TPD5E003
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SLVSBQ6A - 2012年12月 - 修订2013年1月
五通道节省空间的ESD保护器件
检查样品：
TPD5E003
1
特点
提供系统级ESD保护
低电压IO接口
IEC 61000-4-2第4级
- 具有±15kV （接触放电）
- 具有±15kV （空气间隙放电）
典型的IO电容7pF的（V
IO
= 2.5V)
直流击穿电压6V （最小值）
低漏电流为100nA （最大值）
低ESD钳位电压
工业级温度范围： -40 ° C至125°C
IEC 61000-4-5 （浪涌） ： 40 W（ 8/20 μs的脉冲）
小，易于路由DPF套餐
应用
SIM卡
侧键
音频接口
存储卡
DPF
1
6
2
5
3
4
为1mm×毫米× 0.4毫米
（ 0.35毫米间距）
描述
该TPD5E003是5信道的ESD保护器件。它提供±15kV的IEC接触，并具有±15kV气隙静电放电
保护。它有5个相同的ESD钳位二极管，可用于对任何5单向（0V至
5V ）， I / O线或4个双向（ -5V至5V ）的I / O线。较低的IO电容适合于范围广泛的
应用程序。典型的应用领域包括音频线（麦克风，耳机和扬声器） ， SD接口，以及
小键盘，或者其他的按钮。
订购信息
T
A
-40_C到125_C
(1)
(2)
5000
包
(1) (2)
磁带和卷轴
订购型号
TPD5E003DPFR
顶部端标记
9Q
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
应用/功能框图
引脚功能
引脚名称
I / O
GND
DPF
1, 3, 4, 5, 6
2
PIN TYPE
I / O
GND
描述
ESD保护通道
地
绝对最大额定值
民
IO电压容差
工作温度范围
储存温度
IEC 61000-4-2接触放电ESD
IEC 61000-4-2气隙静电放电
I
PP
，峰值脉冲电流（ TP = 8 /20μS ）
P
PP
，峰值脉冲功率（ TP = 8 /20μS ）
-40
-55
最大
5.5
125
150
±15
±15
3
40
单位
V
°C
°C
kV
kV
A
W
电气特性
参数
V
RWM
I
泄漏
VCLAMP
相反的立场-O FF电压
漏电流
钳位电压ESD冲击
I
I
= 0.1 A
销1，3， 4，5，或6 = 5V ，引脚2 = 0V
I
PP
= 6A ， TLP ，霉素引脚GND ，T
A
= 25 °C
I
PP
= 10 A， TLP ，霉素引脚GND ，T
A
= 25 °C
I
TLP
= 6A至10A，霉素引脚GND ，T
A
= 25
°C
I
TLP
= 6A至10A， GND为霉素针，T
A
= 25
°C
V
IO
= 2.5V ，为1 MHz ，T
A
= 25 °C
V
IO
= 0V ， 1兆赫，T
A
= 25 °C
I
IO
= 1毫安
5.6
8
6.0
10
13
16.3
0.8
0.3
7
10
7
测试条件
民
典型值
最大
5.0
100
15.6
19.5
1
0.4
8.4
12
8.5
单位
V
nA
V
V
Ω
Ω
pF
pF
V
R
DYN
动态电阻
C
IO
V
BR
IO电容
击穿电压
2
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应用信息
D1
1
D3
6
1
D1
D3
6
D4
2
5
无连接
2
N
5
D2
3
D5
4
3
D2
D4
4
5通道配置
4通道配置
图1.应用框图
该TPD5E003提供了5个相同的单向ESD保护的渠道。要使用所有5个渠道，
推荐的结构示于
图1 。
该TPD5E003也可以用作4个相同的双向
ESD保护通道。要做到这一点，销5将被连接到地，用针1，3 ，4和6连接到
I / O进行保护。在双向配置， IO的电容被减少了一半，并击穿
电压加倍。
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典型特征
20
4.5
4.0
当前
动力
45
40
35
30
25
20
功率（W）的
C002
16
电容（pF）
电流（A ）
3.5
3.0
12
2.5
2.0
8
1.5
1.0
15
10
5
0
±5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
4
0.5
0.0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
C001
时间（s）
V
BIAS
(V)
图2.电容VS直流偏置电压
24
21
当前
动力
450
400
350
图3.浪涌图（ TP = 8 / 20μs的） ，引脚的Dx到GND
30
20
10
电流（A ）
0
18
300
电流（A ）
15
12
9
6
3
0
±5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
C003
250
200
150
100
50
0
功率（W）的
±10
±20
±30
±15
±10
±5
0
5
10
15
20
25
30
35
C004
时间（s）
电压（V）的
图4.浪涌图（ TP = 8 / 20μs的） ，引脚GND到霉素
1.0
0.8
0.6
0.4
振幅（ V）
电流（mA ）
0.2
0.0
70
60
50
40
30
20
10
图5. 30安培TLP剧情
±0.2
±0.4
±0.6
±0.8
±1.0
±2
±1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
C005
0
±10
±15
0
15 30 45 60 75 90 105 120 135 150 165 180
电压（V）的
时间（纳秒）
C006
图6.直流扫描V-I曲线
图7. IEC 61000-4-2钳位电压， + 8kV接触
4
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典型特性（续）
10
0
±10
振幅（ V）
±20
±30
±40
±50
±60
±70
±15
0
15 30 45 60 75 90 105 120 135 150 165 180
时间（纳秒）
C007
图8. IEC 61000-4-2钳位电压， -8kV联系
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