oH
VE S CO
AV R M
AI SIO PL
LA IA
BL S NT
E
TISP3070T3BJ THRU TISP3395T3BJ
双路双向晶闸管过电压保护
*R
TISP3xxxT3BJ过电压保护器系列
双路高电流保护器在一个高效空间
包
- 2× 100 A五百六十分之一十额定电流
- 修改了3针SMB ( DO- 214AA )封装
50 %的空间节省两个多中小企业
- 有两个SMB软件包配置
2 ×80 A, 10/1000 。 。 。 .TISP3xxxT3BJ + TISP4xxxJ1BJ
2×100 A, 10/700 。 。 。 .TISP3xxxT3BJ + TISP4xxxH3BJ
离子注入击穿区
- 精确和稳定的电压
- 在低压浪涌电压过冲
设备
TISP3070T3
TISP3080T3
TISP3095T3
TISP3115T3
TISP3125T3
TISP3145T3
TISP3165T3
TISP3180T3
TISP3200T3
TISP3219T3
TISP3250T3
TISP3290T3
TISP3350T3
TISP3395T3
V
DRM
V
58
65
75
90
100
120
135
145
155
180
190
220
275
320
V
(BO)
V
70
80
95
115
125
145
165
180
200
219
250
290
350
395
2
(G)
SD3TA一
SMB封装(顶视图)
1
2
3
MDXXCJA
设备符号
1
(T或R)的
3
(T或R)的
额定国际浪涌波形
波形
2/10
8/20
10/160
10/700
10/560
标准
GR-1089-CORE
IEC 61000-4-5
TIA / EIA- IS- 968 ( FCC第68部分)
ITU -T K.20 / 0.21 / 0.45
TIA / EIA- IS- 968 ( FCC第68部分)
GR-1089-CORE
I
PPSM
A
250
250
150
120
100
80
....................................... UL认证组件
10/1000
描述
这些双双向可控硅器件保护中心办公室,接入和客户端设备针对于过压
电信线路。该TISP3xxxT3BJ可在很宽的电压范围,并具有80 A 10/1000额定电流。这些保护有
被指定留意以下标准和建议: GR -1089 -CORE , TIA / EIA- IS- 968 , UL 60950 , EN 60950 , IEC
60950 , ITU -T K.20 , K.21和K.45 。该TISP3350T3BJ符合FCC第68部分“B”振铃电压要求(V
DRM
= ± 275 V) 。装
在一个3引脚修改SMB ( DO- 214AA )封装, TISP3xxxT3BJ范围为节省空间为80或更少的保护设计解决方案
它使用多个中小企业。
这些器件允许的信号电压,无需裁剪,直到达到最大断态电压值,V
DRM
见上图1.电压
V
DRM
是有限的,不超过击穿电压,V
(BO)
,水平。如果有足够的电流流过,由于该过电压时,器件
开关变成导通状态的低电压条件下,该转移免受过电压的电流通过器件。当电流分流
租金低于保持电流,我
H
,整平装置关闭,并恢复系统正常运行。
如何订购
标准
终止完成
顺序
TISP3xxxT3BJR
设备
TISP3xxxT3BJ
包
BJ ( 3针改性SMB / DO- 214AA J-弯)
支架
R(卷带卷取)
对于无铅
终止完成
顺序
TISP3xxxT3BJR-S
插入XXX值对应的070 , 080 , 095 , 115 ,等电压保护
*符合RoHS指令2002/95 / EC 2003年1月27日,包括附件
2001年9月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP3xxxT3BJ过电压保护器系列
绝对最大额定值, TA = 25
°C
(除非另有说明)
等级
’3070
’3080
’3095
’3115
’3125
’3145
重复峰值断态电压(端子1-2和3-2 )
’3165
’3180
’3200
’3219
’3250
’3290
’3350
’3395
非重复性峰值通态脉冲电流(见注1和2 )
2/10 (符合Telcordia GR -1089 -CORE , 2/10电压波形)
8/20 ( IEC 61000-4-5 , combinat离子波产生器, 1.2 / 50电压波形)
一百六分之一十( TIA / EIA- IS- 968 (代替FCC第68部分) ,一百六十○分之一十
s
电压波形)
三百一分之五( ITU -T K.44 , 10/700
s
在K.20使用的电压波形/ 0.45 / 0.21 )
三百二十〇分之五( TIA / EIA- IS- 968 (代替FCC第68部分) ,七百二十零分之九
s
电压波形)
五百六十○分之一十( TIA / EIA- IS- 968 (代替FCC第68部分) ,五百六十零分之十
s
电压波形)
10/1000 (符合Telcordia GR -1089 -CORE , 10/1000电压波形)
非重复性峰值通态电流(见注1和2 )
50赫兹, 1个循环
60赫兹, 1个循环
1000第50赫兹/ 60赫兹交流电
在-S大老电流,线性电流斜坡,斜坡的最大价值< 50 A的上升初始速度
结温
存储温度范围
di
T
/ DT
T
J
T
英镑
I
TSM
2x25
2x30
2x1.2
500
-40到+150
-65到+150
A / μs的
°C
°C
A
I
PPSM
2x250
2x250
2x150
2x120
2x120
2x100
2x80
A
V
DRM
符号
价值
±58
±65
±75
±90
±100
±120
±135
±145
±155
±180
±190
±220
±275
±320
V
单位
注释:1.最初,设备必须在以T热平衡
J
= 25
°C.
2.这些不重复的额定电流是任一极性的峰值。额定电流的值被施加到终端1和
3同时(在这种情况下,终端2返回电流会施加在端子1和3中的电流之和) 。该
电涌可能会在设备返回到其初始条件后,重复进行。
推荐工作条件
部件
串联电阻为GR -1089 -CORE一级浪涌生存
串联电阻的ITU - T建议K. 20 / 0.45 / 0.21 ( 400 V GDT协调,在4千伏)
R1 , R2串联电阻为TIA / EIA- IS- 968 (代替FCC第68部分) 720分之9生存
串联电阻为TIA / EIA- IS- 968 (代替FCC第68部分)五百六十零分之一十生存
串联电阻为TIA / EIA- IS- 968 (代替FCC第68部分)一百六十〇分之一十生存
民
5
6.4
0
0
2.5
典型值
最大
单位
2001年9月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP3xxxT3BJ过电压保护器系列
电气特性为1和2或3和2号航站楼, TA = 25
°C
参数
I
DRM
场外重复峰值
目前状态
V
D
= V
DRM
测试条件
T
A
= 25
°C
T
A
= 85
°C
’3070
’3080
’3095
’3115
’3125
’3145
V
(BO)
AC击穿电压
的dv / dt =
±250
V / ms的,
R
来源
= 300
’3165
’3180
’3200
’3219
’3250
’3290
’3350
’3395
’3070
’3080
’3095
’3115
’3125
dv / dt的
≤
±1000
V / μs的,线性电压斜坡,
V
(BO)
斜导通
电压
最大斜坡值=
±500
V
的di / dt =
±20
A / μs的,线性电流斜坡,
最大斜坡值=
±10
A
’3145
’3165
’3180
’3200
’3219
’3250
’3290
’3350
’3395
I
(BO)
I
H
dv / dt的
I
D
导通电流
保持电流
的临界上升率
断态电压
FF-态电流
的dv / dt =
±250
V / ms的,
R
来源
= 300
±150
±5
T
A
= 85
°C
±10
民
典型值
最大
±5
±10
±70
±80
±95
±115
±125
±145
±165
±180
±200
±219
±250
±290
±350
±395
±81
±91
±107
±128
±138
±159
±179
±195
±215
±234
±265
±304
±361
±403
±800
mA
mA
KV / μs的
A
V
V
单位
A
I
T
=
±5
A, di / dt的= +/- 30毫安/ MS
线性电压斜坡,斜坡的最大价值< 0.85V
DRM
V
D
=
±50
V
2001年9月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP3xxxT3BJ过电压保护器系列
电气特性为1和2或3和2号航站楼, TA = 25
°C
(续)
参数
F = 1MHz时,
测试条件
VD = 1 V有效值,V
D
= 0,
3070 '通' 3095
3115 '通' 3219
3250 '通' 3395
F = 1MHz时,
VD = 1 V有效值,V
D
= -1 V
3070 '通' 3095
3115 '通' 3219
3250 '通' 3395
C
关闭
关态电容
F = 1MHz时,
VD = 1 V有效值,V
D
= -2 V
3070 '通' 3095
3115 '通' 3219
3250 '通' 3395
F = 1MHz时,
VD = 1 V有效值,V
D
= -50 V
3070 '通' 3095
3115 '通' 3219
3250 '通' 3395
F = 1MHz时, VD = 1 V有效值,V
D
= -100 V
(见注3 )
记
3250 '通' 3395
民
典型值
95
69
51
90
63
46
83
59
42
43
29
20
16
最大
114
83
62
108
76
55
100
70
51
51
35
24
19
pF
单位
3:这些电容测量采用三端电容桥纳入保护电路。未测
第三端被连接到所述桥的保护端子。
热特性
参数
R
θJA
记
结到自由空气的热阻
测试条件
EIA / JESD51-3 PCB,我
T
= I
TSM(1000)
,
T
A
= 25
°C,
(见注4 )
民
典型值
最大
90
单位
° C / W
4 : EIA / JESD51-2环境和PCB与5 A额定印刷电路线宽连接标准封装尺寸。
2001年9月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP3xxxT3BJ过电压保护器系列
参数测量信息
+i
I
PPSM
我象限
开关
特征
I
TSM
I
T
V
T
I
H
V
(BO)
-v
I
DRM
V
DRM
V
D
I
D
I
D
V
D
V
DRM
I
DRM
+v
I
H
V
(BO)
V
T
I
T
I
第三象限
开关
特征
I
PPSM
-i
PM4XAE
I
TSM
图1的电压 - 电流特性为终端成对1-2和3-2中
所有的测量都参考2号航站楼
2001年9月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。