TIC246系列
硅双向可控硅
版权所有 2000年，创新动力有限公司， UK
1971年12月 - 修订2000年6月
G
G
G
G
G
G
大电流双向可控硅
16 A RMS
玻璃钝化硅片
400 V到800 V断态电压
125的峰值电流
我最大
GT
为50 mA （象限1 - 3 ）
销2与安装底座的电接触。
MDC2ACA
的TO-220封装
（ TOP VIEW ）
MT1
MT2
G
1
2
3
在工作情况下的绝对最大额定值（除非另有说明）
等级
TIC246D
重复峰值断态电压（见注1 ）
TIC246M
TIC246S
TIC246N
全周期RMS通态电流（或低于） 70 ℃的外壳温度（见注2 ）
峰值通态浪涌电流全正弦波在（或低于） 25 ℃的外壳温度（见注3 ）
栅极峰值电流
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度1.6毫米案件从10秒
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
GM
T
C
T
英镑
T
L
V
DRM
符号
价值
400
600
700
800
16
125
±1
-40到+110
-40到+125
230
A
A
A
°C
°C
°C
V
单位
注： 1.这些值适用于双向门和主终端1之间的电阻为任意值。
2.该值适用于50赫兹，电阻性负载全正弦波操作。超过70 °C减免线性至110 ° C的温度在
为400毫安/ ℃的速率。
3.该值适用于一个50赫兹的全正弦波当设备在运行（或低于）峰值反向电压的额定值
和通态电流。浪涌可以重复元件后返回到原来的热平衡。
在25℃的情况下温度的电特性（除非另有说明）
参数
I
DRM
重复峰值
FF-态电流
门极触发
当前
V
D
=额定V
DRM
V
供应
= +12 V
I
GT
V
供应
= +12 V
V
供应
= -12 V
V
供应
= -12 V
V
供应
= +12 V
V
GT
门极触发
电压
通态电压
保持电流
V
供应
= +12 V
V
供应
= -12 V
V
供应
= -12 V
V
T
I
H
I
TM
= ±22.5 A
V
供应
= +12 V
V
供应
= -12 V
测试条件
I
G
= 0
R
L
= 10
R
L
= 10
R
L
= 10
R
L
= 10
R
L
= 10
R
L
= 10
R
L
= 10
R
L
= 10
I
G
= 50毫安
I
G
= 0
I
G
= 0
T
C
= 110°C
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
（见注4 ）
初始化“我
TM
= 100毫安
初始化“我
TM
= -100毫安
12
-19
-16
34
0.8
-0.8
-0.8
0.9
±1.4
22
-12
2
-2
-2
2
±1.7
40
-40
V
mA
V
民
典型值
最大
±2
50
-50
-50
mA
单位
mA
所有的电压都是相对于主终端1 。
注4 ：该参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
=
≤
1毫秒，占空比
≤
2％。电压检测触点分开
载流触点位于内从装置主体3.2毫米。
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
1
TIC246系列
硅双向可控硅
1971年12月 - 修订2000年6月
在25℃的情况下温度的电特性（除非另有说明） （续）
参数
I
L
dv / dt的
dv / dt的
(c)
的di / dt
闭锁电流
的临界上升率
断态电压
关键崛起
整流电压
的临界上升率
在通态电流
V
供应
= +12 V
V
供应
= -12 V
V
D
=额定V
D
V
D
=额定V
D
的di / dt = 0.5我
T（ RMS ）
/女士
V
D
=额定V
D
di
G
/ DT = 50毫安/微秒
I
GT
= 50毫安
测试条件
（见注5 ）
I
G
= 0
T
C
= 110°C
T
C
= 80°C
I
T
= 1.4 I
T（ RMS ）
T
C
= 110°C
±1.2
±400
±9
±100
民
典型值
最大
80
-80
单位
mA
V / μs的
V / μs的
A / μs的
所有的电压都是相对于主终端1 。
注5：三端双向可控硅通过由具有以下特征的发电机供给的15 -V（开路幅度）脉冲触发：
R
G
= 100
,
t
P（ G）
= 20
s,
t
r
=
≤
15纳秒， F = 1千赫。
热特性
参数
R
θ
JC
R
θ
JA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
1.9
62.5
单位
° C / W
° C / W
典型特征
门极触发电流
vs
外壳温度
1000
TC08AA
门极触发电压
vs
外壳温度
10
TC08AB
I
GT
- 栅极触发电流 - 毫安
100
10
V
GT
- 栅极触发电压 - V
1
1
V
供应
I
GTM
+
+
+
-
-
-
-
+
-40
-20
0
20
40
60
V
AA
= ± 12 V
R
L
= 10
t
P（ G）
= 20 s
80
100
120
V
供应
I
GTM
+
+
+
-
-
-
-
+
}
V
AA
= ± 12 V
R
L
= 10
t
P（ G）
= 20 s
0
20
40
60
80
100
120
0·1
-60
0·1
-60
-40
-20
T
C
- 外壳温度 - C
图1 。
T
C
- 外壳温度 - C
图2中。
产品
信息
2
TIC246系列
硅双向可控硅
1971年12月 - 修订2000年6月
机械数据
TO-220
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时，清洗或处理。
TO-220
4,70
4,20
3,96
3,71
10,4
10,0
2,95
2,54
6,6
6,0
15,32
14,55
1,32
1,23
18,0 TYP 。
6,1
5,6
0,97
0,66
1
2
3
1,47
1,07
14,1
12,7
2,74
2,34
5,28
4,68
2,90
2,40
0,64
0,41
以毫米为单位所有长度
记
答：中心销是与安装选项卡中的电接触。
产品
信息
4
TIC246系列
硅双向可控硅
1971年12月 - 修订2000年6月
重要通知
创新动力有限公司（ PI）保留随时更改其产品或终止任何权
半导体产品的通知或不通知的服务，并建议客户验证，在下订单之前，该
信息被依靠的电流。
其半导体产品的PI保证产品性能在销售的时候规格
按照PI的标准保修。测试和其它质量控制技术的利用程度PI
认为有必要支持这项保证。每个器件的所有参数的具体测试不一定
除非政府强制要求执行。
PI接受的应用协助，客户的产品设计，软件性能或侵犯任何责任
专利或服务的描述。也不是任何许可证，明示或暗示，任何专利授
权，版权，设计权，或PI覆盖其他知识产权或与之有关的任何组合，
机，或方法，其中，这种半导体产品或服务可能使用或正在使用。
PI半导体公司的产品不是设计，意，授权或保证TO BE
适合于在生命支持应用程序，设备或系统。
版权所有2000 ，创新电源有限公司
产品
信息
5
半导体
TIC246B ， TIC246C ， TIC246D ， TIC246E ， TIC246M ， TIC246N ，
TIC246S
硅双向晶闸管
大电流双向可控硅
16 A RMS
70 A峰值
玻璃钝化硅片
200 V到800 V断态电压
我最大
GT
为50 mA （象限1-3）
125的峰值电流
符合RoHS指令
描述
这个设备是一个双向晶闸管（可控硅），其可以从关闭状态触发
在导通状态由门控信号的任一极性与主终端2在任一极性。
绝对最大额定值
价值
B
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
GM
T
C
T
英镑
T
L
重复峰值断态电压
（见注1）
全周期RMS通态电流
（或低于） 70℃的情况下的温度
（见注2 ）
峰值通态浪涌电流
全正弦波（见注3 ）
栅极峰值电流
工作温度范围
存储温度范围
铅温度1.6毫米
情况下，10秒
200
符号
评级
C
300
单位
M
S
N
V
A
A
A
°C
°C
°C
D
400
E
500 600 700 800
16
125
±1
-40到+110
-40到+125
230
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
评级
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
半导体COMSET
价值
≤
1.9
≤
62.5
单位
° C / W
1|3
30/10/2012
半导体
TIC246B ， TIC246C ， TIC246D ， TIC246E ， TIC246M ， TIC246N ，
TIC246S
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
I
DRM
评级
测试条件（S ）
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
±1.2
典型值
-
12
-19
-16
34
0.8
-0.8
-0.8
0.9
22
-22
-
-
±1.4
±400
±100
±9
最大
±2
50
-50
-50
-
2
-2
-2
2
40
单位
mA
I
GT
V
GT
I
H
I
L
V
TM
dv / dt的
的di / dt
dv / dt的
重复峰值V
D
=额定V
DRM
, , I
G
= 0
断态电流T
C
= 110°C
V
供应
= + 12V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= + 12V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
门极触发
当前
V
供应
= -12 V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= -12 V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= + 12V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= + 12V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
门极触发
电压
V
供应
= -12 V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= -12 V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= + 12V ，我
G
= 0
保持电流开始我
TM
= 100毫安
V
供应
= -12 V ，我
G
= 0
开始我
TM
= -100毫安
V
供应
= + 12V （ seeNote5 ）
锁定
当前
V
供应
= -12 V （ seeNote5 ）
峰值通态
I
TM
= ± 22.5 A，I
G
= 50 MA（见注4 ）
电压
临界速度
V
DRM
=额定V
DRM
, I
G
= 0
对关闭状态上升
T
C
= 110°C
电压
临界速度
V
DRM
=额定V
DRM
, I
GT
= 50毫安
对关闭状态上升
di
G
/ DT = 50毫安/微秒，T
C
= 110°C
当前
关键崛起
V
DRM
=额定V
DRM
, I
T
= 1.4 I
T（ RMS ）
通讯
的di / dt = 0.5我
T（ RMS ）
/ MS ，T
C
= 80°C
电压
mA
V
mA
-40
80
-80
±1.7
-
-
-
mA
V
V / μs的
A / μs的
V / μs的
所有的电压都是白衣对于主终端1 。
注意事项：
1.
2.
3.
4.
5.
这些值适用于双向门和主终端1之间的电阻为任意值。
此值适用于带阻性负载50赫兹全正弦波操作。超过70 °C减免线性地
110 ℃的外壳温度为400毫安/速率℃。
该值适用于一个50赫兹的全正弦波时，器件工作在（或以下）的额定
峰值反向电压和通态电流值。浪涌可以重复该装置具有后
返回到原来的热平衡。
该参数必须使用脉冲技术进行测量，T
W
=
≤1ms,
占空比
≤
2％ ，电压 -
传感
接触，分离了courrent承载触点位于内3.2毫米（1/8英寸）的
从德装置主体。
该三端双向可控硅是由与发电机提供的15 -V （开路幅度）脉冲触发
以下特征：v
G
= 100, t
P（ G）
= 20微秒，T
r
=
≤
为15ns ， F = 1千赫。
30/10/2012
半导体COMSET
2|3
半导体
TIC246B ， TIC246C ， TIC246D ， TIC246E ， TIC246M ， TIC246N ，
TIC246S
机械数据案例TO- 220
引脚1 ：
引脚2 ：
3脚：
主终端1
主终端2
门
修订后的2012年9月
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组件生命支持设备或系统。
www.comsetsemi.com
30/10/2012
半导体COMSET
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3|3
QQ：2880707522 复制
