TK56A12N1
4.绝对最大额定值(注) (T
a
= 25
除非另有规定编)
25
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流( DC )
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
功耗
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
通道温度
储存温度
(硅限制)
(T
c
= 25)
(T = 1毫秒)
(T
c
= 25)
(注3)
(注1 ) (注2 )
(注1 )
(注1 )
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
T
ch
T
英镑
等级
120
±20
112
56
210
45
110
56
150
-55到150
W
mJ
A
A
单位
V
注意:
在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( "Handling Precautions" / "Derating概念和Methods" )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
5.热特性
特征
通道到外壳热阻
通道到环境的热阻
符号
R
TH( CH-C )
R
第(章-a)的
最大
2.77
62.5
单位
/W
注1 :确保通道温度不超过150 。
注2:由硅芯片的能力有限。套餐限额为100 A.
注3 : V
DD
= 80 V,T
ch
= 25 (初始) , L = 34.4
H,
I
AR
= 56 A
注意:
该晶体管是静电放电敏感,应谨慎处理。
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TK56A12N1
6,电气特性
6.1 。静态特性(T
a
= 25
除非另有规定编)
25
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
(注4 )
符号
I
GSS
I
DSS
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSX
V
th
R
DS ( ON)
测试条件
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 120 V, V
GS
= 0 V
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0 V
I
D
= 10 mA时, V
GS
= -20 V
V
DS
= 10 V,I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 10 V,I
D
= 28 A
民
120
90
2.0
典型值。
6.2
最大
±0.1
10
4.0
7.5
m
V
单位
A
注释4 :如果反偏压栅极和源极之间施加电压,该器件进入V
( BR ) DSX
模式。注意,漏极
源击穿电压被降低在这种模式下。
6.2 。动态特性(T
a
= 25
除非另有规定编)
25
特征
输入电容
反向传输电容
输出电容
栅极电阻
切换时间(上升时间)
切换时间(导通时间)
切换时间(下降时间)
切换时间(关断时间)
符号
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
r
g
t
r
t
on
t
f
t
关闭
参见图6.2.1
测试条件
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V , F = 1兆赫
民
典型值。
4200
19
650
2.1
20
45
23
73
最大
ns
单位
pF
图。 6.2.1开关时间测试电路
25
6.3 。栅极电荷特性(T
a
= 25
除非另有规定编)
特征
总栅极电荷(栅极 - 源极加
栅极 - 漏极)
栅极 - 源极电荷1
栅极 - 漏极电荷
门开关充电
符号
Q
g
Q
gs1
Q
gd
Q
SW
测试条件
V
DD
≈
96 V, V
GS
= 10 V,I
D
= 56 A
民
典型值。
69
25
19
29
最大
单位
nC
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6.4 。源极 - 漏极特性(T
a
= 25
除非另有规定编)
25
特征
反向漏电流(DC)的
反向漏电流(脉冲电流)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
(注6 )
(注6 )
(注5 )
(注5 )
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR
= 56 A,V
GS
= 0 V
I
DR
= 56 A,V
GS
= 0 V
- 二
DR
/ DT = 100 A / μs的
民
典型值。
86
210
最大
56
210
-1.2
V
ns
nC
单位
A
注5 :确保通道温度不超过150 。
注6 :确保V
DS
峰值不超过V
DSS
.
7,打标(注)
图。 7.1标志
注意:
下一个批号的行标识产品标签的指示。
没有下划线: [铅] /包括> MCV
下划线: [ [G ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]
请联系您的东芝销售代表的详细情况,诸如环境问题,如RoHS指令
产品的兼容性。
RoHS指令是对指令2002/95 / EC欧洲议会和2003年1月27日理事会
在电气和电子设备中使用某些有害物质的限制。
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