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TC74AC573P/F/FT
东芝CMOS数字集成电路
硅单片
TC74AC573P,TC74AC573F,TC74AC573FT
八D型锁存器具有三态输出
TC74AC573P
该TC74AC573是一种先进的高速CMOS八路
LATCH制造与硅栅和双层金属
接线
2
MOS技术。
它实现了类似于等效的高速操作
双极肖特基TTL ,同时保持CMOS低功耗
耗散。
这些8位D型锁存器是由一个锁存使能控制
输入端( LE )和一个输出使能输入(
OE
).
OE
输入为高时, 8输出处于高
阻抗状态。
所有的输入都配备了防静电保护电路
解除或瞬态过电压。
TC74AC573F
特点
高速:吨
pd
=
6.0 ns(典型值)在V
CC
=
5 V
低功耗:我
CC
=
8
μA
(最大值)在Ta
=
25°C
高抗干扰性: V
美国国立卫生研究院
=
V
NIL
=
28% V
CC
(分钟)
对称的输出阻抗: | I
OH
|
=
I
OL
=
24毫安(分钟)
驾驶50的能力
Ω
传输线。
平衡传输延迟:吨
PLH
t
PHL
宽工作电压范围: V
CC ( OPR )
=
2至5.5 V
引脚和功能与74F573兼容
TC74AC573FT
重量
DIP20-P-300-2.54A
SOP20-P-300-1.27A
TSSOP20-P-0044-0.65A
:1.30克(典型值)。
0.22克(典型值)。
0.08克(典型值)。
1
2007-10-01
TC74AC573P/F/FT
引脚分配
IEC逻辑符号
(1)
(11)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
OE
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
( TOP VIEW )
V
CC
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
LE
OE
LE
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
EN
C1
1D
(19)
(18)
(17)
(16)
(15)
(14)
(8)
(9)
(13)
(12)
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
GND 10
真值表
输入
OE
产量
D
X
X
L
H
Q
Z
Q
n
L
H
LE
X
L
H
H
H
L
L
L
X :无关
Z:高阻
Q
n
: Q输出被锁存于当LE的输入取为低逻辑电平的时间。
系统框图
D0
2
D
D1
3
D
D2
4
D
D3
5
D
D4
6
D
D5
7
D
D6
8
D
D7
9
D
LE
11
L
Q
L
Q
L
Q
L
Q
L
Q
L
Q
L
Q
L
Q
OE
1
19
Q0
18
Q1
17
Q2
16
Q3
15
Q4
14
Q5
13
Q6
12
Q7
2
2007-10-01
TC74AC573P/F/FT
绝对最大额定值(注1 )
特征
电源电压范围
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流
DC V
CC
/接地电流
功耗
储存温度
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
等级
0.5
7.0
0.5
到V
CC
+ 0.5
0.5
到V
CC
+ 0.5
±20
±50
±50
±200
500 ( DIP ) (注2 ) / 180 ( SOP / TSSOP )
65
150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
注1 :任何超过绝对最大额定值,即使短暂,导致恶化IC性能或
甚至是破坏。
在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下(即工作温度/电流/电压等)内的绝对
最大额定值和经营范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
注2 : 500毫瓦Ta的范围=
40
至65℃ 。来自TA = 65 85°C的降额因子
10
毫瓦/°C,应
施加高达300毫瓦。
工作范围(注)
特征
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
输入上升和下降时间
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
OPR
DT / DV
等级
2.05.5
0到V
CC
0到V
CC
40
85
0到100 (Ⅴ
CC
= 3.3 ± 0.3 V)
为020 (Ⅴ
CC
= 5 ± 0.5 V)
单位
V
V
V
°C
NS / V
注意:
必须保持在工作范围,以确保设备的正常运行。
未使用的输入必须连接到VCC或GND 。
3
2007-10-01
TC74AC573P/F/FT
电气特性
DC特性
测试条件
特征
符号
V
CC
(V)
2.0
高级别输入
电压
V
IH
3.0
5.5
2.0
低电平输入
电压
V
IL
3.0
5.5
2.0
I
OH
=
50 μA
高电平的输出
电压
V
OH
V
IN
= V
IH
or
I
OH
=
4
mA
V
IL
I
OH
=
24
mA
I
OH
=
75
mA
(注)
3.0
4.5
3.0
4.5
5.5
2.0
I
OL
= 50
μA
低电平输出
电压
V
OL
V
IN
= V
IH
or
I
OL
= 12毫安
V
IL
I
OL
= 24毫安
I
OL
= 75毫安
三态输出
FF-态电流
输入漏
当前
静态电源
当前
I
OZ
I
IN
I
CC
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
OUT
= V
CC
或GND
V
IN
= V
CC
或GND
V
IN
= V
CC
或GND
(注)
3.0
4.5
3.0
4.5
5.5
5.5
5.5
5.5
1.50
2.10
3.85
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
TA = 25°C
典型值。
2.0
3.0
4.5
0.0
0.0
0.0
最大
0.50
0.90
1.65
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
±0.5
±0.1
8.0
TA =
40
至85℃
1.50
2.10
3.85
1.9
2.9
4.4
2.48
3.80
3.85
最大
0.50
0.90
1.65
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
1.65
±5.0
±1.0
80.0
μA
μA
μA
V
V
V
V
单位
注意:
这表明规范驾驶50的能力
传输线。
一个输出应当在时间为10毫秒的最大持续时间来进行测试。
时序要求
(输入:吨
r
= t
f
3 = NS)
特征
符号
测试条件
V
CC
(V)
最小脉冲宽度
( LE)的
最小建立时间
t
瓦特(H)的
3.3 ± 0.3
5.0 ± 0.5
3.3 ± 0.3
5.0 ± 0.5
3.3 ± 0.3
5.0 ± 0.5
TA =
25°C
极限
7.0
5.0
7.0
4.0
1.0
1.0
TA =
40
to
85°C
极限
7.0
5.0
7.0
4.0
1.0
1.0
ns
单位
t
s
ns
最小保持时间
t
h
ns
4
2007-10-01
TC74AC573P/F/FT
AC特性
(C
L
= 50 pF的,R
L
= 500
,
输入:吨
r
= t
f
3 = NS)
特征
传播延迟
时间
( LE- Q)的
传播延迟
时间
( DN -Q )
输出使能时间
符号
测试条件
V
CC
(V)
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PZL
t
PZH
t
PLZ
t
PHZ
C
IN
C
OUT
C
PD
3.3 ± 0.3
5.0 ± 0.5
3.3 ± 0.3
5.0 ± 0.5
3.3 ± 0.3
5.0 ± 0.5
3.3 ± 0.3
5.0 ± 0.5
(注)
TA = 25°C
典型值。
9.4
6.6
9.4
6.2
9.0
6.3
7.0
6.0
5
10
32
最大
15.4
9.9
16.0
8.9
15.2
9.2
12.3
8.8
10
TA =
40
至85℃
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
17.6
11.3
18.2
10.2
17.3
10.5
14.0
10.0
10
ns
单位
ns
ns
输出禁止时间
输入电容
输出电容
功耗
电容
ns
pF
pF
pF
注意:
C
PD
被定义为内部等效电容被从操作中计算出的值
电流消耗无负载。
平均工作电流可以由下式得到:
I
CC ( OPR )
= C
PD
·V
CC
·f
IN
+ I
CC
/ 8 (每锁存器)
而全碳
PD
件时。的闩锁操作可通过下面的等式来获得:
C
PD
(总) = 21 + 11 ·N
5
2007-10-01
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TC74AC573FT
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联系人:刘经理
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