SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·采用TO- 3PN封装
·补键入TIP33 / 33A / 33B / 33C
·直流电流增益
FE
=40(Min)@I
C
=1.0A
应用
·专为通用电源使用
放大器和开关应用。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
TIP34/34A/34B/34C
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
绝对最大额定值（ TC = 25 ）
符号
参数
TIP34
V
CBO
集电极 - 基极电压
TIP34A
TIP34B
TIP34C
TIP34
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
TIP34A
TIP34B
TIP34C
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
-40
-60
-80
-100
-40
-60
-80
-100
-5
-10
-15
-3
80
150
-65~150
V
A
A
A
W
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
最大
1.56
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
TIP34/34A/34B/34C
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·带
TO- 3PN封装
.Complement
键入TIP33 / 33A / 33B / 33C
ΔDC
电流增益
FE
=40(Min)@I
C
=1.0A
应用
·设计
对于一般用途
功率放大器和开关应用。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
TIP34/34A/34B/34C
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
参数
条件
TIP34
TIP34A
TIP34B
集电极 - 基极电压
发射极开路
TIP34C
TIP34
TIP34A
TIP34B
TIP34C
集电极 - 发射极电压
开基
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
OR
CT
U
价值
-40
-60
-80
-100
-40
-60
单位
V
V
-80
-100
-5
-10
-15
-3
80
150
-65~150
V
A
A
A
W
℃
℃
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
最大
1.56
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
TIP34/34A/34B/34C
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
OR
CT
U
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·带
TO- 3PN封装
.Complement
键入TIP33 / 33A / 33B / 33C
ΔDC
电流增益
FE
=40(Min)@I
C
=1.0A
应用
·设计
对于一般用途
功率放大器和开关应用。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
TIP34/34A/34B/34C
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
参数
TIP34
TIP34A
V
CBO
集电极 - 基极电压
TIP34B
TIP34C
TIP34
TIP34A
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
TIP34B
TIP34C
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
-80
-100
-5
-10
-15
-3
80
150
-65~150
V
A
A
A
W
℃
℃
发射极开路
-80
-100
-40
-60
V
条件
价值
-40
-60
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
最大
1.56
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
TIP34/34A/34B/34C
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 10毫秒，占空比
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
的hFE ， DC电流增益
。 。 。用于一般用途的功率放大器和开关应用。
其他芯片
大功率晶体管
半导体技术资料
摩托罗拉
热特性
最大额定值
结到自由空气的热阻
热阻，结到外壳
工作和存储结
温度范围
总功耗
@ T = 25
_
C
减免上述25
_
C
基极电流 - 连续
连续集电极电流 -
高峰（ 1 ）
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
10 A集电极电流
低漏电流 - ICEO = 0.7毫安， 60 V
出色的直流增益 - 的hFE = 40典型值@ 3.0阿
高电流增益带宽积 - HFE = 3.0分钟@ IC = 0.5 A， F = 1.0 MHz的
特征
等级
200
100
500
5.0
0.1
50
10
20
v
10%.
符号
符号
TJ ， TSTG
VCEO
R
θJC
R
θJA
VCB
VEB
PD
IC
IB
图1.直流电流增益
NPN
PNP
1.0
IC ，集电极电流（ A）
TIP33B
TIP34B
80 V
80 V
- 65至+ 150
35.7
1.56
最大
80
0.64
3.0
5.0
10
15
TIP33C
TIP34C
100 V
100 V
VCE = 4.0 V
TJ = 25°C
瓦
W/
_
C
_
C / W
_
C / W
单位
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
_
C
10
10安培
补充
硅
功率晶体管
100伏
80瓦
*摩托罗拉的首选设备
TIP33B*
TIP33C
PNP
TIP34B*
TIP34C
CASE 340D -01
TO–218AC
订购此文件
通过TIP33B / D
NPN
1
TIP33B TIP33C TIP34B TIP34C
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比
正向偏压
正向偏置安全工作区代表
电压和电流条件下，这些器件可承受
在正向偏置。基于TC的数据= 25
_
℃; TJ （ PK）
是可变根据功率电平。二次击穿
脉冲限制是有效的占空比以10％左右，并且必须是der-
ated热的TC > 25
_
C.
动态特性
基本特征（ 1 ）
开关特性
电流增益 - 带宽积
（ IC = 0.5 A， VCE = 10 V ， F = 1.0兆赫）
小信号电流增益
（ IC = 0.5 A， VCE = 10 V ， F = 1.0千赫）
基射极电压ON
（ IC = 3.0 A， VCE = 4.0 V）
（ IC = 10 A， VCE = 4.0 V）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 3.0 A， IB = 0.3 A）
（ IC = 10 A ， IB = 2.5 A）
直流电流增益
（ IC = 1.0 A， VCE = 4.0 V）
（ IC = 3.0 A， VCE = 4.0 V）
发射基截止电流
（ VEB = 5.0 V ， IC = 0 ）
集电极 - 发射极截止电流
（ VCE =额定VCEO ， VEB = 0 ）
集电极 - 发射极截止电流
（ VCE = 60 V ， IB = 0 ）
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 30 mA时， IB = 0 ）
0.2
IC ，集电极电流（ AMPS ）
0.5
0.1
1.0
1.0
5.0
3.0
2.0
15
10
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
2
图2.最大额定正向偏置
安全工作区
TC = 25°C
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
50
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
IC ，集电极电流（ AMPS ）
二次击穿极限
焊线LIMIT
热限制
10毫秒
特征
dc
1.0毫秒
v
2.0%.
TIP33B
TIP34B
TIP33C
TIP34C
TIP33B ， TIP33C ， TIP34B ， TIP34C
300
s
70 100
TIP33B ， TIP34B
TIP33C ， TIP34C
反向偏置
反向偏置安全工作区代表
电压和电流条件下，这些器件可承受
在反向偏置关断。这个等级下得到验证
夹紧条件，使该装置从未经受
雪崩模式。
5.0
10
15
20
0
0
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
图3.最大额定正向偏置
安全工作区
20
40
60
80
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
VCEO （ SUS）
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
符号
ICEO
IEBO
冰
的hFE
的hFE
fT
民
80
100
3.0
20
40
20
—
—
—
—
—
—
—
TIP33B
TIP34B
L = 200
H
IC / IB
≥
5.0
VBE （关闭） = 0 5.0 V
TC = 100℃
最大
—
100
1.6
3.0
1.0
4.0
1.0
0.4
0.7
—
—
—
—
TIP33C
TIP34C
单位
VDC
VDC
VDC
mA
mA
mA
—
—
兆赫
100
TIP33B TIP33C TIP34B TIP34C
包装尺寸
C
B
Q
E
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
MILLIMETERS
民
最大
19.00
19.60
14.00
14.50
4.20
4.70
1.00
1.30
1.45
1.65
5.21
5.72
2.60
3.00
0.40
0.60
28.50
32.00
14.70
15.30
4.00
4.25
17.50
18.10
3.40
3.80
1.50
2.00
BASE
集热器
辐射源
集热器
英寸
民
最大
0.749
0.771
0.551
0.570
0.165
0.185
0.040
0.051
0.058
0.064
0.206
0.225
0.103
0.118
0.016
0.023
1.123
1.259
0.579
0.602
0.158
0.167
0.689
0.712
0.134
0.149
0.060
0.078
U
S
K
L
1
2
4
A
3
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
Q
S
U
V
D
V
G
J
H
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
CASE 340D -01
TO–218AC
发出
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
TIP33B TIP33C TIP34B TIP34C
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，
并明确拒绝承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数，并会根据不同的
应用程序。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并
不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作组件
旨在系统通过外科手术移植到体内，或其他应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的故障
摩托罗拉的产品可能会造成这样一种情况人身伤害或死亡可能会发生。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何此类
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉和其职员，雇员，子公司，联营公司及分销商无害
对所有索赔，费用，损失，费用，以及直接或间接引起的，合理的律师费，人身伤害或死亡的任何索赔
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称，摩托罗拉对零件的设计或制造疏忽造成的。
摩托罗拉
注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等机会/ AF连接rmative行动雇主。
如何找到我们：
美国/欧洲：
摩托罗拉文学分布;
P.O. 20912盒;亚利桑那州凤凰城85036. 1-800-441-2447
M传真：
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键（ 602 ） 244-6609
互联网：
http://Design-NET.com
日本：
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ，利胜乙木，
6F西武Butsuryu中心， 3-14-2巽江东区，东京135 ，日本。 03-3521-8315
香港：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，
51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
*TIP33B/D*
TIP33B/D
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过TIP33B / D
其他芯片
大功率晶体管
。 。 。用于一般用途的功率放大器和开关应用。
10 A集电极电流
低漏电流 - ICEO = 0.7毫安， 60 V
出色的直流增益 - 的hFE = 40典型值@ 3.0阿
高电流增益带宽积 - HFE = 3.0分钟@ IC = 0.5 A， F = 1.0 MHz的
TIP33B*
TIP33C
PNP
TIP34B*
TIP34C
*摩托罗拉的首选设备
NPN
最大额定值
等级
符号
VCEO
VCB
VEB
IC
IB
TIP33B
TIP34B
80 V
80 V
TIP33C
TIP34C
100 V
100 V
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
10安培
补充
硅
功率晶体管
100伏
80瓦
的hFE ， DC电流增益
5.0
10
15
连续集电极电流 -
高峰（ 1 ）
基极电流 - 连续
总功耗
@ T = 25
_
C
减免上述25
_
C
3.0
PD
80
0.64
瓦
W/
_
C
工作和存储结
温度范围
TJ ， TSTG
- 65至+ 150
_
C
热特性
特征
CASE 340D -02
TO–218AC
符号
R
θJC
R
θJA
最大
单位
热阻，结到外壳
1.56
35.7
_
C / W
_
C / W
结到自由空气的热阻
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 10毫秒，占空比
v
10%.
500
200
100
50
20
10
5.0
0.1
VCE = 4.0 V
TJ = 25°C
NPN
PNP
1.0
IC ，集电极电流（ A）
10
图1.直流电流增益
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 1
摩托罗拉公司1996年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
1
TIP33B TIP33C TIP34B TIP34C
IC ，集电极电流（ AMPS ）
IC ，集电极电流（ AMPS ）
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
特征
开关特性
符号
民
最大
单位
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 30 mA时， IB = 0 ）
集电极 - 发射极截止电流
（ VCE = 60 V ， IB = 0 ）
VCEO （ SUS）
VDC
TIP33B ， TIP34B
TIP33C ， TIP34C
80
100
—
—
—
—
—
ICEO
冰
0.7
0.4
1.0
mA
mA
mA
TIP33B ， TIP33C ， TIP34B ， TIP34C
集电极 - 发射极截止电流
（ VCE =额定VCEO ， VEB = 0 ）
发射基截止电流
（ VEB = 5.0 V ， IC = 0 ）
IEBO
基本特征（ 1 ）
直流电流增益
（ IC = 1.0 A， VCE = 4.0 V）
（ IC = 3.0 A， VCE = 4.0 V）
的hFE
—
40
20
—
—
—
—
—
100
1.0
4.0
1.6
3.0
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 3.0 A， IB = 0.3 A）
（ IC = 10 A ， IB = 2.5 A）
基射极电压ON
（ IC = 3.0 A， VCE = 4.0 V）
（ IC = 10 A， VCE = 4.0 V）
VCE （ SAT ）
VDC
VBE （ON）的
VDC
动态特性
小信号电流增益
（ IC = 0.5 A， VCE = 10 V ， F = 1.0千赫）
的hFE
fT
20
—
—
—
电流增益 - 带宽积
（ IC = 0.5 A， VCE = 10 V ， F = 1.0兆赫）
3.0
兆赫
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比
v
2.0%.
20
L = 200
H
IC / IB
≥
5.0
VBE （关闭） = 0 5.0 V
TC = 100℃
15
10
5.0
3.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
1.0
10毫秒
15
1.0毫秒
dc
300
s
10
TIP33C
TIP34C
TIP33B
TIP34B
二次击穿极限
焊线LIMIT
热限制
TC = 25°C
TIP33B
TIP34B
TIP33C
TIP34C
70 100
5.0
0
0
60
80
20
40
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
100
20 30
50
2.0 3.0
5.0 7.0 10
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
图2.最大额定正向偏置
安全工作区
图3.最大额定正向偏置
安全工作区
正向偏压
正向偏置安全工作区代表
电压和电流条件下，这些器件可承受
在正向偏置。基于TC的数据= 25
_
℃; T J （ PK）
是可变根据功率电平。二次击穿
脉冲限制是有效的占空比以10％左右，并且必须是der-
ated热的TC > 25
_
C.
2
反向偏置
反向偏置安全工作区代表
电压和电流条件下，这些器件可承受
在反向偏置关断。这个等级下得到验证
夹紧条件，使该装置从未经受
雪崩模式。
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
TIP33B TIP33C TIP34B TIP34C
包装尺寸
C
B
Q
E
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
MILLIMETERS
民
最大
–––
20.35
14.70
15.20
4.70
4.90
1.10
1.30
1.17
1.37
5.40
5.55
2.00
3.00
0.50
0.78
31.00 REF
–––
16.20
4.00
4.10
17.80
18.20
4.00 REF
1.75 REF
英寸
民
最大
–––
0.801
0.579
0.598
0.185
0.193
0.043
0.051
0.046
0.054
0.213
0.219
0.079
0.118
0.020
0.031
1.220 REF
–––
0.638
0.158
0.161
0.701
0.717
0.157 REF
0.069
U
S
K
L
1
2
4
A
3
D
V
G
J
H
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
Q
S
U
V
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
BASE
集热器
辐射源
集热器
CASE 340D -02
问题B
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
TIP33B TIP33C TIP34B TIP34C
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并
具体来说不承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。可在摩托罗拉提供“典型”参数
数据表和/或特定网络阳离子可以和做不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”
必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并没有传达根据其专利权的任何许可或权利
其他人。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他
应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序在摩托罗拉产品的故障可能造成人身伤害的情况
否则可能会出现死亡。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉
其管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔称，
摩托罗拉是疏忽就部分的设计和制造。摩托罗拉
注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等
机会/肯定行动雇主。
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P.O. 20912盒;凤凰城，亚利桑那州85036. 1-800-441-2447或602-303-5454
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互联网：
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日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ， 6F西武Butsuryu中心，
3-14-2巽江东区，东京135 ，日本。 03-81-3521-8315
亚洲/太平洋网络C：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，
51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
TIP33B/D
*TIP33B/D*
TIP34 ， TIP34A ， TIP34B ， TIP34C
PNP硅功率晶体管
版权所有 1997年，创新动力有限公司， UK
1968年7月 - 修订1997年3月
q
专为配套使用的
TIP33系列
80瓦，在25 ° C的温度
B
SOT- 93封装
（ TOP VIEW ）
1
q
q
q
q
10 A连续集电极电流
15 A集电极电流峰值
提供客户指定的选择
E
3
销2与安装底座的电接触。
MDTRAA
C
2
绝对最大额定值
在25℃的情况下的温度（除非另有说明）
等级
TIP34
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
TIP34A
TIP34B
TIP34C
TIP34
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
TIP34A
TIP34B
TIP34C
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流（见注1 ）
连续基极电流
连续器件耗散（或低于） 25 ℃的外壳温度（见注2 ）
在（或低于） 25℃自由空气温度连续设备损耗（见注3 ）
非钳位电感负载的能量（见注4 ）
工作结温范围
存储温度范围
从案例铅温度3.2毫米10秒
注：1 。
2.
3.
4.
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
P
合计
½LI
C
T
j
T
英镑
T
L
2
符号
价值
-80
-100
-120
-140
-40
-60
-80
-100
-5
-10
-15
-3
80
3.5
62.5
-65到+150
-65到+150
250
单位
V
CBO
V
V
首席执行官
V
V
A
A
A
W
W
mJ
°C
°C
°C
该值适用于吨
p
≤
0.3毫秒，占空比
≤
10%.
降额直线到150℃的情况下的温度以0.64的比率W / ℃。
线性降额至150℃自由空气温度在28毫瓦/ ℃的速率。
此评价是基于晶体管的能力在一个电路安全地操作：L = 20毫亨，我
B（上）
= -0.4 A，R
BE
= 100
,
V
BE （OFF）的
= 0, R
S
= 0.1
,
V
CC
= -20 V.
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
1
TIP34 ， TIP34A ， TIP34B ， TIP34C
PNP硅功率晶体管
1968年7月 - 修订1997年3月
在25℃的情况下温度的电特性
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
测试条件
TIP34
V
（ BR ） CEO
I
C
= -30毫安
（见注5 ）
V
CE
= -80 V
I
CES
集电极 - 发射极
截止电流
集电极截止
当前
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
电压
小信号转发
电流传输比
小信号转发
电流传输比
V
CE
= -100 V
V
CE
= -120 V
V
CE
= -140 V
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE
h
fe
V
CE
= -30 V
V
CE
= -60 V
V
EB
=
V
CE
=
V
CE
=
I
B
=
I
B
=
V
CE
=
V
CE
=
-5 V
-4 V
-4 V
-0.3 A
-2.5 A
-4 V
-4 V
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
C
= 0
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
-1 A
-3 A
-3 A
-3 A
（见注5和6）
（见注5和6）
（见注5和6）
F = 1千赫
F = 1 MHz的
20
3
40
20
100
-1
-4
-1.6
-3
V
V
I
B
= 0
TIP34A
TIP34B
TIP34C
TIP34
TIP34A
TIP34B
TIP34C
TIP34/34A
TIP34B/34C
民
-40
-60
-80
-100
-0.4
-0.4
-0.4
-0.4
-0.7
-0.7
-1
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
I
C
= -10 A
I
C
= -10 A
I
C
= -0.5 A
I
C
= -0.5 A
V
CE
= -10 V
V
CE
= -10 V
|
h
fe
|
注： 5。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
6.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θ
JC
R
θ
JA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
1.56
35.7
单位
° C / W
° C / W
在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
参数
t
on
t
关闭
测试条件
I
C
= -6 A
V
BE （OFF）的
= 4 V
I
B（上）
= -0.6 A
R
L
= 5
民
I
B（关闭）
= 0.6 A
t
p
= 20微秒，直流
≤
2%
典型值
0.4
0.7
最大
单位
s
s
开启时间
打开-O FF时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
产品
信息
2
TIP34 ， TIP34A ， TIP34B ， TIP34C
.PNP硅功率晶体管
1968年7月 - 修订1997年3月
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
1000
V
CE
= -4 V
T
C
= 25°C
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
TCS634AA
集电极 - 发射极饱和电压
vs
基极电流
V
CE （ SAT ）
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
-10
TCS634AB
I
C
= -1 A
I
C
= -3 A
I
C
= -6 A
I
C
= -10 A
-1·0
h
FE
- 直流电流增益
100
10
-0·1
1
-0·01
-0·1
-1·0
-10
-0·01
-0·01
-0·1
-1·0
-10
I
C
- 集电极电流 - 一个
I
B
- 基极电流 - 一个
图1 。
图2中。
基射极电压
vs
集电极电流
-1·6
V
CE
= -4 V
T
C
= 25°C
V
BE
- 基射极电压 - V
-1·4
TCS634AC
-1·2
-1·0
-0·8
-0·6
-0·1
-1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
网络连接gure 3 。
产品
信息
3
TIP34 ， TIP34A ， TIP34B ， TIP34C
PNP硅功率晶体管
1968年7月 - 修订1997年3月
最大安全工作区
最大正向偏置
安全工作区
-100
SAS634AA
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
t
p
= 300微秒峰，d = 0.1 = 10％
t
p
= 1毫秒， D = 0.1 = 10 ％
t
p
= 10毫秒峰，d = 0.1 = 10％
直流操作
-1·0
-0·1
TIP34
TIP34A
TIP34B
TIP34C
-10
-100
-1000
-0·01
-1·0
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
图4中。
热信息
最大功率耗散
vs
外壳温度
100
P
合计
- 最大功耗 - W
TIS633AA
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度 - C
图5中。
产品
信息
4
TIP34 ， TIP34A ， TIP34B ， TIP34C
.PNP硅功率晶体管
1968年7月 - 修订1997年3月
机械数据
SOT-93
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时，清洗或处理。
SOT-93
4,90
4,70
4,1
4,0
15,2
14,7
3,95
4,15
1,37
1,17
16,2 MAX 。
12,2 MAX 。
31,0 TYP 。
18,0 TYP 。
1
1,30
1,10
2
3
0,78
0,50
11,1
10,8
2,50 TYP 。
以毫米为单位所有长度
注一：中心引脚与安装标签的电接触。
MDXXAW
产品
信息
5
TIP34 ， TIP34A ， TIP34B ， TIP34C
PNP硅功率晶体管
版权所有 1997年，创新动力有限公司， UK
1968年7月 - 修订1997年3月
q
专为配套使用的
TIP33系列
80瓦，在25 ° C的温度
B
SOT- 93封装
（ TOP VIEW ）
1
q
q
q
q
10 A连续集电极电流
15 A集电极电流峰值
提供客户指定的选择
E
3
销2与安装底座的电接触。
MDTRAA
C
2
绝对最大额定值
在25℃的情况下的温度（除非另有说明）
等级
TIP34
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
TIP34A
TIP34B
TIP34C
TIP34
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
TIP34A
TIP34B
TIP34C
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流（见注1 ）
连续基极电流
连续器件耗散（或低于） 25 ℃的外壳温度（见注2 ）
在（或低于） 25℃自由空气温度连续设备损耗（见注3 ）
非钳位电感负载的能量（见注4 ）
工作结温范围
存储温度范围
从案例铅温度3.2毫米10秒
注：1 。
2.
3.
4.
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
P
合计
½LI
C
T
j
T
英镑
T
L
2
符号
价值
-80
-100
-120
-140
-40
-60
-80
-100
-5
-10
-15
-3
80
3.5
62.5
-65到+150
-65到+150
250
单位
V
CBO
V
V
首席执行官
V
V
A
A
A
W
W
mJ
°C
°C
°C
该值适用于吨
p
≤
0.3毫秒，占空比
≤
10%.
降额直线到150℃的情况下的温度以0.64的比率W / ℃。
线性降额至150℃自由空气温度在28毫瓦/ ℃的速率。
此评价是基于晶体管的能力在一个电路安全地操作：L = 20毫亨，我
B（上）
= -0.4 A，R
BE
= 100
,
V
BE （OFF）的
= 0, R
S
= 0.1
,
V
CC
= -20 V.
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
1
TIP34 ， TIP34A ， TIP34B ， TIP34C
PNP硅功率晶体管
1968年7月 - 修订1997年3月
在25℃的情况下温度的电特性
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
测试条件
TIP34
V
（ BR ） CEO
I
C
= -30毫安
（见注5 ）
V
CE
= -80 V
I
CES
集电极 - 发射极
截止电流
集电极截止
当前
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
电压
小信号转发
电流传输比
小信号转发
电流传输比
V
CE
= -100 V
V
CE
= -120 V
V
CE
= -140 V
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE
h
fe
V
CE
= -30 V
V
CE
= -60 V
V
EB
=
V
CE
=
V
CE
=
I
B
=
I
B
=
V
CE
=
V
CE
=
-5 V
-4 V
-4 V
-0.3 A
-2.5 A
-4 V
-4 V
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
C
= 0
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
-1 A
-3 A
-3 A
-3 A
（见注5和6）
（见注5和6）
（见注5和6）
F = 1千赫
F = 1 MHz的
20
3
40
20
100
-1
-4
-1.6
-3
V
V
I
B
= 0
TIP34A
TIP34B
TIP34C
TIP34
TIP34A
TIP34B
TIP34C
TIP34/34A
TIP34B/34C
民
-40
-60
-80
-100
-0.4
-0.4
-0.4
-0.4
-0.7
-0.7
-1
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
I
C
= -10 A
I
C
= -10 A
I
C
= -0.5 A
I
C
= -0.5 A
V
CE
= -10 V
V
CE
= -10 V
|
h
fe
|
注： 5。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
6.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θ
JC
R
θ
JA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
1.56
35.7
单位
° C / W
° C / W
在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
参数
t
on
t
关闭
测试条件
I
C
= -6 A
V
BE （OFF）的
= 4 V
I
B（上）
= -0.6 A
R
L
= 5
民
I
B（关闭）
= 0.6 A
t
p
= 20微秒，直流
≤
2%
典型值
0.4
0.7
最大
单位
s
s
开启时间
打开-O FF时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
产品
信息
2
TIP34 ， TIP34A ， TIP34B ， TIP34C
.PNP硅功率晶体管
1968年7月 - 修订1997年3月
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
1000
V
CE
= -4 V
T
C
= 25°C
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
TCS634AA
集电极 - 发射极饱和电压
vs
基极电流
V
CE （ SAT ）
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
-10
TCS634AB
I
C
= -1 A
I
C
= -3 A
I
C
= -6 A
I
C
= -10 A
-1·0
h
FE
- 直流电流增益
100
10
-0·1
1
-0·01
-0·1
-1·0
-10
-0·01
-0·01
-0·1
-1·0
-10
I
C
- 集电极电流 - 一个
I
B
- 基极电流 - 一个
图1 。
图2中。
基射极电压
vs
集电极电流
-1·6
V
CE
= -4 V
T
C
= 25°C
V
BE
- 基射极电压 - V
-1·4
TCS634AC
-1·2
-1·0
-0·8
-0·6
-0·1
-1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
网络连接gure 3 。
产品
信息
3
TIP34 ， TIP34A ， TIP34B ， TIP34C
PNP硅功率晶体管
1968年7月 - 修订1997年3月
最大安全工作区
最大正向偏置
安全工作区
-100
SAS634AA
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
t
p
= 300微秒峰，d = 0.1 = 10％
t
p
= 1毫秒， D = 0.1 = 10 ％
t
p
= 10毫秒峰，d = 0.1 = 10％
直流操作
-1·0
-0·1
TIP34
TIP34A
TIP34B
TIP34C
-10
-100
-1000
-0·01
-1·0
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
图4中。
热信息
最大功率耗散
vs
外壳温度
100
P
合计
- 最大功耗 - W
TIS633AA
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度 - C
图5中。
产品
信息
4
TIP34 ， TIP34A ， TIP34B ， TIP34C
.PNP硅功率晶体管
1968年7月 - 修订1997年3月
机械数据
SOT-93
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时，清洗或处理。
SOT-93
4,90
4,70
4,1
4,0
15,2
14,7
3,95
4,15
1,37
1,17
16,2 MAX 。
12,2 MAX 。
31,0 TYP 。
18,0 TYP 。
1
1,30
1,10
2
3
0,78
0,50
11,1
10,8
2,50 TYP 。
以毫米为单位所有长度
注一：中心引脚与安装标签的电接触。
MDXXAW
产品
信息
5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过TIP33B / D
其他芯片
大功率晶体管
。 。 。用于一般用途的功率放大器和开关应用。
10 A集电极电流
低漏电流 - ICEO = 0.7毫安， 60 V
出色的直流增益 - 的hFE = 40典型值@ 3.0阿
高电流增益带宽积 - HFE = 3.0分钟@ IC = 0.5 A， F = 1.0 MHz的
TIP33B*
TIP33C
PNP
TIP34B*
TIP34C
*摩托罗拉的首选设备
NPN
最大额定值
等级
符号
VCEO
VCB
VEB
IC
IB
TIP33B
TIP34B
80 V
80 V
TIP33C
TIP34C
100 V
100 V
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
10安培
补充
硅
功率晶体管
100伏
80瓦
的hFE ， DC电流增益
5.0
10
15
连续集电极电流 -
高峰（ 1 ）
基极电流 - 连续
总功耗
@ T = 25
_
C
减免上述25
_
C
3.0
PD
80
0.64
瓦
W/
_
C
工作和存储结
温度范围
TJ ， TSTG
- 65至+ 150
_
C
热特性
特征
CASE 340D -02
TO–218AC
符号
R
θJC
R
θJA
最大
单位
热阻，结到外壳
1.56
35.7
_
C / W
_
C / W
结到自由空气的热阻
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 10毫秒，占空比
v
10%.
500
200
100
50
20
10
5.0
0.1
VCE = 4.0 V
TJ = 25°C
NPN
PNP
1.0
IC ，集电极电流（ A）
10
图1.直流电流增益
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 1
摩托罗拉公司1996年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
1
TIP33B TIP33C TIP34B TIP34C
IC ，集电极电流（ AMPS ）
IC ，集电极电流（ AMPS ）
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
特征
开关特性
符号
民
最大
单位
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 30 mA时， IB = 0 ）
集电极 - 发射极截止电流
（ VCE = 60 V ， IB = 0 ）
VCEO （ SUS）
VDC
TIP33B ， TIP34B
TIP33C ， TIP34C
80
100
—
—
—
—
—
ICEO
冰
0.7
0.4
1.0
mA
mA
mA
TIP33B ， TIP33C ， TIP34B ， TIP34C
集电极 - 发射极截止电流
（ VCE =额定VCEO ， VEB = 0 ）
发射基截止电流
（ VEB = 5.0 V ， IC = 0 ）
IEBO
基本特征（ 1 ）
直流电流增益
（ IC = 1.0 A， VCE = 4.0 V）
（ IC = 3.0 A， VCE = 4.0 V）
的hFE
—
40
20
—
—
—
—
—
100
1.0
4.0
1.6
3.0
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 3.0 A， IB = 0.3 A）
（ IC = 10 A ， IB = 2.5 A）
基射极电压ON
（ IC = 3.0 A， VCE = 4.0 V）
（ IC = 10 A， VCE = 4.0 V）
VCE （ SAT ）
VDC
VBE （ON）的
VDC
动态特性
小信号电流增益
（ IC = 0.5 A， VCE = 10 V ， F = 1.0千赫）
的hFE
fT
20
—
—
—
电流增益 - 带宽积
（ IC = 0.5 A， VCE = 10 V ， F = 1.0兆赫）
3.0
兆赫
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比
v
2.0%.
20
L = 200
H
IC / IB
≥
5.0
VBE （关闭） = 0 5.0 V
TC = 100℃
15
10
5.0
3.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
1.0
10毫秒
15
1.0毫秒
dc
300
s
10
TIP33C
TIP34C
TIP33B
TIP34B
二次击穿极限
焊线LIMIT
热限制
TC = 25°C
TIP33B
TIP34B
TIP33C
TIP34C
70 100
5.0
0
0
60
80
20
40
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
100
20 30
50
2.0 3.0
5.0 7.0 10
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
图2.最大额定正向偏置
安全工作区
图3.最大额定正向偏置
安全工作区
正向偏压
正向偏置安全工作区代表
电压和电流条件下，这些器件可承受
在正向偏置。基于TC的数据= 25
_
℃; T J （ PK）
是可变根据功率电平。二次击穿
脉冲限制是有效的占空比以10％左右，并且必须是der-
ated热的TC > 25
_
C.
2
反向偏置
反向偏置安全工作区代表
电压和电流条件下，这些器件可承受
在反向偏置关断。这个等级下得到验证
夹紧条件，使该装置从未经受
雪崩模式。
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
TIP33B TIP33C TIP34B TIP34C
包装尺寸
C
B
Q
E
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
MILLIMETERS
民
最大
–––
20.35
14.70
15.20
4.70
4.90
1.10
1.30
1.17
1.37
5.40
5.55
2.00
3.00
0.50
0.78
31.00 REF
–––
16.20
4.00
4.10
17.80
18.20
4.00 REF
1.75 REF
英寸
民
最大
–––
0.801
0.579
0.598
0.185
0.193
0.043
0.051
0.046
0.054
0.213
0.219
0.079
0.118
0.020
0.031
1.220 REF
–––
0.638
0.158
0.161
0.701
0.717
0.157 REF
0.069
U
S
K
L
1
2
4
A
3
D
V
G
J
H
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
Q
S
U
V
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
BASE
集热器
辐射源
集热器
CASE 340D -02
问题B
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
TIP33B TIP33C TIP34B TIP34C
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数据表和/或特定网络阳离子可以和做不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”
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4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
TIP33B/D
*TIP33B/D*
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