oH
VE S CO
AV R M
AI SIO PL
LA IA
BL S NT
E
TISP3070T3BJ THRU TISP3395T3BJ
双路双向晶闸管过电压保护
*R
TISP3xxxT3BJ过电压保护器系列
双路高电流保护器在一个高效空间
包
- 2× 100 A五百六十分之一十额定电流
- 修改了3针SMB （ DO- 214AA ）封装
50 ％的空间节省两个多中小企业
- 有两个SMB软件包配置
2 ×80 A， 10/1000 。 。 。 .TISP3xxxT3BJ + TISP4xxxJ1BJ
2×100 A， 10/700 。 。 。 .TISP3xxxT3BJ + TISP4xxxH3BJ
离子注入击穿区
- 精确和稳定的电压
- 在低压浪涌电压过冲
设备
TISP3070T3
TISP3080T3
TISP3095T3
TISP3115T3
TISP3125T3
TISP3145T3
TISP3165T3
TISP3180T3
TISP3200T3
TISP3219T3
TISP3250T3
TISP3290T3
TISP3350T3
TISP3395T3
V
DRM
V
58
65
75
90
100
120
135
145
155
180
190
220
275
320
V
（BO）
V
70
80
95
115
125
145
165
180
200
219
250
290
350
395
2
(G)
SD3TA一
SMB封装（顶视图）
1
2
3
MDXXCJA
设备符号
1
（T或R）的
3
（T或R）的
额定国际浪涌波形
波形
2/10
8/20
10/160
10/700
10/560
标准
GR-1089-CORE
IEC 61000-4-5
TIA / EIA- IS- 968 （ FCC第68部分）
ITU -T K.20 / 0.21 / 0.45
TIA / EIA- IS- 968 （ FCC第68部分）
GR-1089-CORE
I
PPSM
A
250
250
150
120
100
80
....................................... UL认证组件
10/1000
描述
这些双双向可控硅器件保护中心办公室，接入和客户端设备针对于过压
电信线路。该TISP3xxxT3BJ可在很宽的电压范围，并具有80 A 10/1000额定电流。这些保护有
被指定留意以下标准和建议： GR -1089 -CORE ， TIA / EIA- IS- 968 ， UL 60950 ， EN 60950 ， IEC
60950 ， ITU -T K.20 ， K.21和K.45 。该TISP3350T3BJ符合FCC第68部分“B”振铃电压要求（V
DRM
= ± 275 V） 。装
在一个3引脚修改SMB （ DO- 214AA ）封装， TISP3xxxT3BJ范围为节省空间为80或更少的保护设计解决方案
它使用多个中小企业。
这些器件允许的信号电压，无需裁剪，直到达到最大断态电压值，V
DRM
见上图1.电压
V
DRM
是有限的，不超过击穿电压，V
（BO）
，水平。如果有足够的电流流过，由于该过电压时，器件
开关变成导通状态的低电压条件下，该转移免受过电压的电流通过器件。当电流分流
租金低于保持电流，我
H
，整平装置关闭，并恢复系统正常运行。
如何订购
标准
终止完成
顺序
TISP3xxxT3BJR
设备
TISP3xxxT3BJ
包
BJ （ 3针改性SMB / DO- 214AA J-弯）
支架
R（卷带卷取）
对于无铅
终止完成
顺序
TISP3xxxT3BJR-S
插入XXX值对应的070 ， 080 ， 095 ， 115 ，等电压保护
*符合RoHS指令2002/95 / EC 2003年1月27日，包括附件
2001年9月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP3xxxT3BJ过电压保护器系列
绝对最大额定值， TA = 25
°C
（除非另有说明）
等级
’3070
’3080
’3095
’3115
’3125
’3145
重复峰值断态电压（端子1-2和3-2 ）
’3165
’3180
’3200
’3219
’3250
’3290
’3350
’3395
非重复性峰值通态脉冲电流（见注1和2 ）
2/10 （符合Telcordia GR -1089 -CORE ， 2/10电压波形）
8/20 （ IEC 61000-4-5 ， combinat离子波产生器， 1.2 / 50电压波形）
一百六分之一十（ TIA / EIA- IS- 968 （代替FCC第68部分） ，一百六十○分之一十
s
电压波形）
三百一分之五（ ITU -T K.44 ， 10/700
s
在K.20使用的电压波形/ 0.45 / 0.21 ）
三百二十〇分之五（ TIA / EIA- IS- 968 （代替FCC第68部分） ，七百二十零分之九
s
电压波形）
五百六十○分之一十（ TIA / EIA- IS- 968 （代替FCC第68部分） ，五百六十零分之十
s
电压波形）
10/1000 （符合Telcordia GR -1089 -CORE ， 10/1000电压波形）
非重复性峰值通态电流（见注1和2 ）
50赫兹， 1个循环
60赫兹， 1个循环
1000第50赫兹/ 60赫兹交流电
在-S大老电流，线性电流斜坡，斜坡的最大价值< 50 A的上升初始速度
结温
存储温度范围
di
T
/ DT
T
J
T
英镑
I
TSM
2x25
2x30
2x1.2
500
-40到+150
-65到+150
A / μs的
°C
°C
A
I
PPSM
2x250
2x250
2x150
2x120
2x120
2x100
2x80
A
V
DRM
符号
价值
±58
±65
±75
±90
±100
±120
±135
±145
±155
±180
±190
±220
±275
±320
V
单位
注释：1.最初，设备必须在以T热平衡
J
= 25
°C.
2.这些不重复的额定电流是任一极性的峰值。额定电流的值被施加到终端1和
3同时（在这种情况下，终端2返回电流会施加在端子1和3中的电流之和） 。该
电涌可能会在设备返回到其初始条件后，重复进行。
推荐工作条件
部件
串联电阻为GR -1089 -CORE一级浪涌生存
串联电阻的ITU - T建议K. 20 / 0.45 / 0.21 （ 400 V GDT协调，在4千伏）
R1 ， R2串联电阻为TIA / EIA- IS- 968 （代替FCC第68部分） 720分之9生存
串联电阻为TIA / EIA- IS- 968 （代替FCC第68部分）五百六十零分之一十生存
串联电阻为TIA / EIA- IS- 968 （代替FCC第68部分）一百六十〇分之一十生存
民
5
6.4
0
0
2.5
典型值
最大
单位
2001年9月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP3xxxT3BJ过电压保护器系列
电气特性为1和2或3和2号航站楼， TA = 25
°C
参数
I
DRM
场外重复峰值
目前状态
V
D
= V
DRM
测试条件
T
A
= 25
°C
T
A
= 85
°C
’3070
’3080
’3095
’3115
’3125
’3145
V
（BO）
AC击穿电压
的dv / dt =
±250
V / ms的，
R
来源
= 300
’3165
’3180
’3200
’3219
’3250
’3290
’3350
’3395
’3070
’3080
’3095
’3115
’3125
dv / dt的
≤
±1000
V / μs的，线性电压斜坡，
V
（BO）
斜导通
电压
最大斜坡值=
±500
V
的di / dt =
±20
A / μs的，线性电流斜坡，
最大斜坡值=
±10
A
’3145
’3165
’3180
’3200
’3219
’3250
’3290
’3350
’3395
I
（BO）
I
H
dv / dt的
I
D
导通电流
保持电流
的临界上升率
断态电压
FF-态电流
的dv / dt =
±250
V / ms的，
R
来源
= 300
±150
±5
T
A
= 85
°C
±10
民
典型值
最大
±5
±10
±70
±80
±95
±115
±125
±145
±165
±180
±200
±219
±250
±290
±350
±395
±81
±91
±107
±128
±138
±159
±179
±195
±215
±234
±265
±304
±361
±403
±800
mA
mA
KV / μs的
A
V
V
单位
A
I
T
=
±5
A， di / dt的= +/- 30毫安/ MS
线性电压斜坡，斜坡的最大价值< 0.85V
DRM
V
D
=
±50
V
2001年9月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP3xxxT3BJ过电压保护器系列
电气特性为1和2或3和2号航站楼， TA = 25
°C
（续）
参数
F = 1MHz时，
测试条件
VD = 1 V有效值，V
D
= 0,
3070 '通' 3095
3115 '通' 3219
3250 '通' 3395
F = 1MHz时，
VD = 1 V有效值，V
D
= -1 V
3070 '通' 3095
3115 '通' 3219
3250 '通' 3395
C
关闭
关态电容
F = 1MHz时，
VD = 1 V有效值，V
D
= -2 V
3070 '通' 3095
3115 '通' 3219
3250 '通' 3395
F = 1MHz时，
VD = 1 V有效值，V
D
= -50 V
3070 '通' 3095
3115 '通' 3219
3250 '通' 3395
F = 1MHz时， VD = 1 V有效值，V
D
= -100 V
（见注3 ）
记
3250 '通' 3395
民
典型值
95
69
51
90
63
46
83
59
42
43
29
20
16
最大
114
83
62
108
76
55
100
70
51
51
35
24
19
pF
单位
3：这些电容测量采用三端电容桥纳入保护电路。未测
第三端被连接到所述桥的保护端子。
热特性
参数
R
θJA
记
结到自由空气的热阻
测试条件
EIA / JESD51-3 PCB，我
T
= I
TSM(1000)
,
T
A
= 25
°C,
（见注4 ）
民
典型值
最大
90
单位
° C / W
4 ： EIA / JESD51-2环境和PCB与5 A额定印刷电路线宽连接标准封装尺寸。
2001年9月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP3xxxT3BJ过电压保护器系列
参数测量信息
+i
I
PPSM
我象限
开关
特征
I
TSM
I
T
V
T
I
H
V
（BO）
-v
I
DRM
V
DRM
V
D
I
D
I
D
V
D
V
DRM
I
DRM
+v
I
H
V
（BO）
V
T
I
T
I
第三象限
开关
特征
I
PPSM
-i
PM4XAE
I
TSM
图1的电压 - 电流特性为终端成对1-2和3-2中
所有的测量都参考2号航站楼
2001年9月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
QQ：2881677436 复制
