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TK6A60D
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ π - MOSⅥ ）
TK6A60D
开关稳压器的应用
导通电阻低的漏极 - 源极，R
DS （ ON）
= 1.0
Ω
（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 3.0 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 10
μA
(V
DS
= 600 V)
增强型： V
th
= 2.0 4.0 V（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
栅源电压
DC
漏电流
（注1 ）
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
600
±30
6
24
40
173
6
4.0
150
-55到150
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
单位
V
V
脉冲（T
=
1毫秒）
（注1 ）
漏极功耗（TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-67
2-10U1B
重量：2.7克（典型值）。
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。请在审查东芝半导体可靠性设计适当的可靠性
手册（ “注意事项” / ''降级理念与方法“” ）和个人可靠性数据（即
可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
热特性
2
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
3.125
62.5
单位
° C / W
° C / W
1
注1 ：确保通道温度不超过150 。
注2 ： V
DD
=
90 V，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
8.4 mH的，R
G
=
25
Ω,
I
AR
=
6 A
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电感应装置。小心轻放。
3
1
2008-09-16
TK6A60D
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
开关时间
上升时间
开启时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
th
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
≈
400 V, V
GS
=
10 V，I
D
=
6A
税
≤
1%, t
w
=
10
μs
10 V
V
GS
0V
50
Ω
I
D
=
3 A
V
OUT
V
DS
=
25 V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±30
V, V
DS
=
0 V
V
DS
=
600 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安，V
GS
=
0 V
V
DS
=
10 V，I
D
=
1毫安
V
GS
=
10 V，I
D
=
3 A
V
DS
=
10 V，I
D
=
3 A
民
600
2.0
0.8
典型值。
1.0
3.0
800
4
100
20
40
12
60
16
10
6
最大
±1
10
4.0
1.25
pF
单位
μA
μA
V
V
Ω
S
ns
R
L
=
67
Ω
V
DD
≈
200 V
nC
源极 - 漏极额定值和特性
（大
=
25°C)
特征
连续漏电流反向
（注1 ）
脉冲漏极电流反向
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
（注1 ）
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR
=
6 A，V
GS
=
0 V
I
DR
=
6 A，V
GS
=
0 V,
dI
DR
/ DT
=
100 A / μs的
民
典型值。
1200
10
最大
6
24
1.7
单位
A
A
V
ns
μC
记号
K6A60D
产品型号（或缩写代码）
LOT号
A线指示
铅（Pb ） - 免费完成
2
2008-09-16
TK6A60D
I
D
– V
DS
5
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
10
10
8
7
10
I
D
– V
DS
8
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
7.75
7.5
6
7.25
7
4
6.75
(A)
4
(A)
6.5
6.25
6
5.75
8
漏电流I
D
3
2
漏电流I
D
6.75
6.25
2
VGS
=
5.5 V
1
5.5
VGS
=
5 V
0
0
2
4
6
8
10
0
0
10
20
30
40
50
漏源电压
V
DS
(V)
漏源电压
V
DS
(V)
I
D
– V
GS
常见的来源
VDS
=
20 V
脉冲测试
V
DS
– V
GS
V
DS
(V)
10
常见的来源
Tc
=
25℃
脉冲测试
10
(A)
8
8
漏电流I
D
漏源电压
6
6
ID
=
6 A
4
4
3
100
2
25
Tc
= 55°C
0
0
2
4
6
8
10
2
1.5
0
0
4
8
12
16
20
栅源电压
V
GS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
Y
fs
– I
D
正向转移导纳
Y
fs
(S)
10
R
DS （ ON）
– I
D
10
Tc
= 55°C
100
1
25
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
常见的来源
VDS
=
20 V
脉冲测试
1
VGS
=
10 V½15 V
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
0.1
0.1
1
10
0.1
0.1
1
10
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
3
2008-09-16
TK6A60D
R
DS （ ON）
TC =
5
I
DR
– V
DS
10
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(
Ω)
4
反向漏电流I
DR
(A)
常见的来源
VGS
=
10 V
脉冲测试
常见的来源
Tc
=
25°C
5脉冲测试
3
3
ID
=
6 A
2
3
1
0.5
0.3
10
5
3
0.1
0
0.2
0.4
1
0.6
VGS
=
0,
1
V
0.8
1
1.2
1.5
1
0
80
40
0
40
80
120
160
外壳温度
Tc
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
电容 - V
DS
10000
5
V
th
TC =
栅极阈值电压
V
th
(V)
（PF ）
1000
西塞
4
C
3
电容
100
科斯
2
常见的来源
1
VDS
=
10 V
ID
=
1毫安
脉冲测试
40
0
40
80
120
160
10
1
0.1
常见的来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Tc
=
25°C
1
10
CRSS
100
0
80
漏源电压
V
DS
(V)
外壳温度
Tc
(°C)
P
D
TC =
V
DS
(V)
50
500
动态输入/输出
特征
(V)
栅源电压
V
GS
20
VDS
漏极功耗
P
D
(W)
40
400
16
VDD
=
100 V
200
漏源电压
30
300
12
20
200
VGS
100
400
常见的来源
ID
=
6 A
Tc
=
25°C
脉冲测试
8
10
4
0
0
40
80
120
160
200
0
0
5
10
15
20
25
0
30
外壳温度
Tc
(°C)
总栅极电荷
Q
g
（ NC ）
4
2008-09-16
TK6A60D
r
th
– t
w
归一化瞬态热
阻抗
日（T ）
/R
TH（ CH-C ）
10
1
Duty=0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
PDM
t
T
税
=
t/T
RTH （ CH-C ）
=
3.125°C/W
0.01
0.01
0.001
10
μ
100
μ
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
100
ID MAX（脉冲）
*
10
100
μs
*
200
E
AS
– T
ch
ID MAX（连续）
*
雪崩能量
E
AS
（兆焦耳）
160
(A)
1
直流操作
Tc
=
25°C
1毫秒
*
120
I
D
漏电流
80
0.1
40
* ：单不重复
0.01
脉冲TC = 25℃
曲线必须是
降低额定功率减线性
增加
温度。
1
10
0
25
50
75
100
125
150
CHANNEL温辐射（初始）
T
ch
(°C)
VDSS最大
100
1000
0.001
15 V
15
V
B
VDSS
I
AR
V
DD
V
DS
漏源电压
V
DS
(V)
测试电路
R
G
=
25
Ω
V
DD
=
90 V，L
=
8.4 mH的
波形
Ε
AS
=
1
B VDSS
L
I2
B
2
VDD
VDSS
5
2008-09-16
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推荐型号
TK71120NT/120
TAJA104M016S
TC1313-BI2EMFTR
TC83C251SP16
TSM-110-01-S-DV-M
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    TK6A60D
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