TC2997B
REV0_20040412
1.9 GHz的20瓦法兰瓷封装的GaAs功率场效应管
特点
20W的典型功耗为1.9 GHz的
12分贝典型的线性功率增益为1.9 GHz的
高线性度： IP3 = 52 dBm的典型
高功率附加效率： 40 ％额定PAE
适用于高可靠性的应用
LG = 1
m,
WG = 50毫米
100％的DC和RF测试
PHOTO扩建
法兰瓷封装
描述
在TC2997B是一个打包的假晶高电子迁移率晶体管（ PHEMT ）功率晶体管
与输入prematched电路。法兰陶瓷封装提供了最佳的热传导
砷化镓场效应管。所有器件100 ％的直流和射频测试，以保证稳定的质量。典型应用
包括高动态范围功率放大器广告的应用程序。
电气特性（ @ 1.9 GHz的）
符号
P
1dB
G
L
IP3
PAE
I
DSS
g
m
V
P
BV
DGO
R
th
条件
在1分贝增益压缩点V输出功率
DS
= 10.5 V，I
DS
= 5A
线性功率增益V
DS
= 10.5 V，I
DS
= 5A
的3截点
rd
阶互调V
DS
= 10.5 V，I
DS
= 5A， * P
SCL
= 32 dBm的
在1dB压缩功率功率附加效率
饱和漏源电流在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
跨在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
夹断电压在V
DS
= 2 V，I
D
= 60毫安
漏极 - 栅极击穿电压在I
DGO
?? 15毫安
热阻
20
民
42
11
典型值
43
12
52
40
12.5
9000
-1.7
22
0.9
最大
单位
DBM
dB
DBM
%
A
mS
伏
伏
° C / W
* P
SCL
：单载波电平的输出功率。
TRANSCOM ，INC。
90 Dasoong 7
th
道为基础的科学台南工业园，惺她享，台南县，台湾， ROC
网站： www.transcominc.com.tw
电话： 886-6-5050086
传真： 886-6-5051602
P1/3
TC2997B
REV0_20040412
25绝对最大额定值
°
C
符号
V
DS
V
GS
I
DS
P
in
P
T
T
CH
T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
RF输入功率， CW
连续耗散
通道温度
储存温度
等级
12 V
-5 V
I
DSS
37 dBm的
100 W
175
°C
- 65
°C
到+175
°C
操作注意事项：
用户必须操作在一个干净，干燥的环境中。
静电放电（ ESD ）预防措施应
在储存，搬运，装配的各个阶段观察，并
测试。静电放电必须小于300V 。
法兰封装外形图（单位：mm ）
门
来源
来源
漏
典型的共源散射参数
(V
D
= 10.5 V，I
D
= 5 A)
频率
（千兆赫）
1
2
3
4
5
6
S11
MAG
0.98447
0.89499
0.99590
0.99889
0.99929
0.99934
昂
175.60
175.92
170.70
165.88
161.45
157.00
S21
MAG
0.89405
1.01350
0.12798
0.04273
0.02065
0.01208
S12
昂
58.716
-35.168
-99.501
-109.58
-115.98
-121.61
MAG
0.004436
0.011258
0.002725
0.001526
0.001113
0.000908
昂
-11.953
-80.437
-127.56
-127.53
-127.40
-128.39
MAG
0.83047
0.96855
0.98934
0.98926
0.99039
0.99112
S22
昂
-171.23
-173.25
176.29
171.49
167.26
163.24
评估板
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路，台南科学工业园区，善化仁，台南县，台湾， ROC
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P2/3
TC2997B
REV0_20040412
PCB材料： FR4
ER = 4.6
厚度= 31万
单位：万
TC2997B
部件类型
电阻器
电阻器
电容
电容
电容
电容
电容
电容
电容
电容
电容
电容
参考标志
R1
R2
Ci1
Ci2
Ci3
Ci4
Ci5
Co1
Co2
Co3
Co4
Co5
描述
10欧姆0603
0欧姆0603
1.2 pF的0603
1.0 pF的0603
1.5 pF的0603
1000 pF的0603
10 uF的1206
2.2 pF的1212
1.5 pF的1212
1000 pF的0603
0.1 uF的0603
10 uF的1206
生产厂家
村田
村田
村田
村田
村田
TEMEX
TEMEX
村田
村田
村田
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P3/3
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