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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第522页 > TC1014-3.3VCT713
TC1014/TC1015/TC1185
50毫安100 mA和150毫安CMOS LDO,具有关断
和基准旁路
产品特点:
低电源电流( μA 50 ,典型值)
低压差
为50 mA ( TC1014 )的选择,百毫安( TC1015 )
和150 MA( TC1185 )输出
高输出电压精度
标准或定制输出电压
节能关断模式
参考旁路输入的超低噪音
手术
过流和过热保护
节省空间的5引脚SOT- 23封装
引脚兼容的升级双极型稳压器
标准输出电压选项:
- 1.8V, 2.5V, 2.6V, 2.7V, 2.8V, 2.85V, 3.0V,
3.3V, 3.6V, 4.0V, 5.0V
概述
在TC1014 / TC1015 / TC1185是高精度
(典型值为± 0.5 % ) CMOS升级为老年人(双极)
低压降稳压器(LDO ),如LP2980 。
专为电池供电系统设计,
器件的CMOS结构消除浪费的理由
目前,显著延长了电池寿命。总供给
电流通常为50 μA,在满负荷下( 20到60倍
比双极型稳压器低) 。
该器件的主要特性包括超低噪声
操作(加上可选的旁路输入) ,快速响应
步负荷变化,和非常低的压差电压,
通常为85毫伏( TC1014 ),180毫伏( TC1015 ) ,并
270毫伏( TC1185 )在满负荷。供电电流
降至0.5μA (最大值)和V
OUT
下降到零的时候
关断输入为低。该器件集成了两个
过热和过电流保护。
在TC1014 / TC1015 / TC1185是稳定的输出
仅1 μF电容,并有一个最大输出
电流为50 mA 100 mA和分别150毫安。
对于更高的输出电流调节器,请参阅
TC1107 ( DS21356 ) , TC1108 ( DS21357 ) , TC1173
( DS21362 ) (我
OUT
= 300 mA)的数据表。
应用范围:
电池供电系统
手提电脑
医疗器械
仪器仪表
移动/ GSM / PHS手机
线性后稳压开关电源
寻呼机
套餐类型
5引脚SOT- 23
V
OUT
5
5
+
1 F
典型用途
V
IN
1
V
IN
TC1014
TC1015
TC1185
GND
V
OUT
V
OUT
绕行
4
TC1014
TC1015
TC1185
1
V
IN
2
3
2
3
GND SHDN
SHDN
绕行
4
470 pF的
参考
旁路电容
(可选)
关断控制
(从功率控制逻辑)
2007 Microchip的技术公司
DS21335E第1页
TC1014/TC1015/TC1185
1.0
电动
特征
注意:
注意,超出上述"Absolute下上市
最大Ratings"可能会造成永久性损坏
该设备。这些压力额定值只和功能
该器件在这些或任何其他条件操作
超过上述的操作部分显示
规格是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
绝对最大额定值?
输入电压................................................ ......... 6.5V
输出电压........................... ( -0.3V )至(v
IN
+ 0.3V)
功耗................内部限制
(注7 )
任何引脚........ V最大电压
IN
+ 0.3V至-0.3V
工作温度范围...... -40°C <牛逼
J
& LT ; 125°C
存储温度..........................- 65°C至+ 150°C
TC1014 / TC1015 / TC1185电气规范
电气连接特定的阳离子:
V
IN
= V
R
+ 1V ,我
L
= 100 μA ,C
L
= 1.0 μF , SHDN > V
IH
, T
A
= + 25 ℃,除非另有说明。
粗体数值适用于-40 ° C至+ 125°C的结温。
参数
输入工作电压
最大输出电流
符号
V
IN
I
OUT
最大
2.7
50
100
150
V
R
– 2.5%
典型值
V
R
±0.5%
20
40
0.05
0.5
0.5
2
65
85
180
270
50
0.05
64
300
0.04
160
10
最大
6.0
V
R
+ 2.5%
0c.35
2
3
120
250
400
80
0.5
450
单位
V
mA
设备
TC1014
TC1015
TC1185
TC1014 ; TC1015
TC1185
TC1015 ; TC1185
TC1185
测试条件
注1
输出电压
V
OUT
温度COEF网络cient
线路调整
负载调整率
V
OUT
TCV
OUT
ΔV
OUT
/
ΔV
IN
ΔV
OUT
/
V
OUT
V
IN
-V
OUT
V
PPM /°C的
%
%
注2
注3
(V
R
+ 1V)
V
IN
6V
I
L
= 0.1 mA至我
OUT
最大
I
L
= 0.1 mA至我
OUT
最大
(注4 )
I
L
= 100 A
I
L
= 20毫安
I
L
= 50毫安
I
L
= 100毫安
I
L
= 150毫安
(注5 )
SHDN = V
IH
, I
L
= 0
SHDN = 0V
F
RE
1千赫
V
OUT
= 0V
注6 ,第7
输入输出电压差
mV
电源电流
(注8)
关断电源电流
电源抑制
输出短路电流
热调节
热关断模
温度
热关断
迟滞
1:
2:
3:
4:
5:
6:
7:
8:
I
IN
I
INSD
PSRR
I
OUT
SC
ΔV
OUT
/
ΔP
D
T
SD
ΔT
SD
A
A
dB
mA
V / W
°C
°C
最小V
IN
必须满足两个条件: V
IN
2.7V和V
IN
V
R
+ V
.
V
R
是稳压器输出电压设定。例如: V
R
= 1.8V, 2.5V, 2.6V, 2.7V, 2.8V, 2.85V, 3.0V, 3.3V, 3.6V, 4.0V, 5.0V.
TC V
OUT
= (V
OUT
最大
– V
OUT
)x 10
6
V
OUT
x
ΔT
调节测量时使用低占空比脉冲测试结温恒定。负载稳定度是在负载范围内测试
1.0 mA至规定的最大输出电流。热效应引起的输出电压的变化都包括在热
监管规范。
电压差定义为输入输出电压差,当输出电压降至2 %,低于其标称值在1V
差。
热稳定度定义为在功耗变化后输出电压的变化在时间T ,不包括负载
或线路调节作用。规范针对电流脉冲等于I
L
最大
在V
IN
= 6V为T = 10毫秒。
允许的最大功耗是环境温度的函数,最大允许结温度和
热阻结到空气中(即,T
A
, T
J
,
θ
JA
) 。超过最大允许功耗会导致器件
启动热关断。请参阅
第5.0节“散热考虑”
了解更多详情。
适用于-40 ° C至+ 85 ° C的结温。
DS21335E第2页
2007 Microchip的技术公司
TC1014/TC1015/TC1185
TC1014 / TC1015 / TC1185电气规范(续)
电气连接特定的阳离子:
V
IN
= V
R
+ 1V ,我
L
= 100 μA ,C
L
= 1.0 μF , SHDN > V
IH
, T
A
= + 25 ℃,除非另有说明。
粗体数值适用于-40 ° C至+ 125°C的结温。
参数
输出噪声
符号
eN
典型值
600
最大
单位
纳伏/赫兹÷
设备
测试条件
I
L
= I
OUT
最大
,
F = 10千赫
470 pF的旁路从
到GND
V
IN
= 2.5V至6.5V
V
IN
= 2.5V至6.5V
SHDN输入高门槛
SHDN输入低阈值
1:
2:
3:
4:
5:
6:
7:
8:
V
IH
V
IL
45
15
%V
IN
%V
IN
最小V
IN
必须满足两个条件: V
IN
2.7V和V
IN
V
R
+ V
.
V
R
是稳压器输出电压设定。例如: V
R
= 1.8V, 2.5V, 2.6V, 2.7V, 2.8V, 2.85V, 3.0V, 3.3V, 3.6V, 4.0V, 5.0V.
TC V
OUT
= (V
OUT
最大
– V
OUT
)x 10
6
V
OUT
x
ΔT
调节测量时使用低占空比脉冲测试结温恒定。负载稳定度是在负载范围内测试
1.0 mA至规定的最大输出电流。热效应引起的输出电压的变化都包括在热
监管规范。
电压差定义为输入输出电压差,当输出电压降至2 %,低于其标称值在1V
差。
热稳定度定义为在功耗变化后输出电压的变化在时间T ,不包括负载
或线路调节作用。规范针对电流脉冲等于I
L
最大
在V
IN
= 6V为T = 10毫秒。
允许的最大功耗是环境温度的函数,最大允许结温度和
热阻结到空气中(即,T
A
, T
J
,
θ
JA
) 。超过最大允许功耗会导致器件
启动热关断。请参阅
第5.0节“散热考虑”
了解更多详情。
适用于-40 ° C至+ 85 ° C的结温。
温度特性
电气连接特定的阳离子:
V
IN
= V
R
+ 1V ,我
L
= 100 μA ,C
L
= 1.0 μF , SHDN > V
IH
, T
A
= + 25 ℃,除非另有说明。
粗体数值适用于-40 ° C至+ 125°C的结温。
参数
温度范围:
扩展级温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻:
热阻, 5引脚SOT- 23
θ
JA
256
° C / W
T
A
T
A
T
A
-40
-40
-65
+125
+125
+150
°C
°C
°C
符号
典型值
最大
单位
条件
2007 Microchip的技术公司
DS21335E第3页
TC1014/TC1015/TC1185
2.0
注意:
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供,仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围(例如,超出了规定的电源电压范围),因此不在担保范围内。
注意:
除非另有说明,所有的份数是在温度= + 25 ℃下测定。
漏失电压与温度的关系
0.020
0.018
漏失电压与温度的关系
0.100
漏失电压( V)
0.090
0.080
0.070
0.060
0.050
0.040
0.030
0.020
0.010
0.000
C
IN
= 1F
C
OUT
= 1F
V
OUT
= 3.3V
I
负载
= 50毫安
漏失电压( V)
0.016
0.014
0.012
0.010
0.008
0.006
0.004
0.002
0.000
V
OUT
= 3.3V
I
负载
= 10毫安
C
IN
= 1F
C
OUT
= 1F
-40
-20
0
20
50
温度(℃)
70
125
-40
-20
0
20
50
温度(℃)
70
125
图2-1:
温度。
0.200
0.180
漏失电压( V)
0.160
0.140
0.120
0.100
0.080
0.060
0.040
0.020
0.000
C
IN
= 1F
C
OUT
= 1F
压差 -
图2-4:
温度。
压差 -
漏失电压与温度的关系
0.300
漏失电压( V)
V
OUT
= 3.3V
I
负载
= 100毫安
漏失电压与温度的关系
0.250
0.200
0.150
0.100
0.050
0.000
C
IN
= 1F
C
OUT
= 1F
V
OUT
= 3.3V
I
负载
= 150毫安
-40
-20
0
20
50
温度(℃)
70
125
-40
-20
0
20
50
温度(℃)
70
125
图2-2:
温度。
压差 -
图2-5:
温度。
压差 -
地电流与V
IN
90
80
GND电流( μA )
70
60
50
40
30
20
10
0
C
IN
= 1F
C
OUT
= 1F
V
OUT
= 3.3V
I
负载
= 10毫安
GND电流( μA )
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
地电流与V
IN
V
OUT
= 3.3V
I
负载
= 100毫安
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5
V
IN
(V)
C
IN
= 1F
C
OUT
= 1F
1 1.5
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5
3.5 4
5 5.5
7.5
V
IN
(V)
图2-3:
电压(V
IN
).
地电流与输入
图2-6:
电压(V
IN
).
地电流与输入
DS21335E第4页
2007 Microchip的技术公司
TC1014/TC1015/TC1185
典型性能曲线(续)
注意:
除非另有说明,所有的份数是在温度= + 25 ℃下测定。
地电流与V
IN
80
70
GND电流( μA )
60
V
OUT
(V)
3.5
V
OUT
与V
IN
3
2.5
2
1.5
1
V
OUT
= 3.3V
I
负载
= 0
V
OUT
= 3.3V
I
负载
= 150毫安
50
40
30
20
10
0
C
IN
= 1F
C
OUT
= 1F
0.5
0
C
IN
= 1F
C
OUT
= 1F
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5
2.5
3.5
4.5
5.5
6.5 7
V
IN
(V)
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7
3.5 4
0.5 1 1.5
5 5.5 6 6.5 7
V
IN
(V)
图2-7:
电压(V
IN
).
地电流与输入
图2-10:
输出电压(V
OUT
)与
输入电压(V
IN
).
输出电压与温度的关系
3.320
3.315
3.310
V
OUT
= 3.3V
I
负载
= 10毫安
V
OUT
与V
IN
3.5
3.0
2.5
V
OUT
(V)
V
OUT
= 100毫安
I
负载
= 3.3V
I
负载
= 100毫安
3.305
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
C
IN
= 1F
C
OUT
= 1F
V
OUT
(V)
3.300
3.295
3.290
3.285
3.280
3.275
-40
C
IN
= 1F
C
OUT
= 1F
V
IN
= 4.3V
-20
-10
0
20
40
温度(
°
C)
85
125
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7
V
IN
(V)
图2-8:
输出电压(V
OUT
)与
输入电压(V
IN
).
输出电压与温度的关系
3.290
3.288
3.286
V
OUT
(V)
3.284
3.282
3.280
3.278
3.276
3.274
C
IN
= 1F
C
OUT
= 1F
V
IN
= 4.3V
V
OUT
= 3.3V
I
负载
= 150毫安
图2-11:
温度。
输出电压(V
OUT
)与
-40
-20
-10
0
20
40
温度(℃)
85
125
图2-9:
温度。
输出电压(V
OUT
)与
2007 Microchip的技术公司
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    -
    -
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    终端采购配单精选

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Microchip Technology
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代理Microchip Technology专营,原装现货优势
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700000
SOT-23-5
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联系人:梁小姐
地址:华强广场B座7楼001室
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22+
15000
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