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TIC225系列
硅双向可控硅
版权所有 1997年，创新动力有限公司， UK
1975年7月 - 修订1997年3月
q
q
q
q
q
敏感的双向可控硅门
8有效值， 70 A峰值
玻璃钝化硅片
400 V到800 V断态电压
我最大
GT
为5mA （象限1 ）
MT1
MT2
G
1
2
3
的TO-220封装
（ TOP VIEW ）
销2与安装底座的电接触。
MDC2ACA
绝对最大额定值
在工作情况下（除非另有说明）
等级
TIC225D
重复峰值断态电压（见注1 ）
TIC225M
TIC225S
TIC225N
全周期RMS通态电流（或低于） 70 ℃的外壳温度（见注2 ）
峰值通态浪涌电流全正弦波（见注3 ）
峰值通态浪涌电流正弦半波（见注4 ）
栅极峰值电流
栅极峰值功率耗散（或低于） 85 ℃的情况下（脉冲宽度
≤
200
s)
平均门功耗在（或低于） 85°C的外壳温度（见注5 ）
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度1.6毫米案件从10秒
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
TSM
I
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
C
T
英镑
T
L
V
DRM
符号
价值
400
600
700
800
8
70
80
±1
2.2
0.9
-40到+110
-40到+125
230
A
A
A
A
W
W
°C
°C
°C
V
单位
注： 1.这些值适用于双向门和主终端1之间的电阻为任意值。
2.该值适用于50赫兹，电阻性负载全正弦波操作。超过70 °C减免线性至110 ° C的温度在
为200毫安/ ℃的速率。
3.该值适用于一个50赫兹的全正弦波时，器件工作在开态电流（或以下）的测定值。
浪涌可以重复元件后返回到原来的热平衡。在激增，门控可能会丢失。
4.该值适用于一个50赫兹的半正弦波，当器件工作在开态电流（或以下）的测定值。
浪涌可以重复元件后返回到原来的热平衡。在激增，门控可能会丢失。
5.该值适用于20ms的最大平均时间。
在25℃的情况下温度的电特性（除非另有说明）
参数
I
DRM
重复峰值
FF-态电流
峰值栅极触发
当前
V
D
=额定V
DRM
V
供应
= +12 V
I
GTM
V
供应
= +12 V
V
供应
= -12 V
V
供应
= -12 V
V
供应
= +12 V
V
GTM
峰值栅极触发
电压
V
供应
= +12 V
V
供应
= -12 V
V
供应
= -12 V
所有的电压都是相对于主终端1 。
测试条件
I
G
= 0
R
L
= 10
R
L
= 10
R
L
= 10
R
L
= 10
R
L
= 10
R
L
= 10
R
L
= 10
R
L
= 10
T
C
= 110°C
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
0.8
-4.5
-3.5
11.7
0.7
-0.7
-0.8
0.9
民
典型值
最大
±2
5
-20
-10
30
2
-2
-2
2
V
mA
单位
mA
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
1
TIC225系列
硅双向可控硅
1975年7月 - 修订1997年3月
在25℃的情况下温度的电特性（除非另有说明） （续）
参数
V
TM
I
H
I
L
dv / dt的
dv / dt的
(c)
峰值通态电压
保持电流
闭锁电流
的临界上升率
断态电压
关键崛起
整流电压
I
TM
= ±12 A
V
供应
= +12 V
V
供应
= -12 V
V
供应
= +12 V
V
供应
= -12 V
V
DRM
=额定V
DRM
V
DRM
=额定V
DRM
测试条件
I
G
= 50毫安
I
G
= 0
I
G
= 0
（见注7 ）
I
G
= 0
I
TRM
= ±12 A
T
C
= 110°C
T
C
= 70°C
±1
±50
±1.5
±4.5
（见注6 ）
初始化“我
TM
= 100毫安
初始化“我
TM
= -100毫安
民
典型值
±1.6
3
-4.7
最大
±2.1
20
-20
30
-30
单位
V
mA
mA
V / μs的
V / μs的
所有的电压都是相对于主终端1 。
注： 6。该参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
=
≤
1毫秒，占空比
≤
2％。电压检测触点分开
载流触点位于内从装置主体3.2毫米。
7.可控硅通过由具有以下特征的发电机供给的15 -V（开路幅度）脉冲触发：
R
G
= 100
,
t
P（ G）
= 20
s,
t
r
=
≤
15纳秒， F = 1千赫
热特性
参数
R
θ
JC
R
θ
JA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
2.5
62.5
单位
° C / W
° C / W
典型特征
门极触发电流
vs
外壳温度
1000
V
供应
I
GTM
I
GT
- 栅极触发电流 - 毫安
+
+
-
-
+
-
-
+
TC07AA
门极触发电压
vs
外壳温度
10
V
供应
I
GTM
V
GT
- 栅极触发电压 - V
+
+
-
-
+
-
-
+
TC07AB
V
AA
= ± 12 V
R
L
= 10
t
P（ G）
= 20 s
V
AA
= ± 12 V
R
L
= 10
t
P（ G）
= 20 s
}
100
10
1
1
0·1
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
0·1
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
T
C
- 外壳温度 - C
T
C
- 外壳温度 - C
图1 。
图2中。
产品
信息
2
TIC225系列
硅双向可控硅
1975年7月 - 修订1997年3月
典型特征
保持电流
vs
外壳温度
100
V
供应
V
GF
- 门正向电压 - V
I
H
- 保持电流 - 毫安
+
-
10
TC07AD
门正向电压
vs
门正向电流
10
TC07AC
1
1
V
AA
= ± 12 V
I
G
= 0
开始我
TM
= 100毫安
0·1
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
0·1
I
A
= 0
T
C
= 25 °C
1象限
0·01
0·0001
0·001
0·01
0·1
1
T
C
- 外壳温度 - C
I
GF
- 门正向电流 - 一个
网络连接gure 3 。
闭锁电流
vs
外壳温度
100
V
供应
I
GTM
I
L
- 擎住电流 - 毫安
+
+
-
-
+
-
-
+
V
AA
= ± 12 V
TC07AE
图4中。
浪涌通态电流
vs
电流持续时间周期
100
I
TSM
- 山顶全正弦波电流 - 一个
TI07AA
T
C
≤
70°C
10
10
事先没有传导设备
门控制保证
1
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
1
1
10
100
1k
连续50赫兹正弦半波周期
T
C
- 外壳温度 - C
图5中。
图6 。
产品
信息
3
TIC225系列
硅双向可控硅
1975年7月 - 修订1997年3月
典型特征
最大RMS通态电流
vs
外壳温度
10
I
T（ RMS ）
- 最大通态电流 - 一个
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度 - C
TI07AB
图7 。
参数测量信息
V
AC
V
AC
L1
I
TRM
I
MT2
C1
50赫兹
I
MT2
V
MT2
DUT
R
G
R1
I
G
SEE
注一
V
MT2
dv / dt的
63%
I
G
注一：门电流脉冲是由一个触发电路，而根本脉冲之间的开路布置。该脉冲定时
以使关断状态电压的持续时间约为800微秒。
10%
V
DRM
网络连接gure 8 。
PMC2AA
产品
信息
4
TIC225系列
硅双向可控硅
1975年7月 - 修订1997年3月
机械数据
TO-220
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时，清洗或处理。
TO220
4,70
4,20
3,96
3,71
10,4
10,0
2,95
2,54
6,6
6,0
15,90
14,55
1,32
1,23
见注释B
另请注意：C
6,1
3,5
0,97
0,61
1
2
3
1,70
1,07
14,1
12,7
2,74
2,34
5,28
4,88
2,90
2,40
0,64
0,41
第1版
第2版
以毫米为单位所有长度
注：A。该中心引脚与安装标签的电接触。
B.根据包的版本安装标签角落的个人资料。
据包版本C.典型固定孔中心站开高。
第1版18.0毫米。版本2 17.6毫米。
MDXXBE
产品
信息
5
半导体
TIC225A ， TIC225B ， TIC225C ， TIC225D ， TIC225E ， TIC225M ，
TIC225N ， TIC225S
硅双向晶闸管
敏感的双向可控硅门
8均方根
70 A峰值
玻璃钝化硅片
100 V到800 V断态电压
我最大
GT
为50 mA （象限1 ）
符合RoHS指令
描述
这个设备是一个双向晶闸管（可控硅），其可以从关闭状态触发
在导通状态由门控信号的任一极性与主终端2在任一极性。
绝对最大额定值
价值
A
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
TSM
I
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
C
T
英镑
T
L
符号
评级
B
C
单位
M
S
N
V
A
A
A
A
W
W
°C
°C
°C
D
E
重复峰值断态电压
100 200 300 400 500 600 700 800
（见注1）
全周期RMS通态电流（或
8
如下图） 70 ℃的外壳温度（见注2 ）
峰值通态浪涌电流全正弦波
70
（见注3 ）
峰值通态浪涌电流正弦半波
8
（见注4 ）
栅极峰值电流
±1
栅极峰值功率耗散（或低于）
85°C的外壳温度（脉冲宽度
≤200
2.2
s)
在门的平均功耗（或
0.9
如下图） 85°C的情况下（见注5）
工作温度范围
-40到+110
存储温度范围
-40到+125
焊接温度1.6毫米从案例10
230
秒
第1页3
半导体
TIC225A ， TIC225B ， TIC225C ， TIC225D ， TIC225E ， TIC225M ，
TIC225N ， TIC225S
注意事项：
1.
2.
3.
4.
5.
这些值适用于双向地对电阻的栅极与主终端之间的任意值
1.
此值适用于带阻性负载50赫兹全正弦波操作。高于70 °C减免
线性地以200mA /速率℃， 110℃的情况下的温度。
该值适用于一个50赫兹的全正弦波时，器件工作在（或以下）的额定
通态电流的值。电涌可能会重复后，设备又恢复到原来的热
平衡状态。在激增，门控可能会丢失。
该值适用于一个50赫兹的半正弦波，当器件工作在（或以下）的额定
通态电流的值。电涌可能会重复后，设备又恢复到原来的热
平衡状态。在激增，门控可能会丢失。
该值适用于20ms的最大平均时间。
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
评级
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
价值
≤
2.5
≤
62.5
单位
° C / W
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
I
DRM
评级
场外重复峰值
目前状态
门极触发电流
测试条件（S ）
V
D
=额定V
DRM
, , I
G
= 0,
T
C
= 110°C
V
供应
= + 12V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= + 12V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= -12 V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= -12 V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= + 12V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= + 12V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= -12 V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= -12 V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= + 12V ，我
G
= 0,
开始我
TM
= 100毫安
V
供应
= -12 V ，我
G
= 0,
开始我
TM
= -100毫安
最小值典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
±1
-
0.8
-4.5
-3.5
11.7
0.7
-0.8
-0.8
0.9
3
-4.7
-
-
±1.6
±50
±1.5
MX单位
±2
5
-20
-10
30
2
-2
-2
2
20
mA
-20
30
-30
±2.1
-
V / μs的
±4.5
mA
V
mA
I
GT
mA
V
GT
门极触发电压
V
I
H
保持电流
I
L
V
TM
dv / dt的
dv / dt的
闭锁电流
峰值通态电压
的临界上升率
断态电压
关键崛起
交流电压
V
供应
= + 12V （ seeNote7 ）
V
供应
= -12 V （ seeNote7 ）
I
TM
= ± 12 A，I
G
= 50 MA（见注6 ）
V
DRM
=额定V
DRM
, I
G
= 0
T
C
= 110°C
V
DRM
=额定V
DRM
, I
TRM
= ± 12A
T
C
= 70°C
所有的电压都是白衣对于主终端1 。
分页： 1 2 3
半导体
TIC225A ， TIC225B ， TIC225C ， TIC225D ， TIC225E ， TIC225M ，
TIC225N ， TIC225S
注6 ：此参数必须使用脉冲技术进行测量，T
W
=
≤1ms,
占空比
≤
2％ ，电压传感
接触，分离了courrent承载触点位于内从德装置主体3.2毫米（1/8英寸） 。
注7 ：本端双向可控硅开关是通过与发电机提供的15 -V （开路幅度）脉冲触发
以下特征：v
G
= 100,
TP （G ）
= 20微秒，T
r
=
≤
为15ns ， F = 1千赫。
机械数据案例TO- 220
引脚1 ：
引脚2 ：
3脚：
主终端1
主终端2
门
第3页3
半导体
TIC225A ， TIC225B ， TIC225C ， TIC225D ， TIC225E ， TIC225M ，
TIC225N ， TIC225S
硅双向晶闸管
敏感的双向可控硅门
8均方根
70 A峰值
玻璃钝化硅片
100 V到800 V断态电压
我最大
GT
为50 mA （象限1 ）
符合RoHS指令
描述
这个设备是一个双向晶闸管（可控硅），其可以从关闭状态触发
在导通状态由门控信号的任一极性与主终端2在任一极性。
绝对最大额定值
价值
A
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
TSM
I
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
C
T
英镑
T
L
重复峰值断态电压
（见注1）
全周期RMS通态电流
（或低于） 70℃的情况下的温度
（见注2 ）
峰值通态浪涌电流
全正弦波（见注3 ）
峰值通态浪涌电流
半正弦波（见注4 ）
栅极峰值电流
在栅极峰值功耗
（或低于） 85 ℃的情况下，温度
（脉冲宽度
≤200
s)
在门的平均功耗
（或低于） 85 ℃的情况下（见注5）
工作温度范围
存储温度范围
铅温度1.6毫米
情况下，10秒
符号
评级
B
C
单位
M
S
N
V
A
A
A
A
W
W
°C
°C
°C
D
E
100 200 300 400 500 600 700 800
8
70
8
±1
2.2
0.9
-40到+110
-40到+125
230
30/10/2012
半导体COMSET
1|4
半导体
TIC225A ， TIC225B ， TIC225C ， TIC225D ， TIC225E ， TIC225M ，
TIC225N ， TIC225S
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
评级
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
价值
≤
2.5
≤
62.5
单位
° C / W
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
I
DRM
评级
重复峰值
FF-态电流
门极触发
当前
测试条件（S ）
V
D
=额定V
DRM
, , I
G
= 0
T
C
= 110°C
V
供应
= + 12V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= + 12V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= -12 V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= -12 V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= + 12V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= + 12V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= -12 V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= -12 V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= + 12V ，我
G
= 0
开始我
TM
= 100毫安
V
供应
= -12 V ，我
G
= 0
开始我
TM
= -100毫安
V
供应
= + 12V （ seeNote7 ）
V
供应
= -12 V （ seeNote7 ）
I
TM
= ± 12 A，I
G
= 50 MA（见注6 ）
V
DRM
=额定V
DRM
, I
G
= 0
T
C
= 110°C
V
DRM
=额定V
DRM
, I
TRM
= ± 12A
T
C
= 70°C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
±1
典型值
-
0.8
-4.5
-3.5
11.7
0.7
-0.8
-0.8
0.9
3
-4.7
-
-
±1.6
±50
±1.5
最大
±2
5
-20
-10
30
2
-2
-2
2
20
单位
mA
I
GT
mA
V
GT
门极触发
电压
V
I
H
保持电流
mA
-20
30
-30
±2.1
-
V / μs的
±4.5
mA
V
I
L
V
TM
dv / dt的
dv / dt的
闭锁电流
峰值通态
电压
临界速度
对关闭状态上升
电压
关键崛起
通讯
电压
所有的电压都是白衣对于主终端1 。
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半导体
TIC225A ， TIC225B ， TIC225C ， TIC225D ， TIC225E ， TIC225M ，
TIC225N ， TIC225S
注意事项：
1.这些值适用于双向地对电阻的栅极和主之间的任意值
1号航站楼。
2.该值适用于50赫兹，电阻性负载全正弦波操作。 70°C以上
降额直线到110℃情况下，温度在200毫安/速率℃。
3.该值适用于一个50赫兹的全正弦波当设备在运行（或低于）
通态电流的额定值。浪涌可以重复该设备已返回后
到原来的热平衡。在激增，门控可能会丢失。
4.该值适用于一个50赫兹的半正弦波，当装置在运行（或低于）
通态电流的额定值。浪涌可以重复该设备已返回后
到原来的热平衡。在激增，门控可能会丢失。
5.该值适用于20ms的最大平均时间。
6.此参数必须使用脉冲技术进行测量，T
W
=
≤1ms,
占空比
≤
2 %,
电压传感
接触，分离了courrent承载触点位于
内从德装置主体3.2毫米（1/8英寸） 。
7.可控硅通过由发电机供给的15 -V（开路幅度）脉冲触发
具有以下特征：v
G
= 100, t
P（ G）
= 20微秒，T
r
=
≤
为15ns ， F = 1千赫。
机械数据案例TO- 220
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钉扎
引脚1 ：
引脚2 ：
3脚：
Kathode
阳极
门
修订后的2012年9月
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和所有责任，包括但不限于间接或附带损失。 COMSET半导体的产品不授权使用的
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