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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第493页 > TIM7785-25UL
微波功率GaAs FET
微波半导体
TIM7785-25UL
技术参数
特点
高功率
P1dB为44.5dBm =在7.7GHz到8.5GHz
高增益
G1dB = 8.5分贝在7.7GHz到8.5GHz
宽带内部匹配FET
密封包装
RF性能规格
特征
在1分贝增益输出功率
压缩点
功率增益1分贝增益
压缩点
漏电流
增益平坦度
功率附加效率
三阶互调
失真
漏电流
通道温度上升
I
DS2
ΔTch
I
DS1
ΔG
G
1dB
符号
P
1dB
（ TA = 25
°
C )
单位
DBM
分钟。
43.5
7.5
-44
典型值。马克斯。
44.5
8.5
6.8
36
-47
5.2
7.6
±0.6
6.0
80
条件
V
DS
= 10
V
IDSset=5.2A
dB
A
dB
%
f
= 7.7 8.5GHz
η
添加
IM
3
双音测试
Po=33.5dBm
（单载波电平）
（ VDS X IDS +引脚 - 的P1dB ）
X的Rth （ C-C ）
dBc的
A
°
C
推荐的栅极电阻（RG） ： RG = 28
Ω
（ MAX 。 ）
电气特性
特征
跨
捏-O FF电压
饱和漏极电流
栅源击穿
电压
热阻
符号
（ TA = 25
°
C )
单位
S
V
A
V
°
C / W
分钟。
-1.0
-5
典型值。
5.0
-2.5
14.4
1.2
马克斯。
-4.0
1.5
条件
V
DS
= 3V
I
DS
= 8.0A
V
DS
=
3V
I
DS
= 80毫安
V
DS
=
3V
V
GS
= 0V
I
GS
= -280
μ
A
渠道情况
gm
V
GSoff
I
DSS
V
GSO
R
TH（ C-C ）
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没有获发牌照以暗示或以其他方式在东芝或他人的任何专利或专利权。
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。这是为此建议联系东芝
以前在进行设备纳入本产品的设计。
2009年五月牧师
TIM7785-25UL
绝对最大额定值
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
总功率耗散（TC = 25
°
C)
通道温度
存储
（ TA = 25
°
C )
符号
V
DS
V
GS
I
DS
P
T
T
ch
T
英镑
单位
V
V
A
W
°
C
°
C
等级
15
-5
20.0
100
175
-65到+175
包装外形（ 2-16G1B ）
以毫米单位
门
来源
漏
注意事项关于封装模式
烙铁应接地和工作时间不应超过10秒
在260℃下。
2
TIM7785-25UL
射频性能
输出功率与频率的关系
47
46
宝（ DBM）
45
44
43
42
7.4
7.6
7.8
8
8.2
频率（GHz ）
8.4
8.6
8.8
VDS = 10V
IDS
6.8A
PIN = 36.0dBm
输出功率与输入功率
46
45
44
43
宝（ DBM）
42
41
40
39
38
37
28
F = 8.1GHz
VDS = 10V
IDS
6.8A
90
Po
80
70
60
50
40
ηadd
30
20
10
0
30
32
34
PIN （ DBM）
36
38
3
ηadd （％）
TIM7785-25UL
功耗对比外壳温度
120
100
80
PT （W）的
60
40
20
0
0
40
80
120
160
200
TC （ ℃ ）
IM3与输出功率特性
-20
VDS = 10V
IDS
6.8A
F = 8.1GHz
Δ
F = 5MHz时
-30
IM3 （ DBC）
-40
-50
-60
28
30
32
34
36
38
宝（DBM ） ，单载波电平
4
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