M
特点
高峰值输出电流 - 1.5A
宽输入电源电压工作范围：
- 4.5V至30V
高容性负载驱动能力：
- 1000 pF的25纳秒
短延迟时间 - <78纳秒典型。
低电源电流：
- 对于逻辑“1”输入 - 2.5毫安
- 对于逻辑“0”输入 - 300 μA
低输出阻抗 - 7
闭锁保护：可承受>300毫安
反向电流
ESD保护 - 4千伏
TC4431/TC4432
概述
在TC4431 / TC4432是30V CMOS缓冲器/驱动器
适合在高边驱动器的应用中使用。他们
不会闭锁在任何条件下其权力范围内
和额定电压。他们能够接受，而不会损坏
或逻辑混乱，高达反向电流300 MA（中
任一极性）被强制返回到输出端。所有
终端完全免受高达4千伏
静电放电。
欠压锁定电路强制输出到
当输入电源电压低于“低”状态
7V 。对于运行在更低的电压，禁用锁定
和启动电路由接地引脚3 （ LOCK DIS ） ;为
所有其他情况下， 3脚应悬空。该
欠压锁定和启动电路提供欠压
出保护在驱动MOSFET时。
1.5A高速30V MOSFET驱动器
应用
小型电机驱动
功率MOSFET驱动器
驾驶双极晶体管
封装类型
8引脚PDIP / SOIC / CERDIP
V
DD
1
8 V
DD
IN 2
7 OUT
TC4431
LOCK DIS 3
6 OUT
GND 4
5 GND
2
7
反相
6
V
DD
1
8 V
DD
IN 2
7 OUT
TC4432
LOCK DIS 3
6 OUT
GND 4
5 GND
2
7
6
非反相
2003 Microchip的技术公司
DS21424C第1页
TC4431/TC4432
1.0
电动
特征
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些
仅仅是极限参数和设备的功能操作
在这些或任何上述的那些其他条件中指示的
规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值？
电源电压................................................ 36V .......
输入电压（注
1)...................
V
DD
+ 0.3V至GND
封装功耗（T
A
≤
70°C)
PDIP ................................................. ........... 730毫瓦
CERDIP ................................................. ...... 800毫瓦
SOIC ................................................. ........... 470毫瓦
最高结温，T
J
................ +150°C
存储温度范围.............. -65 ° C至+ 150°C
DC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，T
A
= + 25 ℃， 4.5V
≤
V
DD
≤
30V.
参数
输入
逻辑“1” ，高输入电压
逻辑“0” ，低输入电压
输入电流
（注1 ）
产量
高输出电压
低输出电压
输出电阻
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
开关时间（注2 ）
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源
电源电流
起动阈值
辍学阈值
注1 ：
2:
3:
I
S
V
S
V
DO
—
—
—
7
2.5
0.3
8.4
7.7
4
0.4
10
—
mA
V
V
注3
V
IN
= 3V
V
IN
= 0V
t
R
t
F
t
D1
t
D2
—
—
—
—
25
33
62
78
40
50
80
90
纳秒
图4-1
纳秒
图4-1
纳秒
图4-1
纳秒
图4-1
V
OH
V
OL
R
O
I
PK
I
转
V
DD
– 1.0
—
—
—
—
—
V
DD
– 0.8
—
7
3.0
1.5
0.3
—
0.025
10
—
—
—
V
V
A
A
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 30V
资料来源： V
DD
= 30V
水槽： V
DD
= 30V
占空比
≤
2%, t
≤
300微秒
I
OUT
= 100毫安
V
IH
V
IL
I
IN
2.4
—
-1
—
—
—
—
0.8
1
V
V
A
0V
≤
V
IN
≤
12V
符号
民
典型值
最大
单位
条件
对于输入>12V ，串联在输入端加一个1 kΩ电阻。请参阅“典型特征”图形输入
电流。
由设计确保开关时间。
对于低于7V操作，引脚3 （ LOCK DIS ）应接地以禁用闭锁和启动
电路，否则，销3
必须
悬空。
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DS21424C第3页
TC4431/TC4432
直流特性（续）
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，在工作温度范围内具有4.5V
≤
V
DD
≤
30V.
参数
输入
逻辑“1” ，高输入电压
逻辑“0” ，低输入电压
输入电流（注
1)
产量
高输出电压
低输出电压
输出电阻
开关时间（注2 ）
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源
电源电流
起动阈值
辍学阈值
注1 ：
2:
3:
I
S
V
S
V
DO
—
—
—
7
—
—
8.4
7.7
6
0.7
10
—
mA
V
V
注3
V
IN
= 3V
V
IN
= 0V
t
R
t
F
t
D1
t
D2
—
—
—
—
—
—
—
—
60
70
100
110
纳秒
图4-1
纳秒
图4-1
纳秒
图4-1
纳秒
图4-1
V
OH
V
OL
R
O
V
DD
– 1.2
—
—
—
—
—
—
0.025
12
V
V
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 30V
I
OUT
= 100毫安
V
IH
V
IL
I
IN
2.4
—
-10
—
—
—
—
0.8
10
V
V
A
0V
≤
V
IN
≤
12V
符号
民
典型值
最大
单位
条件
对于输入>12V ，串联在输入端加一个1 kΩ电阻。请参阅“典型特征”图形输入
电流。
由设计确保开关时间。
对于低于7V操作，引脚3 （ LOCK DIS ）应接地以禁用闭锁和启动税务局局长
扣器，否则，销3
必须
悬空。
温度特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，所有参数适用于4.5V
≤
V
DD
≤
30V.
参数
温度范围
规定温度范围（ C）
规定温度范围（ E）
最高结温
存储温度范围
封装热阻
热阻，8 - SOIC
热阻，8 - PDIP
热阻，8 - CERDIP
θ
JA
θ
JA
θ
JA
—
—
—
155
125
150
—
—
—
摄氏度/ W
摄氏度/ W
摄氏度/ W
T
A
T
A
T
J
T
A
0
-40
—
-65
—
—
—
—
+70
+85
+150
+150
C
C
C
C
符号
民
典型值
最大
单位
条件
DS21424C第4页
2003 Microchip的技术公司
TC4431/TC4432
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明，T
A
= + 25 ℃， 4.5V
≤
V
DD
≤
30V.
60
VDD = 12V
50
40
30
900千赫
20
10
0
100
200千赫
20千赫
1000
C
负载
（PF ）
10,000
600千赫
2兆赫
125
100
75
50
25
0
3
6
9
12
15 18
V
DD
(V)
21
24
27
30
t
上升
t
秋天
150
C
负载
= 1000 pF的
T
A
= +25
°
C
I
供应
（MA ）
时间（纳秒）
图2-1：
容性负载。
50
45
电源电流与
图2-3：
上升/下降时间与V
DD
.
300
250
tD1
200
150
tD2
C
负载
= 1000 pF的
T
A
= +25
°
C
输入电流（mA ）
40
35
30
25
20
15
10
5
0
3
6
9
12 15 18 21 24
输入电压（V
IN
)
27
30
与1K的RES 。
无1K的RES 。
时间（纳秒）
100
50
0
3
6
9
12
15 18
V
DD
(V)
21
24
27
30
图2-2：
电压。
输入电流与输入
图2-4：
t
D1
和T
D2
DELAY与V
DD
.
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