TC4426/TC4427/TC4428
1.5A双高速功率MOSFET驱动器
产品特点：
高峰值输出电流 - 1.5A
宽输入电源电压工作范围：
- 4.5V至18V
高容性负载驱动能力 - 1000 pF的
在25纳秒（典型值）。
短延迟时间 - 40 ns（典型值）。
匹配的上升和下降时间
低电源电流：
- 对于逻辑“1”输入 - 4毫安
- 对于逻辑“0”输入 - 400
μA
低输出阻抗 - 7
闭锁保护：可承受0.5A的反向
当前
输入端可承受的负输入至5V
ESD保护 - 4千伏
与TC426 / TC427 / TC428引脚兼容
节省空间的8引脚MSOP和8引脚6x5 DFN
套餐
概述：
在TC4426 / TC4427 / TC4428是改良版
早前TC426 / TC427 / TC428系列MOSFET的
驱动程序。在TC4426 / TC4427 / TC4428器件
当充电和匹配的上升和下降时间
放电MOSFET的栅极。
这些设备是高度闭锁性在任何
在其功率和电压的条件。他们
不受到损坏时，最多噪声的5V spik-
荷兰国际集团（任一极性）发生在接地引脚。他们
可以接受，不会损坏或逻辑混乱，达
500mA的反向电流（无论极性）是
被迫返回到输出端。所有的终端都完全
防止静电放电（ ESD ）高达
4千伏。
可以在TC4426 / TC4427 / TC4428 MOSFET驱动器
易充/放电1000pF的栅极电容
在30纳秒。这些器件提供足够低的
同时在开启和关闭状态的阻抗，以确保
MOSFET的预期状态也不会受到影响，甚至
大的瞬变。
其它兼容的驱动程序是TC4426A / TC4427A /
TC4428A系列器件。该TC4426A / TC4427A /
TC4428A器件匹配的领先和下降
边的输入至输出的延迟时间，除了
在TC4426 / TC4427匹配的上升和下降时间/
TC4428器件。
应用范围：
开关电源
线路驱动器
脉冲变压器驱动
封装类型
8引脚MSOP /
PDIP / SOIC TC4426 TC4427 TC4428
NC
IN A
GND
IN B
1
8
NC
2
TC4426
7
OUT A
3
TC4427
6
V
DD
4
TC4428
5
OUT B
8引脚DFN
(1)
NC
1
8
TC4426 TC4427 TC4428
NC
OUT A
V
DD
OUT B
NC
OUT A
V
DD
OUT B
NC
OUT A
V
DD
OUT B
NC
OUT A
V
DD
OUT B
NC
OUT A
V
DD
OUT B
IN A
2
GND
3
TC4426
TC4427
TC4428
7
6
5
IN B
4
注1 ：
DFN封装的裸露焊盘是电气绝缘的。
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TC4426/TC4427/TC4428
功能框图
反相
1.5毫安
300毫伏
产量
V
DD
输入
有效
输入C = 12 pF的
（每个输入）
GND
4.7V
非反相
TC4426/TC4427/TC4428
注1 ：
TC4426具有两个反相驱动器，而TC4427有两个非反相
驱动程序。该TC4428有一个反相和一个非反相驱动器。
2:
地面未使用的驱动器输入。
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1.0
电动
特征
引脚功能表
名字
NC
IN A
GND
IN B
OUT B
V
DD
OUT A
NC
输入A
地
输入B
OUTPUT B
电源输入
OUTPUT A
无连接
功能
无连接
绝对最大额定值
电源电压................................................ ..... + 22V
输入电压，单位为A或B中的
..................................... (V
DD
+ 0.3V ）至（ GND - 5V ）
封装功耗（T
A
≤
70°C)
DFN ................................................. .............
注3
MSOP ................................................. ......... 340毫瓦
PDIP ................................................. ........... 730毫瓦
SOIC ................................................. ........... 470毫瓦
存储温度范围.............. -65 ° C至+ 150°C
最高结温...................... + 150°C
注意，超出上述绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这些
仅仅是极限参数和设备的功能操作
在这些或任何上述的那些其他条件中指示的
规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
DC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，T
A
= + 25 ℃， 4.5V
≤
V
DD
≤
18V.
参数
输入
逻辑“1” ，高输入电压
逻辑“0” ，低输入电压
输入电流
产量
高输出电压
低输出电压
输出电阻
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
开关时间（注1 ）
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源
电源电流
注1 ：
2:
3:
I
S
—
—
—
—
4.5
0.4
mA
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
t
R
t
F
t
D1
t
D2
—
—
—
—
19
19
20
40
30
30
30
50
ns
ns
ns
ns
图4-1
图4-1
图4-1
图4-1
V
OH
V
OL
R
O
I
PK
I
转
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
—
—
7
1.5
> 0.5
—
0.025
10
—
—
V
V
Ω
A
A
直流测试
直流测试
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
V
DD
= 18V
占空比
≤
2%, t
≤
300
μs
V
DD
= 18V
V
IH
V
IL
I
IN
2.4
—
-1.0
—
—
—
—
0.8
+1.0
V
V
μA
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
注2
符号
民
典型值
最大
单位
条件
开关时间由设计保证。
对于V温度范围内的设备，在V
IH
（最小值）限为2.0V 。
包装功耗依赖于PCB上的铜层的面积。
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TC4426/TC4427/TC4428
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明，T
A
= + 25 ℃， 4.5V
≤
V
DD
≤
18V.
100
100
2200 pF的
80
2200 pF的
80
1500 pF的
TFALL （纳秒）
1500 pF的
60
TRISE （纳秒）
60
1000 pF的
40
1000 pF的
40
470 pF的
20
20
470 pF的
100 pF的
100 pF的
0
0
4
6
8
10
12
VDD
(V)
14
16
18
4
6
8
10
12
Vdd的（V）的
14
16
18
图2-1：
电压。
100
上升时间与供应
图2-4：
电压。
100
下降时间与供应
5V
5V
80
80
10V
15V
40
TFALL （纳秒）
TRISE （纳秒）
60
60
10V
15V
40
20
20
0
100
1000
CLOAD （PF ）
10,000
0
100
1000
CLOAD （PF ）
10,000
图2-2：
负载。
60
上升时间与电容
图2-5：
负载。
80
75
70
65
60
55
50
45
40
35
30
25
20
4
6
8
下降时间 - 容性
传播延迟（纳秒）
C加载= 1000 pF的
C
负载
= 1000 pF的
V
IN
= 5V
50
时间（纳秒）
VDD = 17.5V
40
t
D2
30
TFALL
20
素养
t
D1
10
–55 –35 –15
10
12
14
16
18
5
25 45 65
温度（℃）
85
105 125
V
DD
(V)
图2-3：
温度。
上升和下降时间与
图2-6：
电源电压。
传输延迟时间 -
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