TK6A60D
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型( π - MOSⅥ )
TK6A60D
开关稳压器的应用
导通电阻低的漏极 - 源极,R
DS ( ON)
= 1.0
Ω
(典型值)。
高正向转移导纳: | Y
fs
| = 3.0 S(典型值)。
低漏电流:I
DSS
= 10
μA
(V
DS
= 600 V)
增强型: V
th
= 2.0 4.0 V(V
DS
= 10 V,I
D
= 1 mA)的
单位:mm
绝对最大额定值
(大
=
25°C)
特征
漏源电压
栅源电压
DC
漏电流
(注1 )
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
600
±30
6
24
40
173
6
4.0
150
-55到150
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
1 :门
2 :排水
3 :源
单位
V
V
脉冲(T
=
1毫秒)
(注1 )
漏极功耗(TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
(注2 )
雪崩电流
重复雪崩能量(注3 )
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-67
2-10U1B
重量:2.7克(典型值)。
注:在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。请在审查东芝半导体可靠性设计适当的可靠性
手册( “注意事项” / ''降级理念与方法“” )和个人可靠性数据(即
可靠性测试报告和估计的故障率,等)。
热特性
2
特征
耐热性,信道到外壳
耐热性,信道至环境
符号
R
TH( CH-C )
R
第(章-a)的
最大
3.125
62.5
单位
° C / W
° C / W
1
注1 :确保通道温度不超过150 。
注2 : V
DD
=
90 V,T
ch
=
25 ° C(初始) ,L
=
8.4 mH的,R
G
=
25
Ω,
I
AR
=
6 A
注3 :重复评价:脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电感应装置。小心轻放。
3
1
2008-09-16