TC74HCT08AP/AF/AFN
东芝CMOS数字集成电路
硅单片
TC74HCT08AP,TC74HCT08AF,TC74HCT08AFN
四2输入与门
该TC74HCT08A是一个高速CMOS 2输入与
GATE制造与硅栅
2
MOS技术。
它实现了类似于等效的高速操作
输入通道，同时保持CMOS低功耗。
此设备可被用作一个电平转换器，用于连接
TTL或NMOS以高速CMOS 。输入是兼容的
与TTL ， NMOS和CMOS输出电平。
内部电路由4-阶段，包括缓冲
输出，提供高抗噪性和稳定的输出。
所有的输入都配备了防静电保护电路
解除或瞬态过电压。
注意： xxxFN （JEDEC SOP）不在可用
日本。
TC74HCT08AP
TC74HCT08AF
特点
高速：吨
pd
= 10 ns（典型值），在V
CC
= 5 V
低功耗：我
CC
= 1
μA
（最大）在TA = 25℃
兼容TTL输出： V
IH
= 2 V （最小值）
V
IL
= 0.8 V（最大值）
广泛的接口能力： LSTTL ， NMOS ， CMOS
输出驱动能力： 10输入通道负载
对称的输出阻抗： | I
OH
| = I
OL
= 4 MA（ MIN ）
平衡传输延迟：吨
PLH
t
PHL
引脚和功能与74LS08兼容
TC74HCT08AFN
引脚分配
重量
DIP14-P-300-2.54
SOP14-P-300-1.27A
SOL14-P-150-1.27
：0.96克（典型值）。
0.18克（典型值）。
0.12克（典型值）。
1
2007-10-01
TC74HCT08AP/AF/AFN
IEC逻辑符号
真值表
A
L
L
H
H
B
L
H
L
H
Y
L
L
L
H
绝对最大额定值（注1 ）
特征
电源电压范围
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流
DC V
CC
/接地电流
功耗
储存温度
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
等级
0.5~7
0.5~V
CC
+
0.5
0.5~V
CC
+
0.5
±20
±20
±25
±50
500 （ DIP ） （注2 ） / 180 （ SOP ）
65~150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
注1 ：任何超过绝对最大额定值，即使短暂，导致恶化IC性能或
甚至是破坏。
在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对
最大额定值和经营范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注2： 500毫瓦Ta的范围
= 40
至65℃ 。来自TA
=
65 85 ℃的降额因子
10
毫瓦/°C的应
应用到300毫瓦
工作范围（注）
特征
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
输入上升和下降时间
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
OPR
t
r
, t
f
等级
4.5~5.5
0~V
CC
0~V
CC
40~85
0~500
单位
V
V
V
°C
ns
注意：
必须保持在工作范围，以确保设备的正常运行。
未使用的输入必须连接到VCC或GND 。
2
2007-10-01
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