订购数量： ENN7088
TF218
N沟道硅结型场效应管
TF218
电容话筒的应用
特点
包装尺寸
单位：mm
2201
[TF218]
1.4
0.2
3
1.2
0.8
0.2
2
0.45
0.07
1
0.07
超小型封装有利于小型化到底
产品。
特别适合于音频，电话电容器使用
麦克风。
优良的电压特性。
出色的瞬态特性。
采用FBET过程。
0.25
0.2
（底视图）
0.1
3
0.46
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
栅极 - 漏极电压
栅电流
漏电流
允许功耗
结温
储存温度
符号
VGDO
IG
ID
PD
Tj
TSTG
条件
1 ：排水
2 ：源
3 ：门
1
2
（ TOP VIEW ）
三洋： VSFP
单位
--20
10
1
100
150
--55到150
V
mA
mA
mW
°C
°C
评级
电气特性
在TA = 25℃
参数
栅极 - 漏极耐压
截止电压
零栅极电压漏极电流
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
符号
V（ BR ） GDO
VGS （关闭）
IDSS
YFS
西塞
CRSS
IG=--100A
VDS = 5V ， ID = 1μA
VDS = 5V ， VGS = 0
VDS = 5V ， VGS = 0 ， F = 1kHz时
VDS = 5V ， VGS = 0 ， F = 1MHz的
VDS = 5V ， VGS = 0 ， F = 1MHz的
条件
评级
民
--20
-
-0.2
140*
0.5
1.0
3.5
0.65
--0.6
--1.0
350*
典型值
最大
单位
V
V
A
mS
pF
pF
接下页。
*：本TF218分类由IDSS如下：（单位：
A)
记号
IDSS
A4
140 240
A5
210 350
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
N3001 TS IM TA- 3366 No.7088-1 / 4
TF218
从接下页。
参数
符号
条件
评级
民
典型值
--3.0
--1.2
25
1000
1.2
--110
--3.5
--1.0
最大
单位
[大= 25°C， VCC = 4.5V ， RL = 1kΩ的， Cin的= 15pF的，请参阅指定的测试电路。 ]
电压增益
降低电压特性
频率特性
输入阻抗
输出阻抗
总谐波失真
输出噪声电压
GV
G
VV
ΔGvf
寻
ZO
THD
VNO
VIN = 10mV的， F = 1kHz时
VIN = 10mV的中，f = 1kHz时， VCC = 4.5 → 1.5V
F = 1kHz至110Hz
f=1kHz
f=1kHz
VIN = 30mV的， F = 1kHz时
VIN = 0 ，曲线
dB
dB
dB
M
%
dB
测试电路
电压增益
频率特性
失真
降低电压特性
1k
VCC=4.5V
VCC=1.5V
15pF
33F
+
VTVM V
OSC
THD
B一
1k
输出阻抗
500
450
400
ID - VDS
500
450
400
ID - VDS
漏极电流ID -
A
350
300
250
200
150
100
50
0
0
1
2
3
4
5
6
漏极电流ID -
A
350
300
250
200
VGS=0
VGS=0
--0.1V
--0.1V
150
100
50
0
0
1
2
3
--0.2V
--0.3V
--0.4V
7
8
--0.2V
--0.3V
--0.4V
4
--0.5V
9
10
IT02310
--0.5V
5
IT03015
漏极至源极电压VDS - V
500
450
400
ID - VGS
漏极至源极电压VDS - V
400
360
320
ID - VGS
VDS=5V
VDS=5V
漏极电流ID -
A
350
300
250
200
150
100
50
0
--0.7
--0.6
--0.5
--0.4
--0.3
--0.2
--0.1
0
漏极电流ID -
A
280
240
200
160
120
80
40
0
--1.0
--0.9
--0.8
--0.7
--0.6
--0.5
--0.4
--0.3
--2
5
°
--0.2
--0.1
0
15
A
Ta
=
0
25
75
C
°
C
I
=
S
DS
A
25
0
35
°
C
A
--0
栅极 - 源极电压VGS - V
IT02312
栅极 - 源极电压VGS - V
IT02313
No.7088-2/4
TF218
2.5
THD - IDSS
THD ： VCC = 4.5V
VIN=30mV
f=1MHz
IDSS ： VDS = 5.0V
32
ZIN - IDSS
子曰： VCC = 4.5V
VIN=10mV
f=1kHz
IDSS ： VDS = 5.0V
总谐波失真THD - ％
输入阻抗， ZIN - MΩ
2.0
31
30
1.5
29
1.0
28
0.5
27
0
0
100
26
漏极电流IDSS -
A
200
300
400
500
IT02322
--111
0
100
960
ZO - IDSS
漏极电流IDSS -
A
200
300
400
500
IT02323
VNO - IDSS
950
输出噪声电压， VNO - 分贝
输出阻抗， ZO -
ZO ： VCC = 4.5V
VIN=10mV
f=1kHz
IDSS ： VDS = 5.0V
--112
--113
--114
--115
--116
--117
--118
--119
VNO ： VCC = 4.5V
的VIN = 0时， ACurve
RL=1.0k
IDSS ： VDS = 5.0V
940
930
920
910
900
0
100
--120
漏极电流IDSS -
A
200
300
400
500
IT02324
0
100
漏极电流IDSS -
A
200
300
400
500
IT02325
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能，
特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证
的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个独立的装置来评估，
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障可能
事故或事件，危及人的生命，这可能导致冒烟或起火引起，
或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品（包括技术参数和服务）的事件或描述
此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制，
这样的产品不能鞋子箱包的出口泰德不受当局获得的鞋子箱包的出口吨执照
有关在按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，
或以其他方式，而不三洋电机有限公司的事先书面许可，
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"
为SANYO产品，你打算使用。
本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不是
为保证批量生产。 SANYO的任何信息都是准确可靠，但
无担保就其使用或知识产权侵犯任何提出或暗示的
第三方或其他权利。
该目录规定的Nobember的， 2001年规范和信息此处如有
更改，恕不另行通知。
PS No.7088-4 / 4
订购数量： ENN7088
TF218
N沟道硅结型场效应管
TF218
电容话筒的应用
特点
包装尺寸
单位：mm
2201
[TF218]
1.4
0.2
3
1.2
0.8
0.2
2
0.45
0.07
1
0.07
超小型封装有利于小型化到底
产品。
特别适合于音频，电话电容器使用
麦克风。
优良的电压特性。
出色的瞬态特性。
采用FBET过程。
0.25
0.2
（底视图）
0.1
3
0.46
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
栅极 - 漏极电压
栅电流
漏电流
允许功耗
结温
储存温度
符号
VGDO
IG
ID
PD
Tj
TSTG
条件
1 ：排水
2 ：源
3 ：门
1
2
（ TOP VIEW ）
三洋： VSFP
单位
--20
10
1
100
150
--55到150
V
mA
mA
mW
°C
°C
评级
电气特性
在TA = 25℃
参数
栅极 - 漏极耐压
截止电压
零栅极电压漏极电流
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
符号
V（ BR ） GDO
VGS （关闭）
IDSS
YFS
西塞
CRSS
IG=--100A
VDS = 5V ， ID = 1μA
VDS = 5V ， VGS = 0
VDS = 5V ， VGS = 0 ， F = 1kHz时
VDS = 5V ， VGS = 0 ， F = 1MHz的
VDS = 5V ， VGS = 0 ， F = 1MHz的
条件
评级
民
--20
-
-0.2
140*
0.5
1.0
3.5
0.65
--0.6
--1.0
350*
典型值
最大
单位
V
V
A
mS
pF
pF
接下页。
*：本TF218分类由IDSS如下：（单位：
A)
记号
IDSS
A4
140 240
A5
210 350
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
N3001 TS IM TA- 3366 No.7088-1 / 4
TF218
从接下页。
参数
符号
条件
评级
民
典型值
--3.0
--1.2
25
1000
1.2
--110
--3.5
--1.0
最大
单位
[大= 25°C， VCC = 4.5V ， RL = 1kΩ的， Cin的= 15pF的，请参阅指定的测试电路。 ]
电压增益
降低电压特性
频率特性
输入阻抗
输出阻抗
总谐波失真
输出噪声电压
GV
G
VV
ΔGvf
寻
ZO
THD
VNO
VIN = 10mV的， F = 1kHz时
VIN = 10mV的中，f = 1kHz时， VCC = 4.5 → 1.5V
F = 1kHz至110Hz
f=1kHz
f=1kHz
VIN = 30mV的， F = 1kHz时
VIN = 0 ，曲线
dB
dB
dB
M
%
dB
测试电路
电压增益
频率特性
失真
降低电压特性
1k
VCC=4.5V
VCC=1.5V
15pF
33F
+
VTVM V
OSC
THD
B一
1k
输出阻抗
500
450
400
ID - VDS
500
450
400
ID - VDS
漏极电流ID -
A
350
300
250
200
150
100
50
0
0
1
2
3
4
5
6
漏极电流ID -
A
350
300
250
200
VGS=0
VGS=0
--0.1V
--0.1V
150
100
50
0
0
1
2
3
--0.2V
--0.3V
--0.4V
7
8
--0.2V
--0.3V
--0.4V
4
--0.5V
9
10
IT02310
--0.5V
5
IT03015
漏极至源极电压VDS - V
500
450
400
ID - VGS
漏极至源极电压VDS - V
400
360
320
ID - VGS
VDS=5V
VDS=5V
漏极电流ID -
A
350
300
250
200
150
100
50
0
--0.7
--0.6
--0.5
--0.4
--0.3
--0.2
--0.1
0
漏极电流ID -
A
280
240
200
160
120
80
40
0
--1.0
--0.9
--0.8
--0.7
--0.6
--0.5
--0.4
--0.3
--2
5
°
--0.2
--0.1
0
15
A
Ta
=
0
25
75
C
°
C
I
=
S
DS
A
25
0
35
°
C
A
--0
栅极 - 源极电压VGS - V
IT02312
栅极 - 源极电压VGS - V
IT02313
No.7088-2/4
TF218
2.5
THD - IDSS
THD ： VCC = 4.5V
VIN=30mV
f=1MHz
IDSS ： VDS = 5.0V
32
ZIN - IDSS
子曰： VCC = 4.5V
VIN=10mV
f=1kHz
IDSS ： VDS = 5.0V
总谐波失真THD - ％
输入阻抗， ZIN - MΩ
2.0
31
30
1.5
29
1.0
28
0.5
27
0
0
100
26
漏极电流IDSS -
A
200
300
400
500
IT02322
--111
0
100
960
ZO - IDSS
漏极电流IDSS -
A
200
300
400
500
IT02323
VNO - IDSS
950
输出噪声电压， VNO - 分贝
输出阻抗， ZO -
ZO ： VCC = 4.5V
VIN=10mV
f=1kHz
IDSS ： VDS = 5.0V
--112
--113
--114
--115
--116
--117
--118
--119
VNO ： VCC = 4.5V
的VIN = 0时， ACurve
RL=1.0k
IDSS ： VDS = 5.0V
940
930
920
910
900
0
100
--120
漏极电流IDSS -
A
200
300
400
500
IT02324
0
100
漏极电流IDSS -
A
200
300
400
500
IT02325
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能，
特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证
的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个独立的装置来评估，
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障可能
事故或事件，危及人的生命，这可能导致冒烟或起火引起，
或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品（包括技术参数和服务）的事件或描述
此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制，
这样的产品不能鞋子箱包的出口泰德不受当局获得的鞋子箱包的出口吨执照
有关在按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，
或以其他方式，而不三洋电机有限公司的事先书面许可，
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"
为SANYO产品，你打算使用。
本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不是
为保证批量生产。 SANYO的任何信息都是准确可靠，但
无担保就其使用或知识产权侵犯任何提出或暗示的
第三方或其他权利。
该目录规定的Nobember的， 2001年规范和信息此处如有
更改，恕不另行通知。
PS No.7088-4 / 4
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
TF218
初步
JFET
N沟道结型场效应
场效应晶体管
描述
在UTC
TF218
是N沟道结型场效应
晶体管，并且可以专门在电子冷凝器用
麦克风特别。
特点
*良好的电压特性和瞬态特性。
*无卤
订购信息
订购数量
TF218G-x-AC3-R
TF218G-x-AN3-R
包
SOT-113
SOT-523
引脚分配
1
2
3
S
D
G
S
D
G
填料
带盘
带盘
记号
TF218-H4
TF218-H5
www.unisonic.com.tw
2009 Unisonic技术有限公司
1第3
QW-R206-093.b
TF218
初步
JFET
绝对最大额定值
(T
a
= 25° С ，除非另有规定）
参数
符号
评级
单位
栅漏电压
V
GDO
-20
V
栅电流
I
G
10
mA
漏电流
I
D
1
mA
功耗
P
D
100
mW
结温
T
J
150
°С
储存温度
T
英镑
-55~+150
°С
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气特性
(T
a
= 25° С ，除非另有规定）
参数
G- 击穿电压
门关闭电压
漏电流
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
电压增益
降低电压特性
频率特性
输入阻抗
输出电阻
总谐波失真
输出噪声电压
符号
BV
GDO
V
GS （ OFF ）
I
DSS
| YFS |
西塞
CRSS
G
V
△G
VV
△G
Vf
Z
IN
Z
O
THD
V
NO
测试条件
I
G
=-100uA
V
DS
= 5.0V ，我
D
=1uA
V
DS
=5.0V, V
GS
=0
V
DS
=2.0V, V
GS
= 0中，f = 1KHz的
V
DS
=5.0V, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
V
DS
=5.0V, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
V
IN
= 10mV的， F = 1KHz的
V
IN
= 10mV的中，f = 1kHz的V
CC
=4.5 1.5V
f=1KHz~110Hz
f=1KHz
f=1KHz
V
IN
= 30mV的， F = 1KHz的
V
IN
= 0 ，曲线
民
-20
-0.2
140
0.65
典型最大单位
V
-0.6 -1.0
V
350
μA
1.0
ms
3.5
pF
0.65
pF
-3.0
dB
-1.2 -3.5
dB
-1.0
dB
M
1000
1.2
%
-110分贝
25
分类我
DSS
秩
范围
H4
140-240
H5
210-350
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 3
QW-R206-093.b
TF218
测试电路
(Ta=25°С)
初步
JFET
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
3 3
QW-R206-093.b
QQ：2880707522 复制
