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TIC201系列
硅双向可控硅
版权所有 1997年,创新动力有限公司, UK
1977年1月 - 修订1997年3月
q
q
q
q
q
敏感的双向可控硅门
2.5 A RMS
玻璃钝化硅片
400 V到800 V断态电压
我最大
GT
为5mA (象限1 )
MT1
MT2
G
1
2
3
的TO-220封装
( TOP VIEW )
销2与安装底座的电接触。
MDC2ACA
绝对最大额定值
在工作情况下(除非另有说明)
等级
TIC201D
重复峰值断态电压(见注1 )
TIC201M
TIC201S
TIC201N
全周期RMS通态电流(或低于) 85°C的外壳温度(见注2 )
峰值通态浪涌电流全正弦波(见注3 )
峰值通态浪涌电流正弦半波(见注4 )
栅极峰值电流
栅极峰值功率耗散(或低于) 85 ℃的情况下(脉冲宽度
200
s)
平均门功耗在(或低于) 85°C的外壳温度(见注5 )
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度1.6毫米案件从10秒
I
T( RMS )
I
TSM
I
TSM
I
GM
P
GM
P
G( AV )
T
C
T
英镑
T
L
V
DRM
符号
价值
400
600
700
800
2.5
12
14
±0.2
1.3
0.3
-40到+110
-40到+125
230
A
A
A
A
W
W
°C
°C
°C
V
单位
注: 1.这些值适用于双向门和主终端1之间的电阻为任意值。
2.该值适用于50赫兹,电阻性负载全正弦波操作。超过85 °C减免线性至110 ° C的温度在
为100毫安/ ℃的速率。
3.该值适用于一个50赫兹的全正弦波时,器件工作在开态电流(或以下)的测定值。
浪涌可以重复元件后返回到原来的热平衡。在激增,门控可能会丢失。
4.该值适用于一个50赫兹的半正弦波,当器件工作在开态电流(或以下)的测定值。
浪涌可以重复元件后返回到原来的热平衡。在激增,门控可能会丢失。
5.该值适用于20ms的最大平均时间。
在25℃的情况下温度的电特性(除非另有说明)
参数
I
DRM
重复峰值
FF-态电流
峰值栅极触发
当前
V
D
=额定V
DRM
V
供应
= +12 V
I
GTM
V
供应
= +12 V
V
供应
= -12 V
V
供应
= -12 V
V
供应
= +12 V
V
GTM
峰值栅极触发
电压
V
供应
= +12 V
V
供应
= -12 V
V
供应
= -12 V
所有的电压都是相对于主终端1 。
测试条件
I
G
= 0
R
L
= 10
R
L
= 10
R
L
= 10
R
L
= 10
R
L
= 10
R
L
= 10
R
L
= 10
R
L
= 10
T
C
= 110°C
t
P( G)
& GT ; 20
s
t
P( G)
& GT ; 20
s
t
P( G)
& GT ; 20
s
t
P( G)
& GT ; 20
s
t
P( G)
& GT ; 20
s
t
P( G)
& GT ; 20
s
t
P( G)
& GT ; 20
s
t
P( G)
& GT ; 20
s
0.9
-1.2
-1.2
1.2
典型值
最大
±1
5
-8
-10
25
2.5
-2.5
-2.5
V
mA
单位
mA
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
1
TIC201系列
硅双向可控硅
1977年1月 - 修订1997年3月
在25℃的情况下温度的电特性(除非另有说明) (续)
参数
V
TM
I
H
I
L
dv / dt的
dv / dt的
(c)
峰值通态电压
保持电流
闭锁电流
的临界上升率
断态电压
关键崛起
整流电压
I
TM
= ±3.5 A
V
供应
= +12 V
V
供应
= -12 V
V
供应
= +12 V
V
供应
= -12 V
V
DRM
=额定V
DRM
V
DRM
=额定V
DRM
测试条件
I
G
= 50毫安
I
G
= 0
I
G
= 0
(见注7 )
I
G
= 0
I
TRM
= ±3.5 A
T
C
= 110°C
T
C
= 85°C
±2
±50
(见注6 )
初始化“我
TM
= 100毫安
初始化“我
TM
= - 100毫安
典型值
最大
±1.9
30
-30
40
-40
单位
V
mA
mA
V / μs的
V / μs的
所有的电压都是相对于主终端1 。
注: 6。该参数必须使用脉冲技术进行测量,T
p
=
1毫秒,占空比
2%。电压检测触点分开
载流触点位于内从装置主体3.2毫米。
7.可控硅通过由具有以下特征的发电机供给的15 -V(开路幅度)脉冲触发:
R
G
= 100
,
t
P( G)
= 20
s,
t
r
=
15纳秒, F = 1千赫。
热特性
参数
R
θ
JC
R
θ
JA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
典型值
最大
10
62.5
单位
° C / W
° C / W
产品
信息
2
TIC201系列
硅双向可控硅
1977年1月 - 修订1997年3月
机械数据
TO-220
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形,并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时,清洗或处理。
TO220
4,70
4,20
3,96
3,71
10,4
10,0
2,95
2,54
6,6
6,0
15,90
14,55
1,32
1,23
见注释B
另请注意:C
6,1
3,5
0,97
0,61
1
2
3
1,70
1,07
14,1
12,7
2,74
2,34
5,28
4,88
2,90
2,40
0,64
0,41
第1版
第2版
以毫米为单位所有长度
注:A。该中心引脚与安装标签的电接触。
B.根据包的版本安装标签角落的个人资料。
据包版本C.典型固定孔中心站开高。
第1版18.0毫米。版本2 17.6毫米。
MDXXBE
产品
信息
3
TIC201系列
硅双向可控硅
1977年1月 - 修订1997年3月
重要通知
创新动力有限公司( PI)保留随时更改其产品或终止任何权
半导体产品的通知或不通知的服务,并建议客户验证,在下订单之前,该
信息被依靠的电流。
其半导体产品的PI保证产品性能在销售的时候规格
按照PI的标准保修。测试和其它质量控制技术的利用程度PI
认为有必要支持这项保证。每个器件的所有参数的具体测试不一定
除非政府强制要求执行。
PI接受的应用协助,客户的产品设计,软件性能或侵犯任何责任
专利或服务的描述。也不是任何许可证,明示或暗示,任何专利授
权,版权,设计权,或PI覆盖其他知识产权或与之有关的任何组合,
机,或方法,其中,这种半导体产品或服务可能使用或正在使用。
PI半导体公司的产品不是设计,意,授权或保证TO BE
适合于在生命支持应用程序,设备或系统。
版权所有1997 ,创新电源有限公司
产品
信息
4
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TIC201N
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
TIC201N
TI/德州仪器
2443+
23000
TO-220
一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-23914006/18318877587
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地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
TIC201N
TI/德州仪器
24+
21000
TO-220
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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电话:0755-83798683
联系人:许先生
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TIC201N
TI/德州仪器
22+
95526
TO
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联系人:刘经理
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TIC201N
TI/德州仪器
21+
90000
TO-220
全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-83268779
联系人:吴
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611(本公司为一般纳税人,可以开17%增值税)
TIC201N
TI/正品
13+
25800
全新原装正品,大量现货库存,可以出样品,欢迎咨询洽谈
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
TIC201N
TI/正品
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17000
全新原装正品/质量有保证
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TI
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TI
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TO
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联系人:陈小姐 付先生
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TO-220
全新原装 货期两周
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