【TK150F04K3东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ U- MOSIV ）TK150F04K3Sw】,IC型号TK150F04K3,TK150F04K3 PDF资料,TK150F04K3经销商,ic,电子元器件-51电子网

TK150F04K3

东芝场效应晶体管

硅N沟道MOS型（ U- MOSIV ）

TK150F04K3

Swiching稳压器， DC- DC转换器应用

电机驱动应用

10.0 ± 0.3

9.5 ± 0.2

1.0 ± 0.3

低漏源导通电阻，R

DS （ ON）

= 1.7mΩ （典型值）。

高正向转移导纳： | Y

| = 210 S（典型值）。

低漏电流：I

DSS

= 10

μA

（最大值）（Ⅴ

= 40 V)

增强模型： V

= 3.0 4.0 V（V

= 10 V，I

= 1 mA）的

1.1

单位：mm

0.4 ± 0.1

10.0 ± 0.3

1.6

绝对最大额定值

（大

25°C)

0.76 ± 0.1

特征

漏源电压

漏，栅极电压（R

20 kΩ)

栅源电压

漏电流

脉冲

（注1 ）

符号

DSS

DGR

GSS

英镑

等级

±20

150

450

300

234

150

175

单位

1.4 ± 0.1

2.54 ± 0.25

0.1 ± 0.1

2 3

2.35 ± 0.1

2.34 ± 0.25

3.5 ± 0.2

0.4 ± 0.1

2.76

8.0

漏极功耗（TC

25°C)

单脉冲雪崩能量

（注2 ）

雪崩电流

重复雪崩能量（注3 ）

通道温度

存储温度范围

（注4 ）

门

漏

（HEAT

汇）

3. SOURSE

6.8

JEDEC

°C

2-10W1A

JEITA

东芝

重量：1.07克（典型值）。

热特性

特征

耐热性，信道到外壳

符号

TH（ CH-C ）

最大

0.5

单位

° C / W

注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于175 ℃。

注2 ： V

25 V ，T

25℃ ，L-

μH,

Ω,

150 A

注3 ：重复评价;脉冲宽度有限的最大通道温度。

注4 ： 175 ° C指的AEC- Q101 。

注5 ：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用

在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著

即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对

最大额定值。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验

报告与估计的故障率，等）。

此晶体管是静电敏感器件。请小心处理

2009-04-17

3.0 ± 0.2

TK150F04K3

电气特性

（大

25°C)

特征

栅极漏电流

排水截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

符号

GSS

DSS

测试条件

= ±20

V, V

0 V

40 V, V

0 V

民

3.0

105

10V, V

0 V，F

1兆赫

典型值。

1.7

210

7500

1450

2000

最大

±1

4.0

2.1

单位

μA

mΩ

（ BR ） DSS

10毫安，V

0 V

（ BR ） DSX

10毫安，V

= 20

DS （ ON）

国际空间站

RSS

OSS

75 A

OUT

0.27

10 V，I

1毫安

10 V，I

75 A

10 V，I

75 A

10 V

开启时间

开关时间

下降时间

4.7

≈

20 V

税

≤

1%, t

μs

打开-O FF时间

总栅极电荷

（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

关闭

100

166

≈

32 V, V

10 V，I

150 A

源极 - 漏极额定值和特性

（大

25°C)

特征

连续漏反向电流（注1 ）

脉冲漏极电流反向

正向电压（二极管）

反向恢复时间

反向恢复电荷

（注1 ）

符号

DRP

DSF

测试条件

150 A，V

0 V

150 A，V

0 V,

/ DT

50 A / μs的

民

典型值。

最大

150

450

1.5

单位

记号

注6 ：根据批号的行标识产品标签的指示

[ G] ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]

K150F04K

产品型号

（或缩写代码）

LOT号

注6

请联系您的东芝销售代表了解详细信息，以

环境问题，如产品的RoHS指令的兼容性。

RoHS指令是指令2002 /欧洲议会95 / EC和

对2003年1月27日，安理会就使用某些的限制

在电子电气设备中有害物质

2009-04-17

TK150F04K3

防潮包装

该TK150F04K3包装在防潮层压铝袋。

注意事项运输和储存

（ 1 ）运输过程中应避免剧烈振动。

（ 2 ）不要折腾或跌落包装设备，以避免撕裂袋。

（3）在打开防潮袋后，所述装置应在两周内以5 ℃的环境下组装

于或低于30℃和RH70 ％。最多两次进行回流焊。

（4）防潮袋可以在5℃下存放未开封长达12个月或30℃以下和RH90 ％。

（ 5 ）如果在打开袋子，湿度指示卡显示湿度30 ％以上（ 30 ％网点的颜色有

从蓝色到粉红色）或有效期已过期改变时，设备应烘如下：

烘烤条件： 125 ℃下48小时。

因为带的材料是不耐热，设备应放在任一耐热塔板或铝

烘烤时的杂志。

湿度指示器示出了近似的环境湿度下，在25℃ 。

如果环境湿度低于30％时，所有的指示点的颜色是蓝色。

如果，在打开包时， 30％的点的颜色从蓝色变为粉红色，

这些设备应在装配前进行烘烤。

30%

2009-04-17

TK150F04K3

– V

120

常见的来源

25°C

脉冲测试

6.25

200

6.5

5.75

– V

常见的来源

25°C

脉冲测试

5.75

100

(A)

5.5

160

漏电流

120

5.5

5.25

VGS

5 V

VGS

4.75 V

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

漏源电压

VDS

(V)

漏源电压

VDS

(V)

– V

200

常见的来源

VDS

10 V

脉冲测试

– V

常见的来源

25°C

脉冲测试

160

(V)

VDS

漏源电压

100

= 55°C

0.8

ID （ A）

120

0.6

漏电流

0.4

0.2

75 A

栅源电压

VGS

(V)

栅源电压

VGS

(V)

| – I

1000

DS （ ON）

– I

常见的来源

25°C

脉冲测试

正向转移导纳

(S)

常见的来源

VDS

10 V

脉冲测试

100

= 55°C

100

漏源导通电阻

RDS

（上）

(mΩ)

VGS

10 V

100

1000

100

1000

漏极电流ID （ A）

2009-04-17

TK150F04K3

DS （ ON）

常见的来源

脉冲测试

1000

反向漏电流IDR （ A）

漏源导通电阻

RDS

（上）

(mΩ)

100

VGS

10 V

38, 75, 150A

常见的来源

25°C

脉冲测试

0.4

0.8

1.2

1.6

120

160

200

壳温度（ ° C）

漏源电压

VDS

(V)

电容 - V

100000

常见的来源

VDS

10 V

1mA

脉冲测试

栅极阈值电压Vth （V）的

（PF ）

10000

西塞

电容C

科斯

1000

常见的来源

VGS

0 V

F = 1MHz的

25°C

CRSS

100

0.1

100

120

160

200

漏源电压

VDS

(V)

壳温度（ ° C）

400

300

VDS

动态输入/输出

特征

PD （W）的

VDS

VDD

32V

漏极功耗

200

漏源电压

100

常见的来源

150 A

25°C

脉冲测试

120

160

200

100

150

200

250

300

壳温度（ ° C）

总栅极电荷Qg （ NC）

2009-04-17

栅源电压

VGS （ V）

(V)

VGS