oH
S
CO
M
PL
IA
TISP4A250H3BJ
非对称双向晶闸管
过电压保护器
*R
NT
TISP4A250H3BJ过电压保护器
环线保护：
- LCAS （线卡接入交换机） ，如Le75181 ，
Le75183和Le75282
电压优化：
- 电池备份振铃电路
最大振铃交流............................................... ..104 Vrms的
最大电池电压............................................... .. -52 V
V
DRM
V
+100
-200
V
（BO）
V
+125
-250
SMB封装（顶视图）
（接地） 1
2 （环）
典型终端应用程序名称
在括号中
MD-SMB-006-a
设备名称
TISP4A250H3BJ
设备符号
（环）
额定国际浪涌波形
波形
2/10
8/20
10/160
10/700
10/560
10/1000
标准
GR-1089-CORE
IEC 61000-4-5
TIA-968-A
ITU -T K.20 /四十五分之二十一
TIA-968-A
GR-1089-CORE
I
PPSM
A
500
300
250
200
160
100
SD-TISP4A-001-a
（接地）
.......................................... UL认证组件
如何订购
设备
TISP4A250H3BJ
包
SMB
支架
压纹带绞纱
顺序
TISP4A250H3BJR-S
标识代码
4A250H
标准产品数量
3000
描述
该TISP4A250H3BJ是一种非对称的双向过电压保护。它的目的是限制在环行的峰值电压
在LCAS的终端（线卡接入交换机） ，如Le75181 ， Le75183和Le75282 。该TISP4A250H3BJ必须连接
与巴索引终端1至保护地，并以环状导体端子2 。
该TISP4A250H3BJ电压选择给所有的开关条件充足的LCAS环线路终端保护。最
潜在的受力状态为低电平电源交叉时， LCAS开关闭合。在此条件下，该TISP4A250H3BJ
限制电压和相应的LCAS消散，直到LCAS热脱扣动作并打开开关。
在开路振荡的条件下，环行导体将有较高的峰值电压。对于电池供电的振铃，振铃
导体将有较大的负峰值电压大于正的，即峰值电压是对称的。该TISP4A250H3BJ有
类似的电压不对称，将允许的最大可能的振铃电压，同时给予最有效的保护。在连接
线时，Tip导体将具有更小的电压电平比的开路环导体的值。这里TISP4xxxH3BJ系列
对称电压保护器提供了足够的保护。
过电压被钳位击穿最初裁剪。如果有足够的电流可从过电压，击穿电压
将上升到导通的水平，这将导致设备切换成导通状态的低电压状态。这种切换操作将删除
从下面的电路的高电压应力，并且使电流从该过电压产生的，以安全地通过改
保护者。高控股（关闭）电流防止直流闭锁的分流电流补贴。
*符合RoHS指令2002/95 / EC 2003年1月27日，包括附件
2006年11月 - 修订2007年5月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP4A250H3BJ过电压保护器
绝对最大额定值，T
A
= 25
°C
（除非另有说明）
等级
众议员等它香港专业教育学院P EAK摘ST达E伏年龄（看不见 1 ）
非重复性峰值脉冲电流（见注2和3 ）
2/10
s
（ GR -1089 -CORE ， 2/10
s
电压波形）
8/20
s
（ IEC 61000-4-5 ， 1.2 / 50
s
电压， 8/20
s
目前的混合波形发生器）
10/160
s
（ TIA - 968 -A ，一百六十○分之一十
s
电压波形）
5/310
s
（ ITU -T K.44 ， 10/700
s
用于K.20 /四十五分之二十一电压波形）
5/320
s
（ TIA - 968 -A ，七百二十零分之九
s
电压波形）
10/560
s
（ TIA - 968 -A ，五百六十分之一十
s
电压波形）
10/1000
s
（ GR -1089 -CORE ， 10/1000
s
电压波形）
非重复性峰值通态电流（见注2 ， 3和4 ）
20毫秒， 50赫兹（全正弦波）
16.7毫秒， 60赫兹（全正弦波）
1000秒， 50赫兹或60赫兹交流
导通状态currrent ，指数电流斜坡上升的初始速度。最大斜坡值< 200 A
结温
存储温度范围
注：1 。
2.
3.
4.
I
TSM
di
T
/ DT
T
J
T
英镑
55
60
2.2
400
-40到+150
-65到+150
A
A / μs的
°C
°C
±500
±300
±250
±200
±200
±160
±100
符号
V
DRM
价值
+100
-200
单位
V
I
PPSM
A
参见图6为电压在其它温度。
最初的设备必须在以T热平衡
J
= 25 °C.
电涌可能会在设备返回到其初始条件后，重复进行。
EIA / JESD51-2环境和EIA / JESD51-3 PCB与5 A额定印刷线路板连接标准封装尺寸
赛道的宽度。参见图5 ，在其他持续时间的电流额定值。为-0.61 ％/℃的环境温度降低电流值
25℃以上。
过载额定值，T
A
= 25
°C
（除非另有说明）
等级
最大过载通态电流无断路， 50 Hz或60 Hz的交流（见注5 ）
0.03 s
0.07 s
1.6 s
5.0 s
1000 s
注意：
符号
价值
60
40
8
7
2.2
单位
I
T（ OV ）M
均方根
5.过载峰值通态交流电流时GR -1089 -CORE和UL六万○九百五十零分之一千九百五十的电源交叉测试。这些电应力水平
可能会损坏TISP4A250H3BJ硅芯片。试验后，通准则可以是该设备的功能，或者，如果它是错误的，那
它具有短路故障模式。在短路故障模式，下面的设备被保护的器件是一个永久
短跨线。该设备将是不受保护的，如果一个开路故障模式开发的。
2006年11月 - 修订2007年5月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP4A250H3BJ过电压保护器
电特性，T
A
= 25
°C
（除非另有说明）
参数
I
DRM
V
（BO）
I
（BO）
V
T
I
H
dv / dt的
C
O
重复峰值断态电流
击穿电压
导通电流
通态电压
保持电流
的临界上升率
断态电压
关态电容
V
D
= V
DRM
的dv / dt = ± 250 V / ms的，R
来源
= 300
的dv / dt = ± 250 V / ms的，R
来源
= 300
I
T
= ± 5 A，T
w
= 100 s
I
T
= ± 5 A，D I / D T = ±30毫安/ MS
线性电压斜坡
最大斜坡值< 0.85V
DRM
F = 1MHz时， V
d
= 1 V均方根
V
D
= 2 V
± 15 0
±5
72
±150
测试条件
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
米
典型值
米斧
±5
±10
+125
-250
±600
±3
± 600
单位
A
V
mA
V
mA
KV / μs的
pF
热特性，T
A
= 25
°C
（除非另有说明）
参数
测试条件
EIA / JESD51-3 PCB，我
T
= I
TSM(1000)
（见注6 ）
265毫米X 210毫米填充线卡
4层PCB板，我
T
= I
TSM(1000)
注意：
50
米
典型值
米斧
113
° C / W
单位
R
JA
结到安眠药吨热阻
6. EIA / JESD51-2环境和PCB与5 A额定印刷电路线宽连接标准封装尺寸。
2006年11月 - 修订2007年5月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP4A250H3BJ过电压保护器
参数测量信息
+i
I
PPSM
我象限
开关
特征
I
TSM
I
TRM
I
T
V
T
I
H
V
（ BR ）M
-v
I
（ BR ）
V
（ BR ）
I
（BO）
I
H
V
DRM
I
DRM
V
D
I
D
I
D
V
D
V
DRM
V
（ BR ）M
I
DRM
I
（ BR ）
V
（BO）
I
（BO）
V
（ BR ）
+v
V
（BO）
V
T
I
T
I
TRM
第三象限
开关
特征
-i
I
TSM
I
PPSM
PM-TISP4Axxx-002-a
图1.电压电流Characterist集成电路环和接地端子
所有的测量都参考接地端子
2006年11月 - 修订2007年5月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
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