TK50X15J1
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（超高速U- MOSⅢ ）
TK50X15J1
DC- DC转换器
导通电阻低的漏极 - 源极，R
DS （ ON）
= 22毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 90 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 10
μA
（最大值） （Ⅴ
DS
= 150 V)
增强型： V
th
= 2.0 4.0 V（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
150
150
±20
50
150
125
182
50
10.9
175
55
175
单位
V
V
V
A
W
mJ
脉冲（注1 ）
漏极功耗（TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
（注4 ）
（注4 ）
JEDEC
A
mJ
°C
°C
―
SC-97
2-9F1B
JEITA
东芝
重量0.74克（典型值）。
注意：
在重负载下连续使用（高如应用程序
温度/电流/电压和温度的显著变化等）可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的
绝对最大额定值。请在审查东芝半导体可靠性设计适当的可靠性
手册（ “注意事项” / ''降级理念与方法“” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告
和估计故障率等）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
符号
R
TH（ CH-C ）
最大
1.2
单位
° C / W
电路CON组fi guration
注意：使用S1管脚返回
栅极信号源。电路板布线
设计应使主
电流流过S2的
引脚。
4
注1 ：确保通道温度不超过175 。
注2 ： V
DD
=
50V ，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
110
μH,
R
G
=
25
Ω,
I
AR
=
50A
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道
温度
注4：绝对最大信道和存储的定义
温度的基础上AEC- Q101 。
此晶体管是静电感应装置。小心轻放。
1
2
3
1
2009-09-29
TK50X15J1
电气特性
（注5 ）
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）
栅源charge1
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs1
Q
gd
Q
sw
V
DD
≈
120 V, V
GS
=
10 V，I
D
=
50 A
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSX
V
th
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
10 V
V
GS
0V
4.7
Ω
I
D
=
25 A
V
OUT
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±16
V, V
DS
=
0 V
V
DS
=
150 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安，V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安，V
GS
= 20
V
V
DS
=
10 V，I
D
=
1毫安
V
GS
=
10 V，I
D
=
25 A
V
DS
=
10 V，I
D
=
25 A
民
150
95
2.0
45
R
L
=
3
Ω
V
DD
≈
75 V
15
85
75
25
25
33
nC
典型值。
22
90
4300
210
640
7
30
最大
±10
10
4.0
30
ns
pF
单位
μA
μA
V
V
mΩ
S
税
≤
1%, t
w
=
10
μs
门开关充电
注5： S1和S2引脚应接地在一起，测量开关时间时除外。
源极 - 漏极额定值和特性
（注6 ） （大
=
25°C)
特征
连续漏反向电流（注1 ，注6 ）
脉冲漏极电流反向
（注1 ，注6 ）
符号
I
DR
1
I
DRP
1
I
DR
2
I
DRP
2
V
DS2F
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR
1
=
50 A，V
GS
=
0 V
I
DR
=
50 A，V
GS
=
0 V,
dI
DR
/ DT
=
100 A / μs的
民
典型值。
95
450
最大
50
150
1
4
1.5
单位
A
A
A
A
V
ns
nC
连续漏反向电流（注1 ，注6 ）
脉冲漏极电流反向
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
（注1 ，注6 ）
注6 ：我
DR
1, I
DRP
1 ：目前的排水和S2引脚之间流动。确保S1引脚悬空。
I
DR
2, I
DRP
2 ：目前的排水和S1引脚之间流动。确保S2引脚悬空。
S1和S2引脚应接地在一起，除非另有说明。
记号
产品型号
（或缩写代码）
注7 ：下一个批号的行标识产品标签的指示。
[ G] ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]
请联系您的东芝销售代表了解详细信息，以环境
事项，如产品的RoHS指令的兼容性。 RoHS指令的指令
2002/95 /欧洲议会和2003年1月27日的理事会上EC
电气使用某些有害物质的限制，
电子设备。
K50X15J
1
LOT号
注7：
2
2009-09-29
QQ：2880707522 复制
