
50
民
Ta
=
25°C
典型值。
5.5
8.0
3.8
5.3
4
15
最大
7.9
11.4
5.5
7.5
10
Ta
= 40~85°C
民
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
9.5
13.0
6.5
8.5
10
pF
pF
ns
单位
传播延迟
时间
t
PLH
t
PHL
输入电容
功耗
电容
C
IN
C
PD
注：C
PD
被定义为内部等效电容被从操作中计算出的值
电流消耗无负载。
平均工作电流可以由下式得到：
I
CC （ OPR ）
=
C
PD
½V
CC
½f
IN
+
I
CC
4
2007-11-01
TC7SH32FS
包装尺寸
SON5-P-0.35
单位：mm
重量：0.001克（典型值）。
5
2007-11-01
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    TC7SH32FS
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