半导体
TIC226A ， TIC226B ， TIC226C ， TIC226D ， TIC226E ， TIC226M ，
TIC226N ， TIC226S
硅双向晶闸管
8均方根
70 A峰值
玻璃钝化硅片
100 V到800 V断态电压
我最大
GT
为50 mA （象限1-3）
高温，高电流和高电压应用
符合RoHS指令
描述
这个设备是一个双向晶闸管（可控硅），其可以从关闭状态触发
在导通状态由门控信号的任一极性与主终端2在任一极性。
绝对最大额定值
价值
A
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
TSM
I
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
C
T
英镑
T
L
符号
评级
B
C
单位
M
S
N
V
A
A
A
A
W
W
°C
°C
°C
D
E
重复峰值断态电压
100 200 300 400 500 600 700 800
（见注1）
全周期RMS通态电流（或
8
如下图） 70 ℃的外壳温度（见注2 ）
峰值通态浪涌电流全正弦波
70
（见注3 ）
峰值通态浪涌电流正弦半波
8
（见注4 ）
栅极峰值电流
±1
栅极峰值功率耗散（或低于）
85°C的外壳温度（脉冲宽度
≤200
2.2
s)
在门的平均功耗（或
0.9
如下图） 85°C的情况下（见注5）
工作温度范围
-40到+110
存储温度范围
-40到+125
焊接温度1.6毫米从案例10
230
秒
第1页3
半导体
TIC226A ， TIC226B ， TIC226C ， TIC226D ， TIC226E ， TIC226M ，
TIC226N ， TIC226S
注意事项：
1.
2.
3.
4.
5.
这些值适用于双向地对电阻的栅极与主终端之间的任意值
1.
此值适用于带阻性负载50赫兹全正弦波操作。高于85 °C减免
线性为320毫安/速率℃， 110 ℃的外壳温度。
该值适用于一个50赫兹的全正弦波时，器件工作在（或以下）的额定
通态电流的值。电涌可能会重复后，设备又恢复到原来的热
平衡状态。在激增，门控可能会丢失。
该值适用于一个50赫兹的半正弦波，当器件工作在（或以下）的额定
通态电流的值。电涌可能会重复后，设备又恢复到原来的热
平衡状态。在激增，门控可能会丢失。
该值适用于20ms的最大平均时间。
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
评级
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
价值
≤
1.8
≤
62.5
单位
° C / W
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
I
DRM
评级
场外重复峰值
目前状态
门极触发电流
测试条件（S ）
V
D
=额定V
DRM
, , I
G
= 0,
T
C
= 110°C
V
供应
= + 12V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= + 12V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= -12 V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= -12 V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= + 12V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= + 12V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= -12 V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= -12 V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= + 12V ，我
G
= 0,
开始我
TM
= 100毫安
V
供应
= -12 V ，我
G
= 0,
开始我
TM
= -100毫安
最小值典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
±5
-
2
-12
-9
20
0.7
-0.8
-0.8
0.9
5
-9
-
-
±1.6
±100
-
MX单位
±2
50
-50
-50
-
2
-2
-2
2
30
mA
-30
50
-50
±2.1
-
V / μs的
-
mA
V
mA
I
GT
mA
V
GT
门极触发电压
V
I
H
保持电流
I
L
V
TM
dv / dt的
dv / dt的
闭锁电流
峰值通态电压
的临界上升率
断态电压
关键崛起
交流电压
V
供应
= + 12V （ seeNote7 ）
V
供应
= -12 V （ seeNote7 ）
I
TM
= ± 12 A，I
G
= 50 MA（见注6 ）
V
DRM
=额定V
DRM
, I
G
= 0
T
C
= 110°C
V
DRM
=额定V
DRM
, I
TRM
= ± 12A
T
C
= 85°C
所有的电压都是白衣对于主终端1 。
分页： 1 2 3
半导体
TIC226A ， TIC226B ， TIC226C ， TIC226D ， TIC226E ， TIC226M ，
TIC226N ， TIC226S
注6 ：此参数必须使用脉冲技术进行测量，T
W
=
≤1ms,
占空比
≤
2％ ，电压传感
接触，分离了courrent承载触点位于内从德装置主体3.2毫米（1/8英寸） 。
注7 ：本端双向可控硅开关是通过与发电机提供的15 -V （开路幅度）脉冲触发
以下特征：v
G
= 100,
TP （G ）
= 20微秒，T
r
=
≤
为15ns ， F = 1千赫。
机械数据案例TO- 220
引脚1 ：
引脚2 ：
3脚：
主终端1
主终端2
门
第3页3
半导体
TIC246B ， TIC246C ， TIC246D ， TIC246E ， TIC246M ， TIC246N ，
TIC246S
硅双向晶闸管
大电流双向可控硅
16 A RMS
70 A峰值
玻璃钝化硅片
200 V到800 V断态电压
我最大
GT
为50 mA （象限1-3）
125的峰值电流
符合RoHS指令
描述
这个设备是一个双向晶闸管（可控硅），其可以从关闭状态触发
在导通状态由门控信号的任一极性与主终端2在任一极性。
绝对最大额定值
价值
B
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
GM
T
C
T
英镑
T
L
注意事项：
1.
2.
3.
这些值适用于双向地对电阻的栅极与主终端之间的任意值
1.
此值适用于带阻性负载50赫兹全正弦波操作。高于70 °C减免
线性到400毫安/速率℃， 110 ℃的外壳温度。
该值适用于一个50赫兹的全正弦波时，器件工作在（或以下）的额定
峰值反向电压和通态电流值。浪涌可以重复该装置具有后
返回到原来的热平衡。
第1页3
重复峰值断态电压
（见注1）
全周期RMS通态电流（或
如下图） 70 ℃的外壳温度（见注2 ）
峰值通态浪涌电流全正弦波
（见注3 ）
栅极峰值电流
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度1.6毫米从案例10
秒
200
符号
评级
C
300
单位
M
600
D
400
E
500
16
125
S
700
N
800
V
A
A
A
°C
°C
°C
±1
-40到+110
-40到+125
230
半导体
TIC246B ， TIC246C ， TIC246D ， TIC246E ， TIC246M ， TIC246N ，
TIC246S
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
评级
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
价值
≤
1.9
≤
62.5
单位
° C / W
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
I
DRM
评级
场外重复峰值
目前状态
门极触发电流
测试条件（S ）
V
D
=额定V
DRM
, , I
G
= 0,
T
C
= 110°C
V
供应
= + 12V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= + 12V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= -12 V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= -12 V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= + 12V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= + 12V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= -12 V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= -12 V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= + 12V ，我
G
= 0,
开始我
TM
= 100毫安
V
供应
= -12 V ，我
G
= 0,
开始我
TM
= -100毫安
最小值典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
±1.2
-
12
-19
-16
34
0.8
-0.8
-0.8
0.9
22
-22
-
-
±1.4
±400
±100
±9
MX单位
±2
50
-50
-50
-
2
-2
-2
2
40
mA
-40
80
-80
±1.7
-
-
-
mA
V
V / μs的
A / μs的
V / μs的
mA
I
GT
mA
V
GT
门极触发电压
V
I
H
保持电流
I
L
V
TM
dv / dt的
的di / dt
dv / dt的
闭锁电流
峰值通态电压
的临界上升率
断态电压
的临界上升率
FF-态电流
关键崛起
交流电压
V
供应
= + 12V （ seeNote5 ）
V
供应
= -12 V （ seeNote5 ）
I
TM
= ± 22.5 A，I
G
= 50 MA（见注4 ）
V
DRM
=额定V
DRM
, I
G
= 0
T
C
= 110°C
V
DRM
=额定V
DRM
, I
GT
= 50毫安，
di
G
/ DT = 50毫安/微秒，T
C
= 110°C
V
DRM
=额定V
DRM
, I
T
= 1.4
I
T（ RMS ）
的di / dt = 0.5
I
T（ RMS ）
/ MS ，T
C
= 80°C
所有的电压都是白衣对于主终端1 。
注4：该参数必须采用脉冲技术来测量，叔
W
=
≤1ms,
占空比
≤
2％ ，电压传感
接触，分离了courrent承载触点位于内从德装置主体3.2毫米（1/8英寸） 。
注5：三端双向可控硅是由与发电机提供的15 -V （开路幅度）脉冲触发
以下特征：v
G
= 100,
TP （G ）
= 20微秒，T
r
=
≤
为15ns ， F = 1千赫。
分页： 1 2 3
半导体
TIC246B ， TIC246C ， TIC246D ， TIC246E ， TIC246M ， TIC246N ，
TIC246S
机械数据案例TO- 220
引脚1 ：
引脚2 ：
3脚：
主终端1
主终端2
门
第3页3
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
半导体
TIC226A ， TIC226B ， TIC226C ， TIC226D ， TIC226E ， TIC226M ，
TIC226N ， TIC226S
硅双向晶闸管
8均方根
70 A峰值
玻璃钝化硅片
100 V到800 V断态电压
我最大
GT
为50 mA （象限1-3）
高温，高电流和高电压应用
符合RoHS指令
描述
这个设备是一个双向晶闸管（可控硅），其可以从关闭状态被触发成导通
国家通过门控信号的任一极性与主终端2在任一极性。
绝对最大额定值
价值
A
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
TSM
I
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
C
T
英镑
T
L
重复峰值断态电压
（见注1）
全周期RMS通态电流
（或低于） 70℃的情况下的温度
（见注2 ）
峰值通态浪涌电流
全正弦波（见注3 ）
峰值通态浪涌电流
半正弦波（见注4 ）
栅极峰值电流
在栅极峰值功耗
（或低于） 85 ℃的情况下，温度
（脉冲宽度
≤200
s)
在门的平均功耗
（或低于） 85 ℃的情况下（见注5）
工作温度范围
存储温度范围
从案例铅温度1.6毫米
10秒
符号
评级
B
C
单位
M
S
N
V
A
A
A
A
W
W
°C
°C
°C
D
E
100 200 300 400 500 600 700 800
8
70
8
±1
2.2
0.9
-40到+110
-40到+125
230
30/10/2012
半导体COMSET
1|4
半导体
TIC226A ， TIC226B ， TIC226C ， TIC226D ， TIC226E ， TIC226M ，
TIC226N ， TIC226S
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
评级
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
价值
≤
1.8
≤
62.5
单位
° C / W
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
I
DRM
评级
重复峰值
FF-态电流
门极触发
当前
测试条件（S ）
V
D
=额定V
DRM
, , I
G
= 0
T
C
= 110°C
V
供应
= + 12V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= + 12V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= -12 V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= -12 V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= + 12V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= + 12V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= -12 V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= -12 V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= + 12V ，我
G
= 0
开始我
TM
= 100毫安
V
供应
= -12 V ，我
G
= 0
开始我
TM
= -100毫安
V
供应
= + 12V （ seeNote7 ）
V
供应
= -12 V （ seeNote7 ）
I
TM
= ± 12 A，I
G
= 50 MA（见注6 ）
V
DRM
=额定V
DRM
, I
G
= 0
T
C
= 110°C
V
DRM
=额定V
DRM
, I
TRM
= ± 12A
T
C
= 85°C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
±5
典型值
-
2
-12
-9
20
0.7
-0.8
-0.8
0.9
5
-9
-
-
±1.6
±100
-
最大
±2
50
-50
-50
-
2
-2
-2
2
30
单位
mA
I
GT
mA
V
GT
门极触发
电压
V
I
H
保持电流
mA
-30
50
-50
±2.1
-
V / μs的
-
mA
V
I
L
V
TM
dv / dt的
dv / dt的
闭锁电流
峰值通态
电压
临界速度
对关闭状态上升
电压
关键崛起
通讯
电压
所有的电压都是白衣对于主终端1 。
30/10/2012
半导体COMSET
2|4
半导体
TIC226A ， TIC226B ， TIC226C ， TIC226D ， TIC226E ， TIC226M ，
TIC226N ， TIC226S
注意事项：
1.这些值适用于双向地对电阻的栅极和主之间的任意值
1号航站楼。
2.该值适用于50赫兹，电阻性负载全正弦波操作。上述85°C
降额直线到110℃情况下，温度在320毫安/速率℃。
3.该值适用于一个50赫兹的全正弦波当设备在运行（或低于）
通态电流的额定值。浪涌可以重复该设备已返回后
到原来的热平衡。在激增，门控可能会丢失。
4.该值适用于一个50赫兹的半正弦波，当装置在运行（或低于）
通态电流的额定值。浪涌可以重复该设备已返回后
到原来的热平衡。在激增，门控可能会丢失。
5.该值适用于20ms的最大平均时间。
6.此参数必须使用脉冲技术进行测量，T
W
=
≤1ms,
占空比
≤
2 %,
电压传感
接触，分离了courrent承载触点位于
内从德装置主体3.2毫米（1/8英寸） 。
7.可控硅通过由发电机供给的15 -V（开路幅度）脉冲触发
具有以下特征：v
G
= 100, t
P（ G）
= 20微秒，T
r
=
≤
为15ns ， F = 1千赫。
机械数据案例TO- 220
30/10/2012
半导体COMSET
3|4
半导体
TIC226A ， TIC226B ， TIC226C ， TIC226D ， TIC226E ， TIC226M ，
TIC226N ， TIC226S
钉扎
引脚1 ：
引脚2 ：
3脚：
Kathode
阳极
门
修订后的2012年9月
提供的资料被认为是准确和可靠。然而，半导体COMSET承担的后果不承担任何责任
利用这些信息，也没有对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利。资料如有变更，
恕不另行通知。 COMSET半导体公司对于其产品适用于任何特定的任何保证，声明或担保
目的，也不COMSET半导体承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何
和所有责任，包括但不限于间接或附带损失。 COMSET半导体的产品不授权使用的
在生命支持设备或系统中的关键组件。
www.comsetsemi.com
30/10/2012
半导体COMSET
info@comsetsemi.com
4|4
QQ：2881677436 复制
