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TK4A53D
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型( π - MOSⅥ )
TK4A53D
开关稳压器的应用
Ф3.2
±
0.2
10
±
0.3
单位:mm
2.7
±
0.2
A
3.9 3.0
1.14
±
0.15
2.8 MAX 。
2.54
1
2
3
2.6
±
0.1
13
±
0.5
0.69
±
0.15
Ф0.2
M A
绝对最大额定值
(大
=
25°C)
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
(注1 )
(注1 )
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
525
±30
4
16
35
252
4
3.5
150
55
150
单位
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
2.54
0.64
±
0.15
15.0
±
0.3
导通电阻低的漏极 - 源极,R
DS ( ON)
= 1.3
Ω (典型值)。
高正向转移导纳: | Y
fs
| = 3.0 S(典型值)。
低漏电流:I
DSS
= 10
μA
(最大值) (Ⅴ
DS
= 525 V)
增强型: V
th
= 2.4 4.4 V(V
DS
= 10 V,I
D
= 1 mA)的
漏极功耗(TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
(注2 )
雪崩电流
重复雪崩能量(注3 )
通道温度
存储温度范围
1 :门
2 :排水
3 :源
JEDEC
JEITA
东芝
SC-67
2-10U1B
重量:2.7克(典型值)。
注:在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。请在审查东芝半导体可靠性设计适当的可靠性
手册( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人可靠性数据(即
可靠性测试报告和估计的故障率,等)。
热特性
2
特征
耐热性,信道到外壳
耐热性,信道至环境
符号
R
TH( CH-C )
R
第(章-a)的
最大
3.57
62.5
单位
° C / W
° C / W
1
注1 :确保通道温度不超过150 ℃。
注2 : V
DD
=
90 V,T
ch
=
25 ° C(初始) ,L
=
27 mH的,R
G
=
25
Ω,
I
AR
=
4 A
注3 :重复评价:脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电感应装置。小心轻放。
3
1
2010-09-28
4.5
±
0.2
TK4A53D
电气特性
(大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
t
f
V
DD
200 V
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
400 V, V
GS
=
10 V,I
D
=
4 A
1%, t
w
=
10
μs
55
11
6
5
符号
I
GSS
I
DSS
V
( BR ) DSS
V
th
R
DS ( ON)
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
10 V
V
GS
0V
50
Ω
I
D
=
2 A
V
OUT
V
DS
=
25 V, V
GS
=
0 V,F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±30
V, V
DS
=
0 V
V
DS
=
525 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安,V
GS
=
0 V
V
DS
=
10 V,I
D
=
1毫安
V
GS
=
10 V,I
D
=
2 A
V
DS
=
10 V,I
D
=
2 A
525
2.4
0.6
典型值。
1.3
3.0
490
3
55
18
40
8
最大
±1
10
4.4
1.7
pF
单位
μA
μA
V
V
Ω
S
ns
R
L
=
100
Ω
nC
源极 - 漏极额定值和特性
(大
=
25°C)
特征
连续漏电流反向
(注1 )
脉冲漏极电流反向
正向电压(二极管)
反向恢复时间
反向恢复电荷
(注1 )
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR
=
4 A,V
GS
=
0 V
I
DR
=
4 A,V
GS
=
0 V,
dI
DR
/ DT
=
100 A / μs的
典型值。
1000
5.4
最大
4
16
1.7
单位
A
A
V
ns
μC
记号
注4 :根据批号的行标识产品标签的指示
[ G] ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]
产品型号
(或缩写代码)
LOT号
注4
K4A53D
请联系您的东芝销售代表了解详细信息,以
环境问题,如产品的RoHS指令的兼容性。
RoHS指令是指令2002 /欧洲议会95 / EC和
对2003年1月27日,安理会就使用某些的限制
有害物质在电气和电子设备。
2
2010-09-28
TK4A53D
I
D
– V
DS
4
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
8
10
8
7.5
7
6.4
7.5
10
I
D
– V
DS
8
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
3.2
(A)
ID
2.4
6.5
1.6
6
0.8
5.5
VGS
=
5 V
0
0
2
4
6
8
10
ID
(A)
4.8
7
3.2
6.5
1.6
6
VGS
=
5.5 V
0
0
10
20
30
40
50
漏电流
漏源电压
VDS
(V)
漏电流
漏源电压
VDS
(V)
I
D
– V
GS
8
常见的来源
VDS
=
20 V
脉冲测试
10
V
DS
– V
GS
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
6.4
(V)
8
ID ( A)
VDS
3.2
25
1.6
100
Tc
= 55
°C
漏源电压
4.8
6
ID
=
4 A
漏电流
4
2
2
1
0
0
2
4
6
8
10
0
0
4
8
12
16
20
栅源电压
VGS
(V)
栅源电压
VGS
(V)
|Y
fs
| – I
D
(S)
10
常见的来源
VDS
=
20 V
脉冲测试
10
常见的来源
VGS
=
10 V
Tc
=
25°C
脉冲测试
R
DS ( ON)
– I
D
|Y
fs
|
正向转移导纳
Tc
= 55
°C
1
100
25
漏源导通电阻
RDS
(上)
(Ω)
10
1
0.1
0.1
1
0.1
0.1
1
10
100
漏极电流ID ( A)
漏极电流ID ( A)
3
2010-09-28
TK4A53D
R
DS ( ON)
Tc
5
常见的来源
VGS
=
10 V
脉冲测试
100
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
I
DR
V
DS
漏源导通电阻
RDS
(上)
(Ω)
4
反向漏电流IDR ( A)
10
3
4
2
2
ID
=
1 A
1
1
10
5
3
1
0.6
VGS
=
0 V
0.9
1.2
1.5
0
80
40
0
40
80
120
160
0.1
0
0.3
壳温度( ° C)
漏源电压
VDS
(V)
电容 - V
DS
10000
5
V
th
Tc
VTH (V)的
(PF )
1000
4
西塞
栅极阈值电压
电容C
3
100
科斯
2
10
常见的来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Tc
=
25°C
1
10
CRSS
1
1
0.1
100
0
80
常见的来源
VDS
=
10 V
ID
=
1mA
脉冲测试
40
0
40
80
120
160
漏源电压
VDS
(V)
壳温度( ° C)
P
D
Tc
50
500
动态输入/输出
特征
20
漏极功耗PD (W )
(V)
40
400
200
VDD
=
100 V
16
漏源电压
20
200
VGS
100
8
常见的来源
ID
=
4 A
Tc
=
25°C
4
脉冲测试
10
0
0
40
80
120
160
0
0
4
8
12
16
20
0
壳温度( ° C)
总栅极电荷Qg ( NC)
4
2010-09-28
栅源电压
30
300
400
12
VGS ( V)
VDS
VDS
TK4A53D
r
th
– t
w
归瞬态热阻抗
r
日(T )
/R
TH( CH-C )
10
1
Duty=0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
PDM
t
0.01
0.01
T
=
t/T
RTH ( CH-C )
=
3.57 ° C / W
0.001
10μ
100μ
1m
10m
100m
1
10
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
100
300
E
AS
– T
ch
ID MAX(脉冲)
*
10
ID MAX(连续)
100
μs
*
E
AS
(兆焦耳)
雪崩能量
240
180
漏电流I
D
(A)
1毫秒
*
1
直流操作
Tc
=
25°C
0.1
120
60
0
25
0.01
*
单脉冲TC = 25℃
曲线必须降低
线性地增加
温度。
10
50
75
100
125
150
通道温度(初始)
VDSS最大
100
1000
T
ch
(°C)
0.001
1
漏源电压
V
DS
(V)
15 V
15
V
B
VDSS
I
AR
V
DD
V
DS
测试电路
RG
=
25
Ω
V
DD
=
90 V,L
=
27 MH
电波表
Ε
AS
=
1
B VDSS
L
I2
B
2
VDD
VDSS
5
2010-09-28
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TK4A53D
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
TK4A53D
TOSHIBA
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TO-220
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ:1298863740 复制

电话:0755-82561519 0755-82567969 18928435545
联系人:李
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
TK4A53D
TOSHIBA/东芝
2407+
3500
NA
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电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
TK4A53D
TOSHIBA/东芝
2024
30475
NA
原装现货上海库存,欢迎咨询
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电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
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TK4A53D
TOSHIBA/东芝
2024
30475
NA
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
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电话:13711580601
联系人:郭
地址:深圳市福田区华强北华强广场B座
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联系人:陈小姐 付先生
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TOSHIBA/东芝
20+
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TOSHIBA/东芝
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