CoreControl
TM
数据表
TDA21102
与引导高速驱动
双功率MOSFET
P-DSO-14-3
特点
快速的上升和下降时间频率高达2 MHz的
可以吸收超过400峰值电流最低的开关损耗的
根据PVCC收费高压侧和低压侧MOSFET's门5..12 V
设置。
通过PVCC引脚可调节高边和低边MOSFET的栅极驱动电压
优化通损耗和栅极驱动损耗
集成自举二极管以减少元件数量
通过自适应栅极驱动控制的交叉传导阻止
高电压等级阶段的节点上
通过三态输入支持关机了非常低的静态电流模式
兼容标准的PWM控制器IC （ Intersil公司， ADI公司）
浮动高边MOSFET驱动器
非常适合对主板和VRM's多相台式机CPU用品
TYPE
TDA21102
包
P-DSO-14-3
记号
21102
数
1
2
3
4
5
6
7
订购代码
Q67042-S4244
名字
PWM1
PWM2
GND
门
LS1
PVCC
保护地
门
LS2
PHASE2
门
HS2
BOOT2
描述
输入的PWM1信号控制器
输入的PWM2信号控制器
地
对于N沟道低侧栅极驱动输出
MOSFET 1 。
输入调整高侧栅极驱动器
电源接地回路的低侧驱动器
对于N沟道低侧栅极驱动输出
MOSFET 2 。
要连接到的高的结
侧和低侧MOSFET 2
对于N沟道高侧栅极驱动输出
MOSFET 2 。
浮动自举引脚。被连接到所述
外部自举电容，以产生
栅极驱动电压，高边n沟道
MOSFET 2 。
浮动自举引脚。被连接到所述
外部自举电容，以产生
栅极驱动电压，高边n沟道
MOSFET 1 。
对于N沟道高侧栅极驱动输出
MOSFET 1 。
要连接到的高的结
侧和低侧MOSFET 1
电源电压
引脚排列&说明
顶视图
PWM1
PWM2
GND
门
LS1
PVCC
保护地
门
LS2
VCC
PHASE1
GATGATE
HS1
BOOT1
8
9
10
11
BOOT1
BOOT2
门
HS2
PHASE2
12
13
14
门
HS1
PHASE1
VCC
修订版2.0
第1页
2004年8月31日
CoreControl
TM
概述
数据表
TDA21102
双高速驱动器设计用于驱动广泛的N通道低侧和N沟道高
边MOSFET具有不同的栅极电荷。它有一个小的传播延迟，从输入到输出，短
上升和下降时间和相同的引脚配置为HIP6602B 。此外，它提供了几个
保护功能，以及为了提高效率，一个关机模式。高的击穿电压
使得它适用于移动应用。
目标应用程序
双高速驱动器设计用于在半桥式电路的正常工作，其中双N沟道
MOSFET是利用。电路设计者可以充分利用在高端优势的驾驶员的能力
效率，高密度的同步DC / DC转换器，在高开关频率下工作，例如
在多相转换器的主板和CPU VRM's用品，而且在电机驱动和
D类放大器类型的应用程序。
框图
PVCC
HS
司机
BOOT
门
HS
相
PWM
控制
逻辑
SHOOT
通过
保护
LS
司机
门
LS
VCC
GND
PVCC
HS
司机
BOOT
门
HS
BIAS
相
PWM
控制
逻辑
SHOOT
通过
保护
LS
司机
门
LS
GND
修订版2.0
第2页
2004年8月31日
CoreControl
TM
数据表
TDA21102
与引导高速驱动
双功率MOSFET
特点
P-DSO-8-7
P-DSO-14-3
快速的上升和下降时间频率高达2 MHz的
可以吸收超过400峰值电流最低的开关损耗的
根据收费高压侧和低压侧MOSFET's门6..12 V
PVCC设置。
通过PVCC引脚可调节高边和低边MOSFET的栅极驱动电压
优化通损耗和栅极驱动损耗
集成自举二极管以减少元件数量
通过自适应栅极驱动控制的交叉传导阻止
高电压等级阶段的节点上
通过三态输入支持关机了非常低的静态电流模式
兼容标准的PWM控制器IC （ Intersil公司， ADI公司）
浮动高边MOSFET驱动器
非常适合对主板和VRM's多相台式机CPU用品
包
记号
P- DSO- 14-3 21102
数
1
2
3
4
5
6
7
TYPE
TDA21102
订购代码
Q67042-S4244
名字
PWM1
PWM2
GND
门
LS1
PVCC
保护地
门
LS2
PHASE2
门
HS2
BOOT2
描述
输入的PWM1信号控制器
输入的PWM2信号控制器
地
对于N沟道低侧栅极驱动输出
MOSFET 1 。
输入调整高侧栅极驱动器
电源接地回路的低侧驱动器
对于N沟道低侧栅极驱动输出
MOSFET 2 。
要连接到的高的结
侧和低侧MOSFET 2
对于N沟道高侧栅极驱动输出
MOSFET 2 。
浮动自举引脚。被连接到所述
外部自举电容，以产生
栅极驱动电压，高边n沟道
MOSFET 2 。
浮动自举引脚。被连接到所述
外部自举电容，以产生
栅极驱动电压，高边n沟道
MOSFET 1 。
对于N沟道高侧栅极驱动输出
MOSFET 1 。
要连接到的高的结
侧和低侧MOSFET 1
电源电压
引脚
顶视图
PWM1
PWM2
GND
门
LS1
PVCC
保护地
门
LS2
VCC
PHASE1
GATGATE
HS1
BOOT1
BOOT2
门
HS2
PHASE2
8
9
10
11
BOOT1
12
13
14
门
HS1
PHASE1
VCC
1.0版
第1页
2003年12月19日
CoreControl
TM
概述
数据表
TDA21102
双高速驱动器设计用于驱动广泛的N通道低侧
和N沟道的高边MOSFET具有不同的栅极电荷。它具有体积小
传播延迟从输入到输出，短的上升和下降时间和相同的引脚
配置为HIP6602B 。此外，它还提供了多种保护功能，如
以及为了提高效率，一个关机模式。高击穿电压，使
它适合于移动应用。
目标应用程序
双高速驱动器设计用于在半桥式电路中正常工作
双N沟道MOSFET使用。电路设计者可以充分利用
在高效率，高密度的同步DC / DC使用司机能力
即在高开关频率下工作的转换器，例如在多相转换器
关于主板和CPU VRM's用品，而且在电机驱动和D类
放大器类型的应用程序。
框图
PVCC
HS
司机
BOOT
门
HS
相
PWM
控制
逻辑
SHOOT
通过
保护
LS
司机
门
LS
VCC
GND
PVCC
HS
司机
BOOT
门
HS
BIAS
相
PWM
控制
逻辑
SHOOT
通过
保护
LS
司机
门
LS
GND
1.0版
第2页
2003年12月19日
CoreControl
TM
工作条件
在TJ = 25 ° C，除非另有说明
数据表
TDA21102
参数
电压提供给
“ VCC ”销
电压提供给
“ PVCC ”销
输入信号转换
频率
功耗
结温
符号
V
VCC
V
PVCC
f
P
合计
T
J
条件
单位
值
分钟。典型值。马克斯。
10.8
6
0.1
13.2
13.2
2
0.9
-25
150
V
V
兆赫
W
°C
T
A
= 25 ° C，T
J
= 125 °C
在TJ = 25 ° C，除非另有说明
单位
值
分钟。典型值。马克斯。
输出特性的高侧（ HS）和低边（ LS ） ，通过设计保证
产量
HS ;源
P
PVCC
= V
VCC
= 12 V
1.2
阻力
I
_HS_SRC
= 2 A
HS ;水槽
P
PVCC
= V
VCC
= 12 V
1
1.5
LS ;源
P
PVCC
= V
VCC
= 12 V
1
I
_HS_SRC
= 2 A
LS ;水槽
P
PVCC
= V
VCC
= 12 V
1
1.3
HS ;源
P
PVCC
= V
VCC
= 12 V
4
A
峰值输出 -
t_
P_HS
/脉冲< 20纳秒
HS ;水槽
4
t_
P_LS
/脉冲< 40纳秒
当前
LS ;源
4
D
_HS
< 2％ ，D-
-ls
< 4 ％
4
LS ;水槽
参数
条件
1.0版
第5页
2003年12月19日
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