先期产品信息
2005年9月19日
DC - 12 GHz的分立功率pHEMT制
TGF2021-04
主要特点及性能
频率范围： DC - 12 GHz的
> 36 dBm的额定PSAT
59 ％最大PAE
11分贝额定功率增益
适用于高可靠性的应用
采用4mm x 0.35米功率pHEMT制
额定偏置VD = 8-12V ， IDQ = 300-500mA
(U
Lander（国家） RF驱动器，编号从300毫安到960毫安上升）
芯片尺寸： 0.57 X 1.30 X 0.10毫米
（ 0.022 X 0.051 X 0.004英寸）
产品说明
TriQuint的TGF2021-04是离散4毫米
pHEMT制其工作在DC - 12 GHz的。
该TGF2021-04使用设计
TriQuint的证明标准的0.35微米功率
pHEMT的生产过程。
该TGF2021-04通常提供
> 36 dBm的饱和输出功率与
11 dB的功率增益。最大功率
附加效率为59 ％，这使得
TGF2021-04适合于高效率
应用程序。
该TGF2021-04也非常适合
点至点无线电，高可靠性的空间，
和军事应用。
该TGF2021-04具有保护表面
钝化层提供环境
鲁棒性。
无铅并符合RoHS标准
主要应用
35
30
点至点收音机
高可靠性的空间
军事
基站
宽带无线应用
最大增益（dB ）
25
20
15
10
5
0
0
2
4
味精
MAG
6
8
10
12
14
16
频率（GHz ）
注：此设备是在之前敲定所有电气规格的表征过程的早期阶段。规格如有
更改，恕不另行通知。
TriQuint半导体公司德州：电话(972)994-8465传真(972)994-8504电子邮件： Info-mmw@tqs.com网站： www.triquint.com
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表一
最大额定值
符号
V
+
V
-
I
+
| I
G
|
P
IN
P
D
T
CH
T
M
T
英镑
1/
2/
3/
TGF2021-04
价值
12.5 V
-5V至0V
1.8 A
28毫安
31 dBm的
见注3
150
°C
320
°C
-65到150
°C
2/
2/ 3/
4/
2/
参数1 /
正电源电压
负电源电压范围
正电源电流
门电源电流
输入连续波功率
功耗
工作通道温度
安装温度（ 30秒）
储存温度
笔记
2/
这些评级代表了该设备的最大可操作的价值。
电源电压，电源电流，输入功率和输出功率应的组合
不超过P
D
.
为1E + 6小时的中值寿命，功耗限制为：
P
D
（最大值）=（ 150
°C
- TBASE
°C)
/ 21.7 （ ° C / W）
结工作温度将直接影响到设备中位无故障时间
(T
M
） 。为了获得最大的寿命，所以建议的结温保持
在尽可能低的水平。
4/
表二
DC传感器特性
(T
A
= 25
QC ，
标称）
符号
IDSS
Gm
V
P
V
BGS
V
BGD
参数
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
击穿电压
栅极 - 源
击穿电压
栅极 - 漏极
最低
-
-
-1.5
-30
-30
典型
1200
1500
-1
-
-
最大
-
-
-0.5
-14
-14
单位
mA
mS
V
V
V
注意：对于TriQuint公司的0.35微米功率pHEMT器件，射频击穿>>直流击穿
2
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表三
射频表征表
1/
(T
A
= 25
°C,
标称）
符号
动力调谐：
PSAT
PAE
收益
RP 2 /
CP 2 /
Γ
L
3/, 4/
效率的关注：
PSAT
PAE
收益
RP 2 /
CP 2 /
Γ
L
3/, 4/
饱和输出功率
功率附加效率
功率增益
并联电阻
并联电容
负载反射系数
36.8
50
11
6.65
1.855
0.847
∠
172.6
37.5
48
11
7.99
1.907
TGF2021-04
VD = 12V
IDQ = 300毫安
单位
参数
VD = 10V
IDQ = 300毫安
DBM
%
dB
pF
-
0.847
∠
170.8
饱和输出功率
功率附加效率
功率增益
并联电阻
并联电容
负载反射系数
36
59
11.5
12.25
2.154
0.879
∠
167.6
36.7
55
11
13.90
2.021
0.885
∠
166.3
DBM
%
dB
pF
-
在此表中的1 /值是从1毫米单位的pHEMT细胞采取在10GHz的测量标
2 /大信号等效pHEMT的输出网络
在10GHz 3 /最佳负载阻抗为最大功率或最大的PAE
4该设备的反射系数计算了从规模较大的信号卢比&的Cp 。
串联电阻和电感（ Rd和Ld）在第4页的图中所示被排除
表四
热信息
测试条件
参数
VD = 12 V
（通道运营商的背面） IDQ = 300毫安
PDISS = 3.6 W
T
CH
(
o
C)
148
T
JC
（ QC / W）
21.7
T
M
（小时）
1.2 E+6
θ
JC
热阻
注：假设共晶附加使用1.5万80/20金锡安装到20万粗磨嘉莉
在70℃下底板温度。
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线性模型1毫米单位pHEMT制电池
RDG
Lg
门
CGS
RGS
R
i
+
RDS
gm
v
i
CDS
Rg
CDG
Rd
Ld
漏
TGF2021-04
v
i
-
V ？ V ?? - 答°角@ HUpryy
SRSR ?? R 14 prQyh ？
Ls
RP中，Cp
Rs
来源
门
来源
来源
漏
UPC
来源
UPC = 1毫米单位pHEMT制电池
模型
参数
Rg
Rs
Rd
gm
CGS
Ri
CDS
RDS
CGD
头
Ls
Lg
Ld
RGS
RGD
VD = 8V
IDQ = 75毫安
0.45
0.14
0.41
0.310
2.39
1.22
0.20
149.1
0.115
6.29
0.009
0.089
0.120
33000
349000
VD = 8V
IDQ = 100毫安
0.45
0.14
0.43
0.318
2.58
1.19
0.201
152.3
0.107
6.63
0.009
0.089
0.120
33000
425000
VD = 8V
IDQ = 125毫安
0.45
0.14
0.46
0.314
2.70
1.20
0.201
158.8
0.101
6.99
0.009
0.089
0.120
35100
405000
VD = 10V
IDQ = 75毫安
0.45
0.17
0.41
0.296
2.61
1.24
0.198
171.8
0.101
7.19
0.009
0.089
0.120
28900
305000
VD = 10V
IDQ = 100毫安
0.450
0.160
0.450
0.303
2.74
1.23
0.199
173.7
0.098
7.410
0.010
0.089
0.120
35700
366000
VD = 12V
IDQ = 75毫安
0.45
0.19
0.410
0.286
2.72
1.27
0.196
187.9
0.096
7.79
0.010
0.089
0.120
24400
238000
单位
S
pF
pF
pF
pS
nH
nH
nH
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TGF2021-04
线性模型为4MM pHEMT制
L - 通过= 0.0135 NH（ 5次）
4
UPC
5
栅极垫（ 4×）
3
UPC
排水垫（4次）
6
2
UPC
7
1
UPC
8
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