TC74HCT688AP/AF
东芝CMOS数字集成电路
硅单片
TC74HCT688AP,TC74HCT688AF
8位比较平等
该TC74HCT688A是一款高速8位CMOS平等
比较器制造与硅栅
2
MOS技术。
它实现了类似于等效的高速操作
输入通道，同时保持CMOS低功耗。
此设备可被用作一个电平转换器，用于连接
TTL或NMOS以高速CMOS 。输入是兼容的
与TTL ， NMOS和CMOS输出电压leveles 。
该TC74HCT688A比较两个8位二进制或BCD字
应用输入P
0
~P
7
，并输入Q
0
~Q
7
，并指示是否
或者它们是否相等。
信号低电平有效使能提供方便的级联
几个packege来比较的话大于8位的。
所有的输入都配有反对atatic保护电路
解除或瞬态过电压。
TC74HCT688AP
TC74HCT688AF
特点
高速：吨
pd
=在V 17 ns（典型值）。
CC
= 5 V
低功耗：我
CC
= 4
μA
（最大）在TA = 25℃
兼容TTL输出： V
IH
= 2.0 V（分钟）
V
IL
= 0.8 V（最大值）
输出驱动能力： 10输入通道负载
对称的输出阻抗： | I
OH
| = I
OL
= 4 MA（ MIN ）
平衡传输延迟：吨
PLH
t
PHL
引脚和功能与74LS688兼容
重量
DIP20-P-300-2.54A
SOP20-P-300-1.27A
：1.30克（典型值）。
0.22克（典型值）。
引脚分配
1
2007-10-01
TC74HCT688AP/AF
绝对最大额定值（注1 ）
特征
电源电压范围
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流
DC V
CC
/接地电流
功耗
储存温度
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
等级
0.5~7.0
0.5~V
CC
+
0.5
0.5~V
CC
+
0.5
±
20
±
20
±
25
±
50
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
500 （ DIP ） （注2 ） / 180 （ SOP ）
65~150
注1 ：任何超过绝对最大额定值，即使短暂，导致恶化IC性能或
甚至是破坏。
在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对
最大额定值和经营范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注2： 500毫瓦Ta的范围
= 40
至65℃ 。来自TA
=
65 85 ℃的降额因子
10
毫瓦/°C，应
施加高达300毫瓦。
工作范围（注）
特征
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
输入上升和下降时间
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
OPR
t
r
, t
f
等级
4.5~5.5
0~V
CC
0~V
CC
40~85
单位
V
V
V
°C
ns
0~500
注意：
必须保持在工作范围，以确保设备的正常运行。
未使用的输入必须连接到VCC或GND 。
电气特性
DC特性
特征
高级别输入
电压
低电平输入
电压
高电平的输出
电压
低电平输出
电压
输入漏
当前
静态电源
当前
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IN
I
CC
I
C
测试条件
V
CC
(V)
Ta
=
25°C
民
2.0
Ta
=
40~85°C
最大
典型值。
民
2.0
最大
单位
V
V
V
V
μ
A
μ
A
4.5~5.5
4.5~5.5
4.5
4.5
4.5
4.5
5.5
5.5
5.5
0.8
0.8
I
OH
=
20
μ
A
V
IN
=
V
IH
或V
IL
I
OH
=
4毫安
I
OL
=
20
μ
A
V
IN
=
V
IH
或V
IL
I
=
4毫安
OL
V
IN
=
V
CC
或GND
V
IN
=
V
CC
或GND
每输入： V
IN
=
0.5 V或2.4 V
其他输入： V
CC
或GND
4.4
4.18
4.5
4.31
0.0
0.17
4.4
4.13
0.1
0.26
±
0.1
0.1
0.33
±
1.0
4.0
2.0
40.0
2.9
mA
3
2007-10-01
QQ：2880707522 复制
