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微波功率GaAs FET

微波半导体

TIM5964-60SL

技术参数

特点

低互调失真

IM3 = -45 dBc的在噘= 36.5dBm

单载波电平

高功率

P1dB为48.0dBm =在5.9GHz到6.4GHz

高增益

G1dB = 8.5分贝在5.9GHz到6.4GHz

宽带内部匹配FET

密封包装

RF性能规格

（ TA = 25

C )

单位

DBM

dBc的

分钟。

47.0

7.5

-42

典型值。马克斯。

48.0

8.5

13.2

-45

15.0

±0.8

11.8

100

特征

符号

条件

在1分贝增益输出功率

1dB

压缩点

功率增益1分贝增益

1dB

=10V

压缩点

F = 5.9 6.4GHz

set=9.5A

漏电流

DS1

增益平坦度

添加

功率附加效率

三阶互调

双音测试

失真

Po=36.5dBm

（单载波电平）

漏电流

DS2

通道温度上升

ΔTch

X我

个R

TH（ C-C ）

推荐的栅极电阻（RG）： 28

（ MAX 。）

电气特性

特征

跨

捏-O FF电压

饱和漏极电流

栅源击穿

电压

热阻

符号

GSoff

DSS

GSO

TH（ C-C ）

（ TA = 25

C )

单位

C / W

分钟。

-1.0

-5

典型值。

-1.8

0.6

马克斯。

-3.0

0.8

条件

= 3V

= 12.0A

= 200毫安

= 0V

= -1.0mA

渠道情况

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没有获发牌照以暗示或以其他方式在东芝或他人的任何专利或专利权。

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以前在进行设备纳入本产品的设计。

修订版2003年8月

TIM5964-60SL

绝对最大额定值

特征

漏源电压

栅源电压

漏电流

总功率耗散（TC = 25

通道温度

储存温度

（ TA = 25

C )

符号

英镑

单位

等级

-5

187

175

-65到+175

包装外形（ 2-16G1B ）

0.7

0.15

–

C1.0

2.5分钟。

以毫米单位

门

来源

漏

20.4

0.3

0.1 -

0.05

24.5最大。

16.4 MAX 。

+0.1

2.5分钟。

2.6

0.3

17.4

0.4

8.0

0.2

最大0.2 。

1.4

0.3

注意事项关于封装模式

烙铁应接地和工作时间不应超过10秒

在260℃下。

2.4

0.3

5.5最大。

TIM5964-60SL

射频性能

输出功率（噘）与频率的关系

的Pout （ dBm的）

VDS=10V

IDS13.2A

Pin=39.5dBm

5.8

5.9

6.0

6.1

6.2

6.3

6.4

6.5

频率（GHz ）

输出功率（噘）与输入功率（PIN）

freq.=6.4GHz

=10V

set9.5A

噘

的Pout （ dBm的）

添加

PIN （ DBM）

增加（％）

TIM5964-60SL

功耗（ PT ）与外壳温度（TC ）

200

PT （W）的

100

120

160

200

TC （

C )

IM3与功率特性

-10

=10V

set9.5A

-20

freq.=6.4GHz

f=5MHz

-30

IM3(dBc)

-40

-50

-60

的Pout （ dBm的） @Single载波电平

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