。 。 。设计用于在通用放大器和开关应用中使用。
紧凑的TO-220 AB包。
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
300
s,
占空比
2.0%.
（2）的fT =
h
fe
FTEST 。
（ 3 ）这个等级测试的基础上与LC = 20毫亨， RBE = 100
,
VCC = 10V ， IC = 1.8 A， P.R.F = 10赫兹。
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
互补硅塑料
功率晶体管
半导体技术资料
摩托罗拉
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
热特性
最大额定值
动态特性
基本特征（ 1 ）
开关特性
REV 1
直流电流增益（ IC = 0.2 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
直流电流增益
（ IC = 1.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
工作和存储结
温度范围
非钳位电感负载能量
（见注3 ）
总功率耗散@ TA = 25
_
C
减免上述25
_
C
总功率耗散@ TC = 25
_
C
减免上述25
_
C
基极电流
连续集电极电流 -
PEAK
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
小信号电流增益（ IC = 0.2 ADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
电流增益 - 带宽积（ 2 ）
（ IC = 200 MADC ， VCE = 10 VDC ， FTEST = 1.0兆赫）
基射极电压上（ IC = 1.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 1.0 ADC ， IB = 125 MADC ）
发射极截止电流（ VBE = 5.0伏， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 80伏直流电， VEB = 0 ）
（ VCE = 100伏， VEB = 0 ）
集电极截止电流（ VCE = 60 VDC ， IB = 0 ）
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 30 MADC ， IB = 0 ）
特征
等级
v
特征
TIP29B ， TIP30B
TIP29C ， TIP30C
TIP29B ， TIP30B
TIP29C ， TIP30C
符号
符号
TJ ， TSTG
VCEO
VCB
v
R
θJC
R
θJA
VEB
IC
PD
IB
PD
E
TIP29B
TIP30B
80
80
- 65至+ 150
2.0
0.016
4.167
62.5
最大
30
0.24
0.4
1.0
3.0
5.0
32
TIP29C
TIP30C
100
100
VCEO （ SUS）
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
符号
ICEO
冰
IEBO
的hFE
的hFE
fT
瓦
W/
_
C
瓦
W/
_
C
_
C / W
_
C / W
单位
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
mJ
_
C
民
80
100
3.0
20
40
15
—
—
—
—
—
—
1安培
功率晶体管
补充
硅
80 - 100伏
30瓦
TIP29B
TIP29C
PNP
TIP30B
TIP30C
CASE 221A -06
TO–220AB
最大
200
200
订购此文件
通过TIP29B / D
1.3
0.7
1.0
0.3
—
75
—
—
—
—
NPN
MADC
MADC
μAdc
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
—
—
1
TIP29B TIP29C TIP30B TIP30C
500
300
的hFE ， DC电流增益
TJ = 150℃
25°C
– 55°C
T， TIME （
s)
100
70
50
30
VCE = 2.0 V
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.05 0.07 0.1
0.5 0.7 1.0
0.3
IC ，集电极电流（ AMP ）
3.0
0.03
0.03
0.05 0.07 0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
TF @ VCC = 30 V
3.0
2.0
ts
′
IB1 = IB2
IC / IB = 10
ts
′
TS = - 1/8 TF
TJ = 25°C
TF @ VCC = 10 V
10
7.0
5.0
0.03
IC ，集电极电流（ AMP ）
图1.直流电流增益
图2.开启，关闭时间
开通脉冲
约
+11 V
VIN 0
VEB （关闭）
约
+11 V
VIN
t2
关断脉冲
VCC
RC
VIN
RB
T， TIME （
s)
范围
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
TR @ VCC = 30 V
IC / IB = 10
TJ = 25°C
t1
t3
CJD << CEB
t1
≤
7.0纳秒
100 < T2 < 500
s
T3 < 15纳秒
占空比
≈
2.0%
APPROX - 9.0 V
RB和RC变化，以OBTAIN
所需的电流水平。
– 4.0 V
TR @ VCC = 10 V
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.03
TD @ VEB （关闭） = 2.0 V
0.05 0.07 0.1
0.3
0.5 0.7 1.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
3.0
图3.开关时间等效电路
图4.开启时间
10
IC ，集电极电流（ AMPS ）
TJ = 150℃
3.0
dc
0.1
二次击穿有限公司
限热@ TC = 25°C
键合丝有限公司
曲线适用BELOW
额定VCEO
0.1
1.0
TIP29B ， 30B
TIP29C ， 30C
100
5毫秒
1毫秒
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE操作
化;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5的数据是基于T J （峰） = 150
_
℃; TC是
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）
150
_
C.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
v
4.0
20
40
10
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
图5.活动区的安全工作区
2
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
TIP29B TIP29C TIP30B TIP30C
包装尺寸
–T–
B
4
座位
飞机
F
T
S
C
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸Z定义了一个区域，在那里所有
身体和铅的凹凸
允许的。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
英寸
民
最大
0.570
0.620
0.380
0.405
0.160
0.190
0.025
0.035
0.142
0.147
0.095
0.105
0.110
0.155
0.018
0.025
0.500
0.562
0.045
0.060
0.190
0.210
0.100
0.120
0.080
0.110
0.045
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
–––
–––
0.080
BASE
集热器
辐射源
集热器
MILLIMETERS
民
最大
14.48
15.75
9.66
10.28
4.07
4.82
0.64
0.88
3.61
3.73
2.42
2.66
2.80
3.93
0.46
0.64
12.70
14.27
1.15
1.52
4.83
5.33
2.54
3.04
2.04
2.79
1.15
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
–––
–––
2.04
Q
1 2 3
A
U
K
H
Z
L
V
G
D
N
R
J
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
CASE 221A -06
TO–220AB
ISSUE
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
TIP29B TIP29C TIP30B TIP30C
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，
并明确拒绝承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数，并会根据不同的
应用程序。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并
不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作组件
旨在系统通过外科手术移植到体内，或其他应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的故障
摩托罗拉的产品可能会造成这样一种情况人身伤害或死亡可能会发生。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何此类
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉和其职员，雇员，子公司，联营公司及分销商无害
对所有索赔，费用，损失，费用，以及直接或间接引起的，合理的律师费，人身伤害或死亡的任何索赔
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称，摩托罗拉对零件的设计或制造疏忽造成的。
摩托罗拉
注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等机会/ AF连接rmative行动雇主。
如何找到我们：
美国/欧洲：
摩托罗拉文学分布;
P.O. 20912盒;亚利桑那州凤凰城85036. 1-800-441-2447
M传真：
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键（ 602 ） 244-6609
互联网：
http://Design-NET.com
日本：
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ，利胜乙木，
6F西武Butsuryu中心， 3-14-2巽江东区，东京135 ，日本。 03-3521-8315
香港：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，
51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
*TIP29B/D*
TIP29B/D
。 。 。设计用于在通用放大器和开关应用中使用。
紧凑的TO-220 AB包。
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
300
s,
占空比
2.0%.
（2）的fT =
h
fe
FTEST 。
（ 3 ）这个等级测试的基础上与LC = 20毫亨， RBE = 100
,
VCC = 10V ， IC = 1.8 A， P.R.F = 10赫兹。
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
互补硅塑料
功率晶体管
半导体技术资料
摩托罗拉
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
热特性
最大额定值
动态特性
基本特征（ 1 ）
开关特性
REV 1
直流电流增益（ IC = 0.2 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
直流电流增益
（ IC = 1.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
工作和存储结
温度范围
非钳位电感负载能量
（见注3 ）
总功率耗散@ TA = 25
_
C
减免上述25
_
C
总功率耗散@ TC = 25
_
C
减免上述25
_
C
基极电流
连续集电极电流 -
PEAK
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
小信号电流增益（ IC = 0.2 ADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
电流增益 - 带宽积（ 2 ）
（ IC = 200 MADC ， VCE = 10 VDC ， FTEST = 1.0兆赫）
基射极电压上（ IC = 1.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 1.0 ADC ， IB = 125 MADC ）
发射极截止电流（ VBE = 5.0伏， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 80伏直流电， VEB = 0 ）
（ VCE = 100伏， VEB = 0 ）
集电极截止电流（ VCE = 60 VDC ， IB = 0 ）
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 30 MADC ， IB = 0 ）
特征
等级
v
特征
TIP29B ， TIP30B
TIP29C ， TIP30C
TIP29B ， TIP30B
TIP29C ， TIP30C
符号
符号
TJ ， TSTG
VCEO
VCB
v
R
θJC
R
θJA
VEB
IC
PD
IB
PD
E
TIP29B
TIP30B
80
80
- 65至+ 150
2.0
0.016
4.167
62.5
最大
30
0.24
0.4
1.0
3.0
5.0
32
TIP29C
TIP30C
100
100
VCEO （ SUS）
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
符号
ICEO
冰
IEBO
的hFE
的hFE
fT
瓦
W/
_
C
瓦
W/
_
C
_
C / W
_
C / W
单位
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
mJ
_
C
民
80
100
3.0
20
40
15
—
—
—
—
—
—
1安培
功率晶体管
补充
硅
80 - 100伏
30瓦
TIP29B
TIP29C
PNP
TIP30B
TIP30C
CASE 221A -06
TO–220AB
最大
200
200
订购此文件
通过TIP29B / D
1.3
0.7
1.0
0.3
—
75
—
—
—
—
NPN
MADC
MADC
μAdc
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
—
—
1
TIP29B TIP29C TIP30B TIP30C
500
300
的hFE ， DC电流增益
TJ = 150℃
25°C
– 55°C
T， TIME （
s)
100
70
50
30
VCE = 2.0 V
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.05 0.07 0.1
0.5 0.7 1.0
0.3
IC ，集电极电流（ AMP ）
3.0
0.03
0.03
0.05 0.07 0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
TF @ VCC = 30 V
3.0
2.0
ts
′
IB1 = IB2
IC / IB = 10
ts
′
TS = - 1/8 TF
TJ = 25°C
TF @ VCC = 10 V
10
7.0
5.0
0.03
IC ，集电极电流（ AMP ）
图1.直流电流增益
图2.开启，关闭时间
开通脉冲
约
+11 V
VIN 0
VEB （关闭）
约
+11 V
VIN
t2
关断脉冲
VCC
RC
VIN
RB
T， TIME （
s)
范围
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
TR @ VCC = 30 V
IC / IB = 10
TJ = 25°C
t1
t3
CJD << CEB
t1
≤
7.0纳秒
100 < T2 < 500
s
T3 < 15纳秒
占空比
≈
2.0%
APPROX - 9.0 V
RB和RC变化，以OBTAIN
所需的电流水平。
– 4.0 V
TR @ VCC = 10 V
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.03
TD @ VEB （关闭） = 2.0 V
0.05 0.07 0.1
0.3
0.5 0.7 1.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
3.0
图3.开关时间等效电路
图4.开启时间
10
IC ，集电极电流（ AMPS ）
TJ = 150℃
3.0
dc
0.1
二次击穿有限公司
限热@ TC = 25°C
键合丝有限公司
曲线适用BELOW
额定VCEO
0.1
1.0
TIP29B ， 30B
TIP29C ， 30C
100
5毫秒
1毫秒
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE操作
化;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5的数据是基于T J （峰） = 150
_
℃; TC是
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）
150
_
C.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
v
4.0
20
40
10
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
图5.活动区的安全工作区
2
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
TIP29B TIP29C TIP30B TIP30C
包装尺寸
–T–
B
4
座位
飞机
F
T
S
C
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸Z定义了一个区域，在那里所有
身体和铅的凹凸
允许的。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
英寸
民
最大
0.570
0.620
0.380
0.405
0.160
0.190
0.025
0.035
0.142
0.147
0.095
0.105
0.110
0.155
0.018
0.025
0.500
0.562
0.045
0.060
0.190
0.210
0.100
0.120
0.080
0.110
0.045
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
–––
–––
0.080
BASE
集热器
辐射源
集热器
MILLIMETERS
民
最大
14.48
15.75
9.66
10.28
4.07
4.82
0.64
0.88
3.61
3.73
2.42
2.66
2.80
3.93
0.46
0.64
12.70
14.27
1.15
1.52
4.83
5.33
2.54
3.04
2.04
2.79
1.15
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
–––
–––
2.04
Q
1 2 3
A
U
K
H
Z
L
V
G
D
N
R
J
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
CASE 221A -06
TO–220AB
ISSUE
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
TIP29B TIP29C TIP30B TIP30C
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，
并明确拒绝承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数，并会根据不同的
应用程序。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并
不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作组件
旨在系统通过外科手术移植到体内，或其他应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的故障
摩托罗拉的产品可能会造成这样一种情况人身伤害或死亡可能会发生。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何此类
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉和其职员，雇员，子公司，联营公司及分销商无害
对所有索赔，费用，损失，费用，以及直接或间接引起的，合理的律师费，人身伤害或死亡的任何索赔
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称，摩托罗拉对零件的设计或制造疏忽造成的。
摩托罗拉
注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等机会/ AF连接rmative行动雇主。
如何找到我们：
美国/欧洲：
摩托罗拉文学分布;
P.O. 20912盒;亚利桑那州凤凰城85036. 1-800-441-2447
M传真：
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键（ 602 ） 244-6609
互联网：
http://Design-NET.com
日本：
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ，利胜乙木，
6F西武Butsuryu中心， 3-14-2巽江东区，东京135 ，日本。 03-3521-8315
香港：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，
51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
*TIP29B/D*
TIP29B/D
TIP29A/29C
TIP30A/30C
互补硅功率
晶体管
s
s
意法半导体的优选
SALESTYPES
互补PNP - NPN器件
描述
该
TIP29A和
TIP29C
是
硅
安装在外延基极的NPN功率晶体管
JEDEC TO- 220塑料封装。他们intented
在中等功率线性和开关应用
应用程序。
互补PNP类型TIP30A和
分别TIP30C 。
3
1
2
TO-220
内部原理图
绝对最大额定值
符号
参数
NPN
PNP
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压（I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗在T
例
≤
25
o
C
T
AMB
≤
25
o
C
储存温度
马克斯。工作结温
TIP29A
TIP30A
60
60
5
1
3
0.4
30
2
-65到150
150
价值
TIP29C
TIP30C
100
100
V
V
V
A
A
A
W
W
o
o
单位
C
C
为PNP型的电压和电流值是负的。
2000年1月
1/4
TIP29A / TIP29C / TIP30A / TIP30C
热数据
R
THJ情况
R
THJ - AMB
热阻结案件
热阻结到环境
最大
最大
4.17
62.5
o
o
C / W
C / W
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
符号
I
首席执行官
I
CES
I
EBO
参数
集电极截止
电流（I
B
= 0)
集电极截止
电流（V
BE
= 0)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
测试条件
为
TIP29A/30A
为
TIP29C/30C
为
TIP29A/30A
为
TIP29C/30C
V
EB
= 5 V
I
C
= 30毫安
为
TIP29A/30A
为
TIP29C/30C
I
C
= 1 A
I
C
= 1 A
I
C
= 0.2 A
I
C
= 1 A
I
C
= 0.2 A
I
C
= 0.2 A
I
B
= 125毫安
V
CE
= 4 V
V
CE
= 4 V
V
CE
= 4 V
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
F = 1千赫
F = 1 MHz的
40
15
20
3
V
CE
= 30 V
V
CE
= 60 V
V
CE
= 60
V
CE
= 100 V
分钟。
典型值。
马克斯。
0.3
0.3
0.2
0.2
1
单位
mA
mA
mA
mA
mA
V
CEO （ SUS ）
*集电极 - 发射极
维持电压
(I
B
= 0)
V
CE （ SAT ）
*
V
BE（上）
*
h
FE
*
h
fe
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极电压
直流电流增益
小信号电流
收益
60
100
0.7
1.3
75
V
V
V
V
脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比
≤
2 %
为PNP型的电压和电流值是负的。
2/4
TIP29A / TIP29C / TIP30A TIP30C
TO- 220机械数据
DIM 。
分钟。
A
C
D
D1
E
F
F1
F2
G
G1
H2
L2
L4
L5
L6
L7
L9
DIA 。
13.0
2.65
15.25
6.2
3.5
3.75
0.49
0.61
1.14
1.14
4.95
2.4
10.0
16.4
14.0
2.95
15.75
6.6
3.93
3.85
0.511
0.104
0.600
0.244
0.137
0.147
4.40
1.23
2.40
1.27
0.70
0.88
1.70
1.70
5.15
2.7
10.40
0.019
0.024
0.044
0.044
0.194
0.094
0.393
0.645
0.551
0.116
0.620
0.260
0.154
0.151
mm
典型值。
马克斯。
4.60
1.32
2.72
分钟。
0.173
0.048
0.094
0.050
0.027
0.034
0.067
0.067
0.203
0.106
0.409
寸
典型值。
马克斯。
0.181
0.051
0.107
P011C
3/4
TIP29A / TIP29C / TIP30A / TIP30C
提供的资料被认为是准确和可靠。然而，意法半导体承担的后果不承担任何责任
使用这些信息，也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。无许可证
牌照以暗示或以其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格
如有更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。意法半导体的产品
未授权使用的，而不意法半导体的明确书面批准的生命支持设备或系统中的关键组件。
ST的标志是意法半导体公司的商标。
2000意法半导体 - 印刷意大利 - 版权所有
公司意法半导体集团
澳大利亚 - 巴西 - 中国 - 芬兰 - 法国 - 德国 - 香港 - 印度 - 意大利 - 日本 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 -
新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 英国 - 美国
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4/4
TIP29系列（ TIP29 / 29A / 29B / 29C ）
TIP29系列（ TIP29 / 29A / 29B / 29C ）
中功率线性开关应用
为了配合TIP30 / 30A / 30B / 30C
1
TO-220
2.Collector
3.Emitter
NPN外延硅晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
集电极 - 基极电压
参数
： TIP29
： TIP29A
： TIP29B
： TIP29C
1.Base
价值
40
60
80
100
40
60
80
100
5
1
3
0.4
30
2
150
- 65 ~ 150
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压： TIP29
： TIP29A
： TIP29B
： TIP29C
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散（T
C
=25°C)
集电极耗散（T
a
=25°C)
结温
储存温度
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
J
T
英镑
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
（ SUS）的
参数
*集电极发射极耐受电压
： TIP29
： TIP29A
： TIP29B
： TIP29C
集电极截止电流
： TIP29 / 29A
： TIP29B / 29C
集电极截止电流
： TIP29
： TIP29A
： TIP29B
： TIP29C
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
f
T
发射极截止电流
*直流电流增益
*集电极 - 发射极饱和电压
*基射极饱和电压
电流增益带宽积
V
CE
= 40V, V
EB
= 0
V
CE
= 60V, V
EB
= 0
V
CE
= 80V, V
EB
= 0
V
CE
= 100V, V
EB
= 0
V
EB
= 5V ，我
C
= 0
V
CE
= 4V ，我
C
= 0.2A
V
CE
= 4V ，我
C
= 1A
I
C
= 1A ，我
B
= 125毫安
V
CE
= 4V ，我
C
= 1A
V
CE
= 10V ，我
C
= 200毫安
3.0
40
15
200
200
200
200
1.0
75
0.7
1.3
V
V
兆赫
A
A
A
A
mA
测试条件
I
C
= 30mA时我
B
= 0
分钟。
40
60
80
100
0.3
0.3
马克斯。
单位
V
V
V
V
mA
mA
I
首席执行官
V
CE
= 30V ，我
B
= 0
V
CE
= 60V ，我
B
= 0
I
CES
*脉冲测试： PW≤300μs ，职务Cycle≤2 ％
2001仙童半导体公司
牧师A1 ， 2001年6月
TIP29系列（ TIP29 / 29A / 29B / 29C ）
典型特征
V
BE
（SAT） ，V
CE
（SAT） [毫伏] ，饱和电压
1000
10000
V
CE
= 4V
I
C
/I
B
= 10
h
FE
，直流电流增益
100
1000
V
BE
（SAT）
10
100
V
CE
（SAT）
1
1
10
100
1000
10000
10
1
10
100
1000
10000
I
C
[马] ，集电极电流
I
C
[马] ，集电极电流
图1.直流电流增益
图2.基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
10
40
35
I
C
[A] ，集电极电流
I
C
（MAX） （PULSE ）
P
C
[W] ，功率耗散
30
25
s
1m
I
C
（MAX） （DC）的
1
s
5m
DC
20
15
TIP29 V
首席执行官
马克斯。
TIP29A V
首席执行官
马克斯。
TIP29B V
首席执行官
马克斯。
TIP29C V
首席执行官
马克斯。
0.1
10
100
10
5
0
0
25
50
o
75
100
125
150
175
200
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
T
C
[C] ，外壳温度
图3.安全工作区
图4.功率降额
2001仙童半导体公司
牧师A1 ， 2001年6月
TIP29系列（ TIP29 / 29A / 29B / 29C ）
包装Demensions
TO-220
9.90
±0.20
1.30
±0.10
2.80
±0.10
4.50
±0.20
(8.70)
3.60
±0.10
(1.70)
1.30
–0.05
+0.10
9.20
±0.20
(1.46)
13.08
±0.20
(1.00)
(3.00)
15.90
±0.20
1.27
±0.10
1.52
±0.10
0.80
±0.10
2.54TYP
[2.54
±0.20
]
2.54TYP
[2.54
±0.20
]
10.08
±0.30
18.95MAX.
(3.70)
)
(45
°
0.50
–0.05
+0.10
2.40
±0.20
10.00
±0.20
单位：毫米
2001仙童半导体公司
牧师A1 ， 2001年6月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
* STAR POWER
快
OPTOPLANAR
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
FACT静音系列
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
MICROWIRE
OPTOLOGIC
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SLIENT SWITCHER
SMART START
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TruTranslation
TinyLogic
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
放弃
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
2.关键部件是在生命支持任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或系统
设备或系统，其未能履行可
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2001仙童半导体公司
牧师H3
TIP29 / TIP29A / TIP29B / TIP29C - NPN外延硅晶体管
2008年7月
TIP29/TIP29A/TIP29B/TIP29C
NPN外延硅晶体管
特点
为了配合TIP30 / TIP30A / TIP30B / TIP30C
1.底座2.收藏家3.发射
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
集电极 - 基极电压
参数
： TIP29
： TIP29A
： TIP29B
： TIP29C
价值
40
60
80
100
40
60
80
100
5
1
3
0.4
30
2
150
- 65 ~ 150
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压： TIP29
： TIP29A
： TIP29B
： TIP29C
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散（T
C
=25°C)
集电极耗散（T
a
=25°C)
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
J
T
英镑
结温
储存温度
2008飞兆半导体公司
TIP29 / TIP29A / TIP29B / TIP29C版本A
www.fairchildsemi.com
1
TIP29 / TIP29A / TIP29B / TIP29C - NPN外延硅晶体管
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
（ SUS）的
参数
*集电极发射极耐受电压
： TIP29
： TIP29A
： TIP29B
： TIP29C
集电极截止电流
： TIP29 / 29A
： TIP29B / 29C
集电极截止电流
： TIP29
： TIP29A
： TIP29B
： TIP29C
I
EBO
h
FE
发射极截止电流
*直流电流增益
V
CE
= 40V, V
EB
= 0
V
CE
= 60V, V
EB
= 0
V
CE
= 80V, V
EB
= 0
V
CE
= 100V, V
EB
= 0
V
EB
= 5V ，我
C
= 0
V
CE
= 4V ，我
C
= 0.2A
V
CE
= 4V ，我
C
= 1A
I
C
= 1A ，我
B
= 125毫安
V
CE
= 4V ，我
C
= 1A
V
CE
= 10V ，我
C
= 200毫安
3.0
40
15
200
200
200
200
1.0
μA
μA
μA
μA
mA
测试条件
分钟。
马克斯。
单位
I
C
= 30mA时我
B
= 0
40
60
80
100
V
V
V
V
I
首席执行官
V
CE
= 30V ，我
B
= 0
V
CE
= 60V ，我
B
= 0
0.3
0.3
mA
mA
I
CES
75
0.7
1.3
V
V
兆赫
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
f
T
*集电极 - 发射极饱和电压
*基射极饱和电压
电流增益带宽积
*脉冲测试： PW≤300ms ，职务Cycle≤2 ％
2008飞兆半导体公司
TIP29 / TIP29A / TIP29B / TIP29C版本A
www.fairchildsemi.com
2
TIP29 / TIP29A / TIP29B / TIP29C - NPN外延硅晶体管
典型特征
V
BE
（SAT） ，V
CE
（SAT） [毫伏] ，饱和电压
1000
10000
V
CE
= 4V
I
C
/I
B
= 10
h
FE
，直流电流增益
100
1000
V
BE
（SAT）
10
100
V
CE
（SAT）
1
1
10
100
1000
10000
10
1
10
100
1000
10000
I
C
[马] ，集电极电流
I
C
[马] ，集电极电流
图1.直流电流增益
图2.基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
10
40
35
I
C
[A] ，集电极电流
I
C
（MAX） （PULSE ）
P
C
[W] ，功率耗散
30
25
20
15
10
5
0
s
1m
I
C
（MAX） （DC）的
1
s
5m
DC
TIP29 V
首席执行官
马克斯。
TIP29A V
首席执行官
马克斯。
TIP29B V
首席执行官
马克斯。
TIP29C V
首席执行官
马克斯。
0.1
10
100
0
25
50
o
75
100
125
150
175
200
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
T
C
[C] ，外壳温度
图3.安全工作区
图4.功率降额
2008飞兆半导体公司
TIP29 / TIP29A / TIP29B / TIP29C版本A
www.fairchildsemi.com
3
TIP29 / TIP29A / TIP29B / TIP29C - NPN外延硅晶体管
机械尺寸
TO220
2008飞兆半导体公司
TIP29 / TIP29A / TIP29B / TIP29C版本A
www.fairchildsemi.com
4
TIP29/TIP29A/TIP29B/TIP29C
TIP29 / TIP29A / TIP29B / TIP29C NPN外延硅晶体管
2008飞兆半导体公司
TIP29 / TIP29A / TIP29B / TIP29C版本A
www.fairchildsemi.com
5
TIP29 ， 30
高功率双极晶体管
产品特点：
集电极 - 发射极电压 - 可持续
V
CEO （ SUS ）
= 60V （最小值） - TIP29A ， TIP30A
= 100V （最小） - TIP29C ， TIP30C 。
集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE （ SAT ）
= 0.7V （最大值） ，在我
C
= 1.0A.
电流增益带宽乘积F
T
= 3.0MHz （最低）在我
C
= 200mA的电流
尺寸
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
1. PIN BASE
2.收集
3.辐射源
4.收集器（箱） 。
L
M
O
最低
14.68
9.78
5.01
13.06
3.57
2.42
1.12
0.72
4.22
1.14
2.20
0.33
2.48
3.70
最大
15.31
10.42
6.52
14.62
4.07
3.66
1.36
0.96
4.98
1.38
2.97
0.55
2.98
3.90
NPN
TIP29A
TIP29C
PNP
TIP30A
TIP30C
1.0安培
其他芯片
功率晶体管
40 - 100伏
30瓦
TO-220
外形尺寸：毫米为
第1页
31/05/05 V1.0
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
TIP29/29A/29B/29C
描述
·采用TO- 220封装
·补键入TIP30 / 30A / 30B / 30C
应用
·对于一般用途的功率放大器使用
和切换应用程序
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（ TC = 25 ）
符号
参数
TIP29
TIP29A
V
CBO
集电极 - 基极电压
TIP29B
TIP29C
TIP29
TIP29A
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
TIP29B
TIP29C
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流脉冲
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
80
100
5
1
3
0.4
30
-65~150
-65~150
V
A
A
A
w
发射极开路
80
100
40
60
V
条件
价值
40
60
V
单位
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
TIP29/29A/29B/29C
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
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