【TC51WKM616AXBN75暂定东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS4194304 - WORD 】,IC型号TC51WKM616AXBN75,TC51WKM616AXBN75 PDF资料,TC51WKM616AXBN75经销商,ic,电子元器件-51电子网

TC51WKM616AXBN75

暂定

东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS

4194304 - WORD 16 - BIT的CMOS伪静态RAM

描述

该TC51WKM616AXBN是组织为67,108,864位伪静态随机存取存储器（ PSRAM ）

4,194,304字×16位。采用东芝的CMOS技术和先进的电路技术，它提供了高

密度，高速度和低功耗。该设备采用双电源（ 2.6 3.3 V核心和1.7 2.2 V的

输出缓冲器）。该器件还具有类似SRAM的W / R时机，由此该设备是由CE1 ， OE和控制

WE异步。该装置具有在网页的存取操作。页面大小为8个字。该设备还支持

深度掉电模式下，实现低功耗待机。

特点

16位组织为4,194,304字

双电源（ 2.6 3.3 V的核心，

1.7 2.2 V的输出缓冲）

所有的输入和输出直接TTL兼容

深度掉电模式：存储单元数据无效

页面操作模式：

第8个字的读操作

逻辑和SRAM R / W兼容（

WE

）引脚

待机电流

待机

100

A

深度掉电待机

5

A

访问次数：

存取时间

CE1

存取时间

75纳秒

25纳秒

30纳秒

OE

存取时间

页面访问时间

包装：

P- TFBGA48-0811-0.75BZ （重量：

克典型值）。

引脚分配

（ TOP VIEW ）

1

A

B

LB

引脚名称

A0到A21

A0至A2

地址输入

网页地址输入

2

OE

UB

3

A0

A3

4

A1

A4

5

A2

6

CE2

I/O9

CE1

I/O2

I/O4

I/O5

I/O6

I/O1

I/O3

VDD

VSS

I/O7

I/O8

A20

I / O1到I / O16数据输入/输出

CE1

C

D

E

F

G

H

I/O10

VSS

I/O11

I/O12

A5

A17

A21

A14

A12

A9

A6

A7

A16

A15

A13

A10

芯片使能输入

片选输入

写使能输入

CE2

WE

VDDQ I / O13

I / O15 I / O14

I/O16

A18

A19

A8

OE

磅，

UB

V

DD

V

DDQ

GND

输出使能输入

数据字节控制输入

电源的核心

电源的输出缓冲

地

WE

A11

(FBGA48)

2002-08-22

1/11

TC51WKM616AXBN75

框图

CE

A9

A10

A11

A12

A13

A14

A15

A16

A17

A18

A19

A20

A21

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

I/O8

I/O9

I/O10

I/O11

I/O12

I/O13

I/O14

I/O15

I/O16

数据输入

卜FF器

行地址缓冲器

行地址

解码器

V

DD

GND

存储单元阵列

8,192

×

512

×

16

(67,108,864)

SENSE AMP

数据输出

卜FF器

数据输入

卜FF器

列地址

解码器

刷新

地址

计数器

刷新

控制

列地址

卜FF器

控制信号A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8

发电机

CE

WE

OE

UB

LB

CE1

CE

CE2

操作模式

模式

阅读（字）

阅读（低字节）

阅读（高字节）

写（字）

写（低字节）

写（高字节）

输出禁用

待机

深度掉电待机

注：L

=

低电平输入（V

IL

),

CE1

CE2

H

L

OE

L

X

H

X

WE

H

L

H

X

LB

L

H

L

H

X

UB

L

H

L

H

L

X

添加

X

I / O1到I / O8

D

OUT

D

OUT

高-Z

D

IN

D

IN

无效

高-Z

的I / O9到I / O16

D

OUT

高-Z

D

OUT

D

IN

无效

D

IN

高-Z

数据输出

卜FF器

动力

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDS

I

DDSD

L

H

=

高层次的输入电压（V

IH

),

X

=

V

IH

或V

IL

高-Z

=

高阻抗

2002-08-22

2/11

TC51WKM616AXBN75

绝对最大额定值（见注1 ）

符号

V

DD

V

DDQ

V

IN

V

I / O

T

OPR 。

T

STRG 。

T

SOLDER

P

D

I

OUT

电源电压

输出缓冲器电源电压

输入电压为地址和控制引脚

输入/输出电压的I / O引脚

工作温度

储存温度

焊接温度（ 10秒）

功耗

短路输出电流

等级

价值

1.0 3.6

1.0 V

DD

+

0.5 （ 3.6 V最大）

1.0 3.6

1.0 V

DDQ

+

0.5

25至85

55 150

单位

V

°C

W

mA

260

0.6

50

DC推荐工作条件

（大

= 25°C

至85 ℃）下

符号

V

DD

V

DDQ

V

IH

V

IL

参数

电源电压

输出缓冲器电源电压

输入高电压的地址和控制引脚

输入高电压的I / O引脚

输入低电压

民

2.6

1.7

1.6

0.3*

典型值。

2.75

1.8

最大

3.3

2.2

V

DD

+

0.3*

V

DDQ

+

0.3*

0.4

单位

V

* : V

IH

（最大值）V

DD

+1.0 V/ V

DDQ

+ 1.0V与10纳秒脉宽

V

IL

（最小值） -1.0 V与10纳秒脉宽

DC特性

（大

= 25°C

至85℃ ，V

DD

=

2.6 3.3 V ，V

DDQ

=

1.7 2.2 V ）

（见注3 4 ）

符号

I

IL

I

LO

V

OH

V

OL

I

DDO1

I

DDO2

I

DDS

I

DDSD

参数

输入漏电流

输出漏电流

输出高电压

输出低电压

工作电流

页面访问工作电流

待机电流（ MOS ）

深度掉电待机电流

测试条件

V

IN

=

0 V至V

DDQ

输出禁用，V

OUT

=

0 V至V

DD

I

OH

=

100

A

I

OL

=

100

A

CE1

=

V

IL

CE2

=

V

IH

, I

OUT

=

0毫安

民

1.0

典型值。

最大

+

1.0

+

1.0

单位

A

V

DDQ

0.2

V

mA

A

0.2

50

25

70

5

t

RC

=

民

CE1

=

V

IL

， CE2

=

V

IH

,

t

=

民

页面中添加。骑自行车，我

OUT

=

0毫安

PC

CE1

=

V

DD

0.2 V ， CE2

=

V

DD

0.2 V

CE2

=

0.2 V

电容

（大

=

25 ° C，F

=

1兆赫）

符号

C

IN

C

OUT

参数

输入电容

输出电容

测试条件

V

IN

=

GND

V

OUT

=

GND

最大

10

单位

pF

注：此参数是周期性采样，而不是100％测试。

2002-08-22

3/11

TC51WKM616AXBN75

（大

= 25°C

至85℃ ，V

DD

=

2.6 3.3 V ，V

DDQ

=

1.7 2.2 V ）（见注5 11）

符号

t

RC

t

加

t

CO

t

OE

t

BA

t

COE

t

OEE

t

BE

t

OD

t

ODO

t

BD

t

OH

t

PM

t

PC

t

AA

t

AOH

t

WC

t

WP

t

CW

t

BW

t

AW

t

AS

t

WR

t

ODW

t

OEW

t

DS

t

DH

t

CS

t

CH

t

DPD

t

CHC

t

卫生防护中心

读周期时间

地址访问时间

芯片使能（

CE1

）访问时间

输出启用访问时间

数据字节的控制访问时间

芯片使能低到输出有效

输出使能低到输出有效

数据字节控制低到输出有效

芯片使能高到输出高阻

输出使能高到输出高阻

数据字节控制高到输出高阻

输出数据保持时间

页面模式时间

页模式周期时间

页面模式地址访问时间

页面模式输出数据保持时间

写周期时间

把脉冲宽度

芯片使能写操作的结束

数据字节的控制来写结束

地址有效到写结束

地址建立时间

写恢复时间

WE低到输出高阻

WE高到输出有效

数据建立时间

数据保持时间

CE2建立时间

CE2保持时间

CE2脉冲宽度

从CE2保持

CE1

从开机CE2保持

参数

民

75

交流特性和操作条件

最大

10000

75

25

单位

ns

s

10

0

20

10

75

30

10000

30

10

75

50

75

60

0

10000

20

0

30

0

300

10

0

30

ms

ns

s

AC测试条件

参数

输出负载

输入脉冲电平

定时测量

参考电平

t

R

, t

F

条件

30 pF的

+

1 TTL门

V

DDQ

0.2 V, 0.2 V

V

DDQ

×

0.5

V

DDQ

×

0.5

5纳秒

2002-08-22

4/11

TC51WKM616AXBN75

时序图

读周期

t

RC

地址

A0到A21

t

加

t

CO

CE1

t

OH

CE2

t

OE

t

ODO

WE

解决-H

t

OD

t

BA

UB ， LB

t

BE

D

OUT

I / O1到I / O16

t

OEE

高阻

t

COE

不定

有效的数据输出

高阻

t

BD

PAGE读周期（ 8个字的访问）

t

PM

地址

A0至A2

地址

A3到A21

t

RC

t

PC

t

PC

t

PC

CE1

CE2

OE

解决-H

WE

UB ， LB

t

BA

t

OEE

D

OUT

I / O1到I / O16

t

BE

高阻

t

COE

t

CO

t

加

D

OUT

t

AA

D

OUT

t

AA

D

OUT

D

OUT

高阻

t

OE

t

AOH

t

AOH

t

AOH

t

BD

t

OH

t

OD

t

ODO

t

AA

*最多8个字

2002-08-22

5/11

TC51WKM616AXBN75

暂定

东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS

4194304 - WORD 16 - BIT的CMOS伪静态RAM

描述

该TC51WKM616AXBN是组织为67,108,864位伪静态随机存取存储器（ PSRAM ）

4,194,304字×16位。采用东芝的CMOS技术和先进的电路技术，它提供了高

密度，高速度和低功耗。该设备采用双电源（ 2.6 3.3 V核心和1.7 2.2 V的

输出缓冲器）。该器件还具有类似SRAM的W / R时机，由此该设备是由CE1 ， OE和控制

WE异步。该装置具有在网页的存取操作。页面大小为8个字。该设备还支持

深度掉电模式下，实现低功耗待机。

特点

16位组织为4,194,304字

双电源（ 2.6 3.3 V的核心，

1.7 2.2 V的输出缓冲）

所有的输入和输出直接TTL兼容

深度掉电模式：存储单元数据无效

页面操作模式：

第8个字的读操作

逻辑和SRAM R / W兼容（

WE

）引脚

待机电流

待机

100

A

深度掉电待机

5

A

访问次数：

存取时间

CE1

存取时间

75纳秒

25纳秒

30纳秒

OE

存取时间

页面访问时间

包装：

P- TFBGA48-0811-0.75BZ （重量：

克典型值）。

引脚分配

（ TOP VIEW ）

1

A

B

LB

引脚名称

A0到A21

A0至A2

地址输入

网页地址输入

2

OE

UB

3

A0

A3

4

A1

A4

5

A2

6

CE2

I/O9

CE1

I/O2

I/O4

I/O5

I/O6

I/O1

I/O3

VDD

VSS

I/O7

I/O8

A20

I / O1到I / O16数据输入/输出

CE1

C

D

E

F

G

H

I/O10

VSS

I/O11

I/O12

A5

A17

A21

A14

A12

A9

A6

A7

A16

A15

A13

A10

芯片使能输入

片选输入

写使能输入

CE2

WE

VDDQ I / O13

I / O15 I / O14

I/O16

A18

A19

A8

OE

磅，

UB

V

DD

V

DDQ

GND

输出使能输入

数据字节控制输入

电源的核心

电源的输出缓冲

地

WE

A11

(FBGA48)

2002-08-22

1/11

TC51WKM616AXBN75

框图

CE

A9

A10

A11

A12

A13

A14

A15

A16

A17

A18

A19

A20

A21

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

I/O8

I/O9

I/O10

I/O11

I/O12

I/O13

I/O14

I/O15

I/O16

数据输入

卜FF器

行地址缓冲器

行地址

解码器

V

DD

GND

存储单元阵列

8,192

×

512

×

16

(67,108,864)

SENSE AMP

数据输出

卜FF器

数据输入

卜FF器

列地址

解码器

刷新

地址

计数器

刷新

控制

列地址

卜FF器

控制信号A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8

发电机

CE

WE

OE

UB

LB

CE1

CE

CE2

操作模式

模式

阅读（字）

阅读（低字节）

阅读（高字节）

写（字）

写（低字节）

写（高字节）

输出禁用

待机

深度掉电待机

注：L

=

低电平输入（V

IL

),

CE1

CE2

H

L

OE

L

X

H

X

WE

H

L

H

X

LB

L

H

L

H

X

UB

L

H

L

H

L

X

添加

X

I / O1到I / O8

D

OUT

D

OUT

高-Z

D

IN

D

IN

无效

高-Z

的I / O9到I / O16

D

OUT

高-Z

D

OUT

D

IN

无效

D

IN

高-Z

数据输出

卜FF器

动力

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDS

I

DDSD

L

H

=

高层次的输入电压（V

IH

),

X

=

V

IH

或V

IL

高-Z

=

高阻抗

2002-08-22

2/11

TC51WKM616AXBN75

绝对最大额定值（见注1 ）

符号

V

DD

V

DDQ

V

IN

V

I / O

T

OPR 。

T

STRG 。

T

SOLDER

P

D

I

OUT

电源电压

输出缓冲器电源电压

输入电压为地址和控制引脚

输入/输出电压的I / O引脚

工作温度

储存温度

焊接温度（ 10秒）

功耗

短路输出电流

等级

价值

1.0 3.6

1.0 V

DD

+

0.5 （ 3.6 V最大）

1.0 3.6

1.0 V

DDQ

+

0.5

25至85

55 150

单位

V

°C

W

mA

260

0.6

50

DC推荐工作条件

（大

= 25°C

至85 ℃）下

符号

V

DD

V

DDQ

V

IH

V

IL

参数

电源电压

输出缓冲器电源电压

输入高电压的地址和控制引脚

输入高电压的I / O引脚

输入低电压

民

2.6

1.7

1.6

0.3*

典型值。

2.75

1.8

最大

3.3

2.2

V

DD

+

0.3*

V

DDQ

+

0.3*

0.4

单位

V

* : V

IH

（最大值）V

DD

+1.0 V/ V

DDQ

+ 1.0V与10纳秒脉宽

V

IL

（最小值） -1.0 V与10纳秒脉宽

DC特性

（大

= 25°C

至85℃ ，V

DD

=

2.6 3.3 V ，V

DDQ

=

1.7 2.2 V ）

（见注3 4 ）

符号

I

IL

I

LO

V

OH

V

OL

I

DDO1

I

DDO2

I

DDS

I

DDSD

参数

输入漏电流

输出漏电流

输出高电压

输出低电压

工作电流

页面访问工作电流

待机电流（ MOS ）

深度掉电待机电流

测试条件

V

IN

=

0 V至V

DDQ

输出禁用，V

OUT

=

0 V至V

DD

I

OH

=

100

A

I

OL

=

100

A

CE1

=

V

IL

CE2

=

V

IH

, I

OUT

=

0毫安

民

1.0

典型值。

最大

+

1.0

+

1.0

单位

A

V

DDQ

0.2

V

mA

A

0.2

50

25

70

5

t

RC

=

民

CE1

=

V

IL

， CE2

=

V

IH

,

t

=

民

页面中添加。骑自行车，我

OUT

=

0毫安

PC

CE1

=

V

DD

0.2 V ， CE2

=

V

DD

0.2 V

CE2

=

0.2 V

电容

（大

=

25 ° C，F

=

1兆赫）

符号

C

IN

C

OUT

参数

输入电容

输出电容

测试条件

V

IN

=

GND

V

OUT

=

GND

最大

10

单位

pF

注：此参数是周期性采样，而不是100％测试。

2002-08-22

3/11

TC51WKM616AXBN75

（大

= 25°C

至85℃ ，V

DD

=

2.6 3.3 V ，V

DDQ

=

1.7 2.2 V ）（见注5 11）

符号

t

RC

t

加

t

CO

t

OE

t

BA

t

COE

t

OEE

t

BE

t

OD

t

ODO

t

BD

t

OH

t

PM

t

PC

t

AA

t

AOH

t

WC

t

WP

t

CW

t

BW

t

AW

t

AS

t

WR

t

ODW

t

OEW

t

DS

t

DH

t

CS

t

CH

t

DPD

t

CHC

t

卫生防护中心

读周期时间

地址访问时间

芯片使能（

CE1

）访问时间

输出启用访问时间

数据字节的控制访问时间

芯片使能低到输出有效

输出使能低到输出有效

数据字节控制低到输出有效

芯片使能高到输出高阻

输出使能高到输出高阻

数据字节控制高到输出高阻

输出数据保持时间

页面模式时间

页模式周期时间

页面模式地址访问时间

页面模式输出数据保持时间

写周期时间

把脉冲宽度

芯片使能写操作的结束

数据字节的控制来写结束

地址有效到写结束

地址建立时间

写恢复时间

WE低到输出高阻

WE高到输出有效

数据建立时间

数据保持时间

CE2建立时间

CE2保持时间

CE2脉冲宽度

从CE2保持

CE1

从开机CE2保持

参数

民

75

交流特性和操作条件

最大

10000

75

25

单位

ns

s

10

0

20

10

75

30

10000

30

10

75

50

75

60

0

10000

20

0

30

0

300

10

0

30

ms

ns

s

AC测试条件

参数

输出负载

输入脉冲电平

定时测量

参考电平

t

R

, t

F

条件

30 pF的

+

1 TTL门

V

DDQ

0.2 V, 0.2 V

V

DDQ

×

0.5

V

DDQ

×

0.5

5纳秒

2002-08-22

4/11

TC51WKM616AXBN75

时序图

读周期

t

RC

地址

A0到A21

t

加

t

CO

CE1

t

OH

CE2

t

OE

t

ODO

WE

解决-H

t

OD

t

BA

UB ， LB

t

BE

D

OUT

I / O1到I / O16

t

OEE

高阻

t

COE

不定

有效的数据输出

高阻

t

BD

PAGE读周期（ 8个字的访问）

t

PM

地址

A0至A2

地址

A3到A21

t

RC

t

PC

t

PC

t

PC

CE1

CE2

OE

解决-H

WE

UB ， LB

t

BA

t

OEE

D

OUT

I / O1到I / O16

t

BE

高阻

t

COE

t

CO

t

加

D

OUT

t

AA

D

OUT

t

AA

D

OUT

D

OUT

高阻

t

OE

t

AOH

t

AOH

t

AOH

t

BD

t

OH

t

OD

t

ODO

t

AA

*最多8个字

2002-08-22

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