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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
TIP42E
描述
ΔDC
电流增益-h
FE
= 30 (分) @我
C
= -
0.3A
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO ( SUS )
= -140V (最小值)
.Complement
到类型TIP41E
应用
·设计
在通用放大器和开关的使用
应用
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
T
C
=25℃
集电极耗散功率
T
a
=25℃
结温
存储温度范围
价值
-180
-140
-5
-6
-10
-3
65
单位
V
V
V
A
A
A
P
C
W
2
150
-65~150
T
j
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
R
日J-一
参数
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
最大
1.92
62.5
单位
℃/W
℃/W
ISC的网站: www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
TIP42E
最大
单位
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= -30mA ;我
B
= 0
-140
V
V
CE
(SAT)
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -6A ;我
B
= -1.5A
B
-1.5
V
V
BE
(上)
基射极电压上
I
C
= -6A ; V
CE
= -4V
-2.0
V
I
CES
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= -180V; V
BE
= 0
-0.4
mA
I
首席执行官
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= -90V ;我
B
= 0
B
-0.7
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= -5V ;我
C
= 0
-1.0
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= -0.3A ; V
CE
= -4V
30
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= -3A ; V
CE
= -4V
15
f
T
电流增益带宽积
I
C
= -0.5A ; V
CE
= -10V
3
兆赫
开关时间
t
on
开启时间
I
C
= -6A ;我
B1
= -I
B2
= -0.6A;
V
BE (OFF)的
= -4V ,R
L
= 5Ω
0.6
μs
t
关闭
打开-O FF时间
1.0
μs
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ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
TIP42F
描述
ΔDC
电流增益-h
FE
= 30 (分) @我
C
= -
0.3A
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO ( SUS )
= -160V (最小值)
.Complement
到类型TIP41F
应用
·设计
在通用放大器和开关的使用
应用
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
T
C
=25℃
集电极耗散功率
T
a
=25℃
结温
存储温度范围
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
-200
单位
V
-160
-5
V
V
-6
A
-10
-3
65
W
2
150
-65~150
A
A
P
C
T
j
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
R
日J-一
参数
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
最大
1.92
62.5
单位
℃/W
℃/W
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ISC
硅PNP功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
TIP42F
最大
单位
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= -30mA ;我
B
= 0
-160
V
V
CE
(SAT)
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -6A ;我
B
= -1.5A
B
-1.5
V
V
BE
(上)
基射极电压上
I
C
= -6A ; V
CE
= -4V
-2.0
V
I
CES
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= -200V; V
BE
= 0
-0.4
mA
I
首席执行官
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= -90V ;我
B
= 0
B
-0.7
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
h
FE-1
直流电流增益
h
FE-2
直流电流增益
f
T
电流增益带宽积
开关时间
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
V
EB
= -5V ;我
C
= 0
I
C
= -0.3A ; V
CE
= -4V
I
C
= -3A ; V
CE
= -4V
I
C
= -0.5A ; V
CE
= -10V
I
C
= -6A ;我
B1
= -I
B2
= -0.6A;
V
BE (OFF)的
= -4V ,R
L
= 5Ω
-1.0
mA
30
15
3
兆赫
t
on
开启时间
0.6
μs
t
关闭
打开-O FF时间
1.0
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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