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TK40A06N1

MOSFET的

硅的N沟道MOS （U- MOS -H）

TK40A06N1

1.应用

开关稳压器

2.特点

(1)

(2)

(3)

导通电阻低的漏极 - 源极，R

DS （ ON）

= 8.4毫欧（典型值）（V

= 10 V)

低漏电流：I

DSS

= 10

（最大值）（Ⅴ

= 60 V)

增强型： V

= 2.0 4.0 V（V

= 10 V，I

= 0.3 mA）的

3.包装和内部电路

1 ：门

2 ：排水

3 ：源

TO-220SIS

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TK40A06N1

4.绝对最大额定值（注）（T

= 25

除非另有规定编）

特征

漏源电压

栅源电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

功耗

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

通道温度

储存温度

（硅限制）

= 25)

（T = 1毫秒）

= 25)

（注3）

（注1 ）（注2 ）

（注1 ）

符号

DSS

GSS

英镑

等级

±20

126

150

-55到150

单位

注意：

在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用

在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至

如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大

收视率。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ "Handling Precautions" / "Derating概念和Methods" ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验

报告与估计的故障率，等）。

5.热特性

特征

通道到外壳热阻

通道到环境的热阻

符号

TH（ CH-C ）

第（章-a）的

最大

4.16

62.5

单位

注1 ：确保通道温度不超过150 。

注2：由硅芯片的能力有限。

注3 ： V

= 48 V ，T

= 25 （初始）， L = 19.2

= 40 A

注意：

该晶体管是静电放电敏感，应谨慎处理。

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6，电气特性

6.1 。静态特性（T

= 25

除非另有规定编）

特征

栅极漏电流

排水截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

（注4 ）

符号

GSS

DSS

（ BR ） DSS

（ BR ） DSX

DS （ ON）

测试条件

±20

V, V

= 0 V

= 60 V, V

= 0 V

= 10 mA时， V

= 0 V

= 10 mA时， V

= -20 V

= 10 V，I

- 0.3毫安

= 10 V，I

= 20 A

民

2.0

典型值。

8.4

最大

±0.1

4.0

10.4

单位

注释4 ：如果反偏压栅极和源极之间施加电压，该器件进入V

（ BR ） DSX

模式。注意，漏极

源击穿电压被降低在这种模式下。

6.2 。动态特性（T

= 25

除非另有规定编）

特征

输入电容

反向传输电容

输出电容

栅极电阻

切换时间（上升时间）

切换时间（导通时间）

切换时间（下降时间）

切换时间（关断时间）

符号

国际空间站

RSS

OSS

关闭

参见图6.2.1 。

测试条件

= 30 V, V

= 0 V ， F = 1兆赫

民

典型值。

1700

580

2.0

最大

单位

图。 6.2.1开关时间测试电路

6.3 。栅极电荷特性（T

= 25

除非另有规定编）

特征

总栅极电荷（栅极 - 源极加

栅极 - 漏极）

栅极 - 源极电荷1

栅极 - 漏极电荷

门开关充电

符号

gs1

测试条件

≈

48 V, V

= 10 V，I

= 40 A

民

典型值。

最大

单位

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6.4 。源极 - 漏极特性（T

= 25

除非另有规定编）

特征

反向漏电流（DC）的

反向漏电流（脉冲电流）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

（注6 ）

（注5 ）

符号

DRP

DSF

= 40 A，V

= 0 V

= 40 A，V

= 0 V

- 二

/ DT = 100 A / μs的

测试条件

民

典型值。

最大

126

-1.2

单位

注5 ：确保通道温度不超过150 。

注6 ：确保V

峰值不超过V

DSS

7，打标（注）

图。 7.1标志

注意：

下一个批号的行标识产品标签的指示。

没有下划线： [铅] /包括> MCV

下划线： [ [G ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]

请联系您的东芝销售代表的详细情况，诸如环境问题，如RoHS指令

产品的兼容性。

RoHS指令是对指令2002/95 / EC欧洲议会和2003年1月27日理事会

在电气和电子设备中使用某些有害物质的限制。

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8.特性曲线（注）

图。 8.1我

- V

图。 8.2我

- V

图。 8.3我

- V

图。 8.4 V

- V

图。 8.5

DS （ ON）

- I

图。 8.6

DS （ ON）

- T

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