【DGN-8DGK-8D-8DRB-8www.ti.comTHS4271THS4275SLOS397E】,IC型号THS4275DGNR,THS4275DGNR PDF资料,THS4275DGNR经销商,ic,电子元器件-51电子网

DGN-8

DGK-8

D-8

DRB-8

www.ti.com

THS4271

THS4275

SLOS397E - 2002年7月 - 修订2004年1月

低噪声，高转换速率，单位增益稳定的电压

反馈放大器

特点

D

单位增益稳定

D

低电压噪声

D

- 3内华达州/ √Hz的

高压摆率： 1000 V / μs的

低失真

- -92 dBc的THD为30兆赫

宽带宽： 1.4 GHz的

电源电压

+5 V,

±5

V, +12 V, +15 V

关机功能（ THS4275 ）

评估模块可用

应用

D

高线性度的ADC前置放大器

无线通信接收器

差分至单端转换

DAC输出缓冲器

有源滤波

THS4271

描述

该THS4271和THS4275是低噪声，高转换率，

单位增益稳定电压反馈放大器设计

从电源电压低至5 V和高达15 V运行

该THS4275提供相同的性能，因为

THS4271用加入了省电功能。该

低噪声，高转换率，高带宽的组合，

低失真和单位增益稳定做出THS4271

并在多个THS4275高性能器件

AC规范。

采用THS4271设计师奖励与高

动态范围更宽的频带，而不

失代偿放大器的稳定性问题。该

器件采用SOIC ， MSOP与PowerPAD ，

和无铅MSOP与PowerPAD包。

NC

IN-

IN +

V

S

1

2

3

4

8

7

6

5

NC

V

S

+

V

OUT

NC

相关器件

设备

THS4211

THS4503

THS3202

描述

1 - GHz的电压反馈放大器

宽带全差动放大器

双路，宽带电流反馈放大器

谐波和互调失真 - 分贝

谐波和互

失真

vs

频率

40

50

60

70

80

90

100

1

10

的F - 频率 - 兆赫

100

GAIN = 2

RF = 249

RL = 150

VO = 2 VPP

VS =

±5

V

IMD3

200 kHz音调间距

VO = 2 VPP信封

HD2

HD3

低噪声，低失真，宽带应用电路

50

来源

50

+

VI

49.9

THS4271

_

VO

+5 V

5 V

249

注：电源去耦电容没有显示

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在德州仪器公司的关键应用程序使用

半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

使用PowerPad是德州仪器的商标。

本文档中包含的一个以上的阶段上的产品信息

发展。每个设备的状态显示在网页指定其上

电气特性。

版权

2002年至2004年，德州仪器

THS4271

THS4275

SLOS397E - 2002年7月 - 修订2004年1月

www.ti.com

绝对最大额定值

在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明（ 1 ）

这个集成电路可以被ESD损坏。得克萨斯州

仪器建议所有集成电路

用适当的预防措施处理。如果不遵守

正确的处理和安装程序，可以造成损坏。

ESD损害的范围可以从细微的性能下降

完整的设备故障。精密集成电路可能会更

容易受到损害，因为很小的参数变化可能

导致设备不能满足其公布的规格。

单位

电源电压，V

S

输入电压V

I

输出电流，I

O

连续功率耗散

最高结温，T

J

最高结温，连续

操作，长期可靠性牛逼

J (2)

存储温度范围，T

英镑

焊接温度

从壳体10秒1.6毫米（1/16英寸）的

16.5 V

±

V

S

百毫安

见耗散额定值表

包装耗散额定值

包

θ

JC

（ ° C / W）

38.3

4.7

54.2

5

θ

JA

(1)

（ ° C / W）

97.5

58.4

260

45.8

额定功率

(2)

TA

≤

25°C

1.02 W

1.71 W

385毫瓦

2.18 W

TA = 85°C

410毫瓦

685毫瓦

154毫瓦

873毫瓦

150°C

125°C

D（ 8针）

-65_C到150_C

300°C

3000 V

1500 V

1000 V

DGN （8针）（3）

DGK （ 8针）

DRB （8针）（3）

HBM

ESD额定值：

(1)

清洁发展机制

MM

在任何条件下的绝对最高温度为

受限于硅工艺的约束。强调以上

这些额定值可能会造成永久性的损害。接触

绝对最大条件下长时间可能会降低

器件的可靠性。这些仅仅是极限参数和功能

该设备在这些或超越任何其它条件的操作

这些规定是不是暗示。

(2)

最高结温为连续操作

受包装限制。操作高于此温度

可能会导致可靠性降低和/或设备的寿命。

（1）该数据被使用的JEDEC标准高K测试印刷电路板采取。

（ 2 ）额定功率为125 ° C的结温是确定的。

这就是失真开始大幅增加点。

最终PCB的热管理应努力保持

在或低于125 ° C的结温为最佳性能和

长期可靠性。

(3)

该THS4271 / 5可结合PowerPAD上侧

芯片。这作为一个散热器和必须连接到一个

热耗散飞机进行适当的功率耗散。失败

这样做可能会导致超过最大结

温度可能永久损坏设备。请参见TI

技术简介SLMA002和SLMA004了解更多信息

关于利用PowerPAD热增强型封装。

推荐工作条件

民

电源电压（ VS +和VS- ）

输入共模电压范围

双电源

单电源

±2.5

5

VS- + 1.4

最大

±7.5

15

VS + - 1.4

单位

V

包装/订货信息

订购及包装和数量

塑料

小尺寸

(D) (1)

THS4271D

THS4271DR

THS4275D

THS4275DR

LEADLESS MSOP 8 （ 2 ）

（ DRB ）

THS4271DRBT

THS4271DRBR

THS4275DRBT

THS4275DRBR

塑料MSOP （ 1 ）

使用PowerPad

（ DGN ）

THS4271DGN

THS4271DGNR

THS4275DGN

THS4275DGNR

BFR

BFQ

包

记号

塑料MSOP （ 1 ）

（ DGK ）

THS4271DGK

THS4271DGKR

THS4275DGK

THS4275DGKR

BJD

BEY

包

记号

（ 1 ）所有封装均提供卷带封装。 R后缀的标准量为2500 （例如， THS4271DGNR ）。

（ 2 ）所有封装均提供卷带封装。 R后缀的标准数量是3000的T后缀的标准数量是250 （例如， THS4271DRBT ）。

2

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THS4271

THS4275

SLOS397E - 2002年7月 - 修订2004年1月

引脚分配

（ TOP VIEW ）

THS4271

D， DRB ， DGN ， DGK

（ TOP VIEW ）

THS4275

D， DRB ， DGN ， DGK

NC

IN-

IN +

V

S

1

2

3

4

8

7

6

5

NC

V

S+

V

OUT

NC

REF

IN-

IN +

V

S

1

2

3

4

8

7

6

5

PD

V

S+

V

OUT

NC

NC - 无内部连接

电气特性V

S

=

±5

V

RF = 249

,

R

L

= 499

,

G = 2 ，除非另有说明。

参数

AC性能

G = 1 ，VO = 100 mVPP的，RL = 150

G = -1 ， VO = 100 mVPP的

小信号带宽

G = 2 ， VO = 100 mVPP的

G = 5 ， VO = 100 mVPP的

G = 10 ， VO = 100 mVPP的

0.1分贝平坦带宽

增益带宽积

全功率带宽

压摆率

建立时间至0.1％

建立时间0.01％

谐波失真

二次谐波失真

第三谐波失真

谐波失真

二次谐波失真

第三谐波失真

三阶互调（ IMD3 ）

三阶输出截取点（ OIP3 ）

微分增益（ NTSC ， PAL ）

微分相位（NTSC，PAL ）

输入电压噪声

输入电流噪声

G = 1 ，VO = 100 mVPP的，RL = 150

> 10 ， F = 1兆赫

G = -1 ， VO = 2副总裁

G = 1 ， VO = 2 V步骤

G = -1 ， VO = 2 V步骤

G = -1 ， VO = 4 V步骤

G = 1 ， VO = 1 VPP ， F = 30 MHz的

RL = 150

RL = 499

RL = 150

RL = 499

G = 2 ， VO = 2 VPP ， F = 30 MHz的

RL = 150

RL = 499

RL = 150

RL = 499

G = 2 ， VO = 2 VPP ， RL = 150

,

F = 70 MHz的

G = 2 ， VO = 2 VPP ， RL = 150

,

F = 70 MHz的

G = 2 ，RL = 150

,

G = 2 ，RL = 150

,

F = 1 MHz的

65

70

80

90

60

35

0.007%

0.004

3

_

纳伏/赫兹÷

pA√Hz

dBc的

DBM

典型值

92

80

95

dBc的

典型值

1.4

400

390

85

40

200

400

80

950

1000

25

38

GHz的

兆赫

V / μs的

ns

典型值

测试条件

25°C

过温

0℃至

70°C

40°C

至85℃

单位

MIN /

典型值/

最大

3

THS4271

THS4275

SLOS397E - 2002年7月 - 修订2004年1月

www.ti.com

电气特性V

S

=

±5

V（续）

RF = 249

,

R

L

= 499

,

G = 2 ，除非另有说明。

参数

直流性能

开环电压增益（ AOL ）

输入失调电压

平均失调电压漂移

输入偏置电流

平均偏置电流漂移

输入失调电流

平均失调电流漂移

输入特性

共模输入范围

共模抑制比

输入阻抗

输入电容

输出CHARACTERISTIC8

输出电压摆幅

输出电流（采购）

输出电流（沉没）

输出阻抗

电源

额定工作电压

最大静态电流

最低静态电流

电源抑制比（ PSRR + ）

电源抑制比（ PSRR ± ）

VS + = 5.5 V至4.5 V ， VS- = 5 V

VS + = 5 V ，

VS- = -5.5 V至-4.5 V

±5

22

85

75

±7.5

24

20

75

65

±7.5

27

18

70

60

±7.5

28

15

70

60

V

mA

dB

最大

民

G = +2

RL = 10

F = 1 MHz的

±4

160

80

0.1

±3.8

120

60

±3.7

110

50

±3.7

110

50

V

mA

民

典型值

VCM =

±

2 V

共模

共模/差

±4

72

5

0.4/0.8

±3.6

67

±3.5

65

±3.5

65

V

dB

M

pF

民

典型值

VO =

±

50毫伏， RL = 499

VCM = 0 V

75

5

6

1

65

10

15

6

60

12

±10

18

±10

8

±10

60

12

±10

18

±10

8

±10

dB

mV

μV/°C

A

NA / ℃，

A

NA / ℃，

民

最大

典型值

最大

典型值

最大

典型值

测试条件

25°C

过温

0℃至

70°C

-40 ° C至

85°C

单位

MIN /

典型值/

最大

掉电特性（ THS4275只）

REF = 0 V ，

或V

S

参考= V

S

+或

漂浮的

掉电静态电流

Turnon时间延迟（吨（ON））

关断延迟时间（T （ OFF））

输入阻抗

输出阻抗

启用

掉电

启用

掉电

875

650

4

3

4

200

REF+1.8

REF+1

REF1

REF1.7

1000

800

1100

900

1200

1000

V

A

s

G

k

民

最大

民

最大

典型值

掉电电压电平（1）

PD =参考+1.0 V，参考值= 0 V

PD =参考-1.7 V，参考值= VS +

最终供电电流值的50％

F = 1 MHz的

（ 1 ）为了使电源降压电路的详细信息，请参见本数据手册的应用信息的断电部分。

4

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THS4271

THS4275

SLOS397E - 2002年7月 - 修订2004年1月

电气特性V

S

= 5 V

RF = 249

,

R

L

= 499

,

G = 2 ，除非另有说明

参数

AC性能

G = 1 ，VO = 100 mVPP的，RL = 150

G = -1 ， VO = 100 mVPP的

小信号带宽

G = 2 ， VO = 100 mVPP的

G = 5 ， VO = 100 mVPP的

G = 10 ， VO = 100 mVPP的

0.1 dB的平坦带宽

增益带宽积

全功率带宽

压摆率

建立时间至0.1％

建立时间0.01％

谐波失真

二次谐波失真

第三谐波失真

三阶互调（ IMD3 ）

三阶输出截取点（ OIP3 ）

输入电压噪声

输入电流噪声

直流性能

开环电压增益（ AOL ）

输入失调电压

平均失调电压漂移

输入偏置电流

平均偏置电流漂移

输入失调电流

平均失调电流漂移

输入特性

共模输入范围

共模抑制比

输入阻抗

输入电容

输出特性

输出电压摆幅

输出电流（采购）

输出电流（沉没）

输出阻抗

G = +2

RL = 10

F = 1 MHz的

1.2/3.8

120

65

0.1

1.4/3.6

100

50

1.5/3.5

90

40

1.5/3.5

90

40

V

mA

民

典型值

VCM =

±

0.5 V ， VO = 2.5 V

共模

共模/差

1/4

72

5

0.4/0.8

1.3/3.7

67

1.4/3.6

65

1.5/3.5

65

V

dB

M

pF

民

典型值

VO =

±

50毫伏， RL = 499

VCM = VS / 2

68

5

6

1

63

10

15

6

60

12

±10

18

±10

8

±10

60

12

±10

18

±10

8

±10

dB

mV

μV/°C

A

NA / ℃，

A

NA / ℃，

民

最大

典型值

最大

典型值

最大

典型值

G = 1 ，VO = 100 mVPP的，RL = 150

> 10 ， F = 1兆赫

G = -1 ， VO = 2副总裁

G = 1 ， VO = 2 V步骤

G = -1 ， VO = 2 V步骤

G = 1 ， VO = 1 VPP ， F = 30 MHz的

RL = 150

RL = 499

RL = 150

RL = 499

G = 2 ， VO = 1 VPP ， RL = 150

,

F = 70 MHz的

G = 2 ， VO = 1 VPP ， RL = 150

,

F = 70 MHz的

F = 1 MHz的

F = 10MHz的

75

72

70

65

32

3

dBc的

DBM

纳伏/赫兹÷

PA / ÷赫兹

典型值

1.2

380

360

80

35

120

350

60

700

750

18

66

GHz的

兆赫

V / μs的

ns

典型值

测试条件

25°C

过温

0℃至

70°C

-40 ° C至

85°C

单位

MIN /

典型值/

最大

5

DGN-8

DGK-8

D-8

DRB-8

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THS4271

THS4275

SLOS397E - 2002年7月 - 修订2004年1月

低噪声，高转换速率，单位增益稳定的电压

反馈放大器

特点

D

单位增益稳定

D

低电压噪声

D

- 3内华达州/ √Hz的

高压摆率： 1000 V / μs的

低失真

- -92 dBc的THD为30兆赫

宽带宽： 1.4 GHz的

电源电压

+5 V,

±5

V, +12 V, +15 V

关机功能（ THS4275 ）

评估模块可用

应用

D

高线性度的ADC前置放大器

无线通信接收器

差分至单端转换

DAC输出缓冲器

有源滤波

THS4271

描述

该THS4271和THS4275是低噪声，高转换率，

单位增益稳定电压反馈放大器设计

从电源电压低至5 V和高达15 V运行

该THS4275提供相同的性能，因为

THS4271用加入了省电功能。该

低噪声，高转换率，高带宽的组合，

低失真和单位增益稳定做出THS4271

并在多个THS4275高性能器件

AC规范。

采用THS4271设计师奖励与高

动态范围更宽的频带，而不

失代偿放大器的稳定性问题。该

器件采用SOIC ， MSOP与PowerPAD ，

和无铅MSOP与PowerPAD包。

NC

IN-

IN +

V

S

1

2

3

4

8

7

6

5

NC

V

S

+

V

OUT

NC

相关器件

设备

THS4211

THS4503

THS3202

描述

1 - GHz的电压反馈放大器

宽带全差动放大器

双路，宽带电流反馈放大器

谐波和互调失真 - 分贝

谐波和互

失真

vs

频率

40

50

60

70

80

90

100

1

10

的F - 频率 - 兆赫

100

GAIN = 2

RF = 249

RL = 150

VO = 2 VPP

VS =

±5

V

IMD3

200 kHz音调间距

VO = 2 VPP信封

HD2

HD3

低噪声，低失真，宽带应用电路

50

来源

50

+

VI

49.9

THS4271

_

VO

+5 V

5 V

249

注：电源去耦电容没有显示

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在德州仪器公司的关键应用程序使用

半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

使用PowerPad是德州仪器的商标。

本文档中包含的一个以上的阶段上的产品信息

发展。每个设备的状态显示在网页指定其上

电气特性。

版权

2002年至2004年，德州仪器

THS4271

THS4275

SLOS397E - 2002年7月 - 修订2004年1月

www.ti.com

绝对最大额定值

在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明（ 1 ）

这个集成电路可以被ESD损坏。得克萨斯州

仪器建议所有集成电路

用适当的预防措施处理。如果不遵守

正确的处理和安装程序，可以造成损坏。

ESD损害的范围可以从细微的性能下降

完整的设备故障。精密集成电路可能会更

容易受到损害，因为很小的参数变化可能

导致设备不能满足其公布的规格。

单位

电源电压，V

S

输入电压V

I

输出电流，I

O

连续功率耗散

最高结温，T

J

最高结温，连续

操作，长期可靠性牛逼

J (2)

存储温度范围，T

英镑

焊接温度

从壳体10秒1.6毫米（1/16英寸）的

16.5 V

±

V

S

百毫安

见耗散额定值表

包装耗散额定值

包

θ

JC

（ ° C / W）

38.3

4.7

54.2

5

θ

JA

(1)

（ ° C / W）

97.5

58.4

260

45.8

额定功率

(2)

TA

≤

25°C

1.02 W

1.71 W

385毫瓦

2.18 W

TA = 85°C

410毫瓦

685毫瓦

154毫瓦

873毫瓦

150°C

125°C

D（ 8针）

-65_C到150_C

300°C

3000 V

1500 V

1000 V

DGN （8针）（3）

DGK （ 8针）

DRB （8针）（3）

HBM

ESD额定值：

(1)

清洁发展机制

MM

在任何条件下的绝对最高温度为

受限于硅工艺的约束。强调以上

这些额定值可能会造成永久性的损害。接触

绝对最大条件下长时间可能会降低

器件的可靠性。这些仅仅是极限参数和功能

该设备在这些或超越任何其它条件的操作

这些规定是不是暗示。

(2)

最高结温为连续操作

受包装限制。操作高于此温度

可能会导致可靠性降低和/或设备的寿命。

（1）该数据被使用的JEDEC标准高K测试印刷电路板采取。

（ 2 ）额定功率为125 ° C的结温是确定的。

这就是失真开始大幅增加点。

最终PCB的热管理应努力保持

在或低于125 ° C的结温为最佳性能和

长期可靠性。

(3)

该THS4271 / 5可结合PowerPAD上侧

芯片。这作为一个散热器和必须连接到一个

热耗散飞机进行适当的功率耗散。失败

这样做可能会导致超过最大结

温度可能永久损坏设备。请参见TI

技术简介SLMA002和SLMA004了解更多信息

关于利用PowerPAD热增强型封装。

推荐工作条件

民

电源电压（ VS +和VS- ）

输入共模电压范围

双电源

单电源

±2.5

5

VS- + 1.4

最大

±7.5

15

VS + - 1.4

单位

V

包装/订货信息

订购及包装和数量

塑料

小尺寸

(D) (1)

THS4271D

THS4271DR

THS4275D

THS4275DR

LEADLESS MSOP 8 （ 2 ）

（ DRB ）

THS4271DRBT

THS4271DRBR

THS4275DRBT

THS4275DRBR

塑料MSOP （ 1 ）

使用PowerPad

（ DGN ）

THS4271DGN

THS4271DGNR

THS4275DGN

THS4275DGNR

BFR

BFQ

包

记号

塑料MSOP （ 1 ）

（ DGK ）

THS4271DGK

THS4271DGKR

THS4275DGK

THS4275DGKR

BJD

BEY

包

记号

（ 1 ）所有封装均提供卷带封装。 R后缀的标准量为2500 （例如， THS4271DGNR ）。

（ 2 ）所有封装均提供卷带封装。 R后缀的标准数量是3000的T后缀的标准数量是250 （例如， THS4271DRBT ）。

2

www.ti.com

THS4271

THS4275

SLOS397E - 2002年7月 - 修订2004年1月

引脚分配

（ TOP VIEW ）

THS4271

D， DRB ， DGN ， DGK

（ TOP VIEW ）

THS4275

D， DRB ， DGN ， DGK

NC

IN-

IN +

V

S

1

2

3

4

8

7

6

5

NC

V

S+

V

OUT

NC

REF

IN-

IN +

V

S

1

2

3

4

8

7

6

5

PD

V

S+

V

OUT

NC

NC - 无内部连接

电气特性V

S

=

±5

V

RF = 249

,

R

L

= 499

,

G = 2 ，除非另有说明。

参数

AC性能

G = 1 ，VO = 100 mVPP的，RL = 150

G = -1 ， VO = 100 mVPP的

小信号带宽

G = 2 ， VO = 100 mVPP的

G = 5 ， VO = 100 mVPP的

G = 10 ， VO = 100 mVPP的

0.1分贝平坦带宽

增益带宽积

全功率带宽

压摆率

建立时间至0.1％

建立时间0.01％

谐波失真

二次谐波失真

第三谐波失真

谐波失真

二次谐波失真

第三谐波失真

三阶互调（ IMD3 ）

三阶输出截取点（ OIP3 ）

微分增益（ NTSC ， PAL ）

微分相位（NTSC，PAL ）

输入电压噪声

输入电流噪声

G = 1 ，VO = 100 mVPP的，RL = 150

> 10 ， F = 1兆赫

G = -1 ， VO = 2副总裁

G = 1 ， VO = 2 V步骤

G = -1 ， VO = 2 V步骤

G = -1 ， VO = 4 V步骤

G = 1 ， VO = 1 VPP ， F = 30 MHz的

RL = 150

RL = 499

RL = 150

RL = 499

G = 2 ， VO = 2 VPP ， F = 30 MHz的

RL = 150

RL = 499

RL = 150

RL = 499

G = 2 ， VO = 2 VPP ， RL = 150

,

F = 70 MHz的

G = 2 ， VO = 2 VPP ， RL = 150

,

F = 70 MHz的

G = 2 ，RL = 150

,

G = 2 ，RL = 150

,

F = 1 MHz的

65

70

80

90

60

35

0.007%

0.004

3

_

纳伏/赫兹÷

pA√Hz

dBc的

DBM

典型值

92

80

95

dBc的

典型值

1.4

400

390

85

40

200

400

80

950

1000

25

38

GHz的

兆赫

V / μs的

ns

典型值

测试条件

25°C

过温

0℃至

70°C

40°C

至85℃

单位

MIN /

典型值/

最大

3

THS4271

THS4275

SLOS397E - 2002年7月 - 修订2004年1月

www.ti.com

电气特性V

S

=

±5

V（续）

RF = 249

,

R

L

= 499

,

G = 2 ，除非另有说明。

参数

直流性能

开环电压增益（ AOL ）

输入失调电压

平均失调电压漂移

输入偏置电流

平均偏置电流漂移

输入失调电流

平均失调电流漂移

输入特性

共模输入范围

共模抑制比

输入阻抗

输入电容

输出CHARACTERISTIC8

输出电压摆幅

输出电流（采购）

输出电流（沉没）

输出阻抗

电源

额定工作电压

最大静态电流

最低静态电流

电源抑制比（ PSRR + ）

电源抑制比（ PSRR ± ）

VS + = 5.5 V至4.5 V ， VS- = 5 V

VS + = 5 V ，

VS- = -5.5 V至-4.5 V

±5

22

85

75

±7.5

24

20

75

65

±7.5

27

18

70

60

±7.5

28

15

70

60

V

mA

dB

最大

民

G = +2

RL = 10

F = 1 MHz的

±4

160

80

0.1

±3.8

120

60

±3.7

110

50

±3.7

110

50

V

mA

民

典型值

VCM =

±

2 V

共模

共模/差

±4

72

5

0.4/0.8

±3.6

67

±3.5

65

±3.5

65

V

dB

M

pF

民

典型值

VO =

±

50毫伏， RL = 499

VCM = 0 V

75

5

6

1

65

10

15

6

60

12

±10

18

±10

8

±10

60

12

±10

18

±10

8

±10

dB

mV

μV/°C

A

NA / ℃，

A

NA / ℃，

民

最大

典型值

最大

典型值

最大

典型值

测试条件

25°C

过温

0℃至

70°C

-40 ° C至

85°C

单位

MIN /

典型值/

最大

掉电特性（ THS4275只）

REF = 0 V ，

或V

S

参考= V

S

+或

漂浮的

掉电静态电流

Turnon时间延迟（吨（ON））

关断延迟时间（T （ OFF））

输入阻抗

输出阻抗

启用

掉电

启用

掉电

875

650

4

3

4

200

REF+1.8

REF+1

REF1

REF1.7

1000

800

1100

900

1200

1000

V

A

s

G

k

民

最大

民

最大

典型值

掉电电压电平（1）

PD =参考+1.0 V，参考值= 0 V

PD =参考-1.7 V，参考值= VS +

最终供电电流值的50％

F = 1 MHz的

（ 1 ）为了使电源降压电路的详细信息，请参见本数据手册的应用信息的断电部分。

4

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THS4271

THS4275

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电气特性V

S

= 5 V

RF = 249

,

R

L

= 499

,

G = 2 ，除非另有说明

参数

AC性能

G = 1 ，VO = 100 mVPP的，RL = 150

G = -1 ， VO = 100 mVPP的

小信号带宽

G = 2 ， VO = 100 mVPP的

G = 5 ， VO = 100 mVPP的

G = 10 ， VO = 100 mVPP的

0.1 dB的平坦带宽

增益带宽积

全功率带宽

压摆率

建立时间至0.1％

建立时间0.01％

谐波失真

二次谐波失真

第三谐波失真

三阶互调（ IMD3 ）

三阶输出截取点（ OIP3 ）

输入电压噪声

输入电流噪声

直流性能

开环电压增益（ AOL ）

输入失调电压

平均失调电压漂移

输入偏置电流

平均偏置电流漂移

输入失调电流

平均失调电流漂移

输入特性

共模输入范围

共模抑制比

输入阻抗

输入电容

输出特性

输出电压摆幅

输出电流（采购）

输出电流（沉没）

输出阻抗

G = +2

RL = 10

F = 1 MHz的

1.2/3.8

120

65

0.1

1.4/3.6

100

50

1.5/3.5

90

40

1.5/3.5

90

40

V

mA

民

典型值

VCM =

±

0.5 V ， VO = 2.5 V

共模

共模/差

1/4

72

5

0.4/0.8

1.3/3.7

67

1.4/3.6

65

1.5/3.5

65

V

dB

M

pF

民

典型值

VO =

±

50毫伏， RL = 499

VCM = VS / 2

68

5

6

1

63

10

15

6

60

12

±10

18

±10

8

±10

60

12

±10

18

±10

8

±10

dB

mV

μV/°C

A

NA / ℃，

A

NA / ℃，

民

最大

典型值

最大

典型值

最大

典型值

G = 1 ，VO = 100 mVPP的，RL = 150

> 10 ， F = 1兆赫

G = -1 ， VO = 2副总裁

G = 1 ， VO = 2 V步骤

G = -1 ， VO = 2 V步骤

G = 1 ， VO = 1 VPP ， F = 30 MHz的

RL = 150

RL = 499

RL = 150

RL = 499

G = 2 ， VO = 1 VPP ， RL = 150

,

F = 70 MHz的

G = 2 ， VO = 1 VPP ， RL = 150

,

F = 70 MHz的

F = 1 MHz的

F = 10MHz的

75

72

70

65

32

3

dBc的

DBM

纳伏/赫兹÷

PA / ÷赫兹

典型值

1.2

380

360

80

35

120

350

60

700

750

18

66

GHz的

兆赫

V / μs的

ns

典型值

测试条件

25°C

过温

0℃至

70°C

-40 ° C至

85°C

单位

MIN /

典型值/

最大

5

DGN-8

DGK-8

D-8

DRB-8

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THS4271

THS4275

SLOS397E - 2002年7月 - 修订2004年1月

低噪声，高转换速率，单位增益稳定的电压

反馈放大器

特点

D

单位增益稳定

D

低电压噪声

D

- 3内华达州/ √Hz的

高压摆率： 1000 V / μs的

低失真

- -92 dBc的THD为30兆赫

宽带宽： 1.4 GHz的

电源电压

+5 V,

±5

V, +12 V, +15 V

关机功能（ THS4275 ）

评估模块可用

应用

D

高线性度的ADC前置放大器

无线通信接收器

差分至单端转换

DAC输出缓冲器

有源滤波

THS4271

描述

该THS4271和THS4275是低噪声，高转换率，

单位增益稳定电压反馈放大器设计

从电源电压低至5 V和高达15 V运行

该THS4275提供相同的性能，因为

THS4271用加入了省电功能。该

低噪声，高转换率，高带宽的组合，

低失真和单位增益稳定做出THS4271

并在多个THS4275高性能器件

AC规范。

采用THS4271设计师奖励与高

动态范围更宽的频带，而不

失代偿放大器的稳定性问题。该

器件采用SOIC ， MSOP与PowerPAD ，

和无铅MSOP与PowerPAD包。

NC

IN-

IN +

V

S

1

2

3

4

8

7

6

5

NC

V

S

+

V

OUT

NC

相关器件

设备

THS4211

THS4503

THS3202

描述

1 - GHz的电压反馈放大器

宽带全差动放大器

双路，宽带电流反馈放大器

谐波和互调失真 - 分贝

谐波和互

失真

vs

频率

40

50

60

70

80

90

100

1

10

的F - 频率 - 兆赫

100

GAIN = 2

RF = 249

RL = 150

VO = 2 VPP

VS =

±5

V

IMD3

200 kHz音调间距

VO = 2 VPP信封

HD2

HD3

低噪声，低失真，宽带应用电路

50

来源

50

+

VI

49.9

THS4271

_

VO

+5 V

5 V

249

注：电源去耦电容没有显示

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在德州仪器公司的关键应用程序使用

半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

使用PowerPad是德州仪器的商标。

本文档中包含的一个以上的阶段上的产品信息

发展。每个设备的状态显示在网页指定其上

电气特性。

版权

2002年至2004年，德州仪器

THS4271

THS4275

SLOS397E - 2002年7月 - 修订2004年1月

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绝对最大额定值

在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明（ 1 ）

这个集成电路可以被ESD损坏。得克萨斯州

仪器建议所有集成电路

用适当的预防措施处理。如果不遵守

正确的处理和安装程序，可以造成损坏。

ESD损害的范围可以从细微的性能下降

完整的设备故障。精密集成电路可能会更

容易受到损害，因为很小的参数变化可能

导致设备不能满足其公布的规格。

单位

电源电压，V

S

输入电压V

I

输出电流，I

O

连续功率耗散

最高结温，T

J

最高结温，连续

操作，长期可靠性牛逼

J (2)

存储温度范围，T

英镑

焊接温度

从壳体10秒1.6毫米（1/16英寸）的

16.5 V

±

V

S

百毫安

见耗散额定值表

包装耗散额定值

包

θ

JC

（ ° C / W）

38.3

4.7

54.2

5

θ

JA

(1)

（ ° C / W）

97.5

58.4

260

45.8

额定功率

(2)

TA

≤

25°C

1.02 W

1.71 W

385毫瓦

2.18 W

TA = 85°C

410毫瓦

685毫瓦

154毫瓦

873毫瓦

150°C

125°C

D（ 8针）

-65_C到150_C

300°C

3000 V

1500 V

1000 V

DGN （8针）（3）

DGK （ 8针）

DRB （8针）（3）

HBM

ESD额定值：

(1)

清洁发展机制

MM

在任何条件下的绝对最高温度为

受限于硅工艺的约束。强调以上

这些额定值可能会造成永久性的损害。接触

绝对最大条件下长时间可能会降低

器件的可靠性。这些仅仅是极限参数和功能

该设备在这些或超越任何其它条件的操作

这些规定是不是暗示。

(2)

最高结温为连续操作

受包装限制。操作高于此温度

可能会导致可靠性降低和/或设备的寿命。

（1）该数据被使用的JEDEC标准高K测试印刷电路板采取。

（ 2 ）额定功率为125 ° C的结温是确定的。

这就是失真开始大幅增加点。

最终PCB的热管理应努力保持

在或低于125 ° C的结温为最佳性能和

长期可靠性。

(3)

该THS4271 / 5可结合PowerPAD上侧

芯片。这作为一个散热器和必须连接到一个

热耗散飞机进行适当的功率耗散。失败

这样做可能会导致超过最大结

温度可能永久损坏设备。请参见TI

技术简介SLMA002和SLMA004了解更多信息

关于利用PowerPAD热增强型封装。

推荐工作条件

民

电源电压（ VS +和VS- ）

输入共模电压范围

双电源

单电源

±2.5

5

VS- + 1.4

最大

±7.5

15

VS + - 1.4

单位

V

包装/订货信息

订购及包装和数量

塑料

小尺寸

(D) (1)

THS4271D

THS4271DR

THS4275D

THS4275DR

LEADLESS MSOP 8 （ 2 ）

（ DRB ）

THS4271DRBT

THS4271DRBR

THS4275DRBT

THS4275DRBR

塑料MSOP （ 1 ）

使用PowerPad

（ DGN ）

THS4271DGN

THS4271DGNR

THS4275DGN

THS4275DGNR

BFR

BFQ

包

记号

塑料MSOP （ 1 ）

（ DGK ）

THS4271DGK

THS4271DGKR

THS4275DGK

THS4275DGKR

BJD

BEY

包

记号

（ 1 ）所有封装均提供卷带封装。 R后缀的标准量为2500 （例如， THS4271DGNR ）。

（ 2 ）所有封装均提供卷带封装。 R后缀的标准数量是3000的T后缀的标准数量是250 （例如， THS4271DRBT ）。

2

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THS4271

THS4275

SLOS397E - 2002年7月 - 修订2004年1月

引脚分配

（ TOP VIEW ）

THS4271

D， DRB ， DGN ， DGK

（ TOP VIEW ）

THS4275

D， DRB ， DGN ， DGK

NC

IN-

IN +

V

S

1

2

3

4

8

7

6

5

NC

V

S+

V

OUT

NC

REF

IN-

IN +

V

S

1

2

3

4

8

7

6

5

PD

V

S+

V

OUT

NC

NC - 无内部连接

电气特性V

S

=

±5

V

RF = 249

,

R

L

= 499

,

G = 2 ，除非另有说明。

参数

AC性能

G = 1 ，VO = 100 mVPP的，RL = 150

G = -1 ， VO = 100 mVPP的

小信号带宽

G = 2 ， VO = 100 mVPP的

G = 5 ， VO = 100 mVPP的

G = 10 ， VO = 100 mVPP的

0.1分贝平坦带宽

增益带宽积

全功率带宽

压摆率

建立时间至0.1％

建立时间0.01％

谐波失真

二次谐波失真

第三谐波失真

谐波失真

二次谐波失真

第三谐波失真

三阶互调（ IMD3 ）

三阶输出截取点（ OIP3 ）

微分增益（ NTSC ， PAL ）

微分相位（NTSC，PAL ）

输入电压噪声

输入电流噪声

G = 1 ，VO = 100 mVPP的，RL = 150

> 10 ， F = 1兆赫

G = -1 ， VO = 2副总裁

G = 1 ， VO = 2 V步骤

G = -1 ， VO = 2 V步骤

G = -1 ， VO = 4 V步骤

G = 1 ， VO = 1 VPP ， F = 30 MHz的

RL = 150

RL = 499

RL = 150

RL = 499

G = 2 ， VO = 2 VPP ， F = 30 MHz的

RL = 150

RL = 499

RL = 150

RL = 499

G = 2 ， VO = 2 VPP ， RL = 150

,

F = 70 MHz的

G = 2 ， VO = 2 VPP ， RL = 150

,

F = 70 MHz的

G = 2 ，RL = 150

,

G = 2 ，RL = 150

,

F = 1 MHz的

65

70

80

90

60

35

0.007%

0.004

3

_

纳伏/赫兹÷

pA√Hz

dBc的

DBM

典型值

92

80

95

dBc的

典型值

1.4

400

390

85

40

200

400

80

950

1000

25

38

GHz的

兆赫

V / μs的

ns

典型值

测试条件

25°C

过温

0℃至

70°C

40°C

至85℃

单位

MIN /

典型值/

最大

3

THS4271

THS4275

SLOS397E - 2002年7月 - 修订2004年1月

www.ti.com

电气特性V

S

=

±5

V（续）

RF = 249

,

R

L

= 499

,

G = 2 ，除非另有说明。

参数

直流性能

开环电压增益（ AOL ）

输入失调电压

平均失调电压漂移

输入偏置电流

平均偏置电流漂移

输入失调电流

平均失调电流漂移

输入特性

共模输入范围

共模抑制比

输入阻抗

输入电容

输出CHARACTERISTIC8

输出电压摆幅

输出电流（采购）

输出电流（沉没）

输出阻抗

电源

额定工作电压

最大静态电流

最低静态电流

电源抑制比（ PSRR + ）

电源抑制比（ PSRR ± ）

VS + = 5.5 V至4.5 V ， VS- = 5 V

VS + = 5 V ，

VS- = -5.5 V至-4.5 V

±5

22

85

75

±7.5

24

20

75

65

±7.5

27

18

70

60

±7.5

28

15

70

60

V

mA

dB

最大

民

G = +2

RL = 10

F = 1 MHz的

±4

160

80

0.1

±3.8

120

60

±3.7

110

50

±3.7

110

50

V

mA

民

典型值

VCM =

±

2 V

共模

共模/差

±4

72

5

0.4/0.8

±3.6

67

±3.5

65

±3.5

65

V

dB

M

pF

民

典型值

VO =

±

50毫伏， RL = 499

VCM = 0 V

75

5

6

1

65

10

15

6

60

12

±10

18

±10

8

±10

60

12

±10

18

±10

8

±10

dB

mV

μV/°C

A

NA / ℃，

A

NA / ℃，

民

最大

典型值

最大

典型值

最大

典型值

测试条件

25°C

过温

0℃至

70°C

-40 ° C至

85°C

单位

MIN /

典型值/

最大

掉电特性（ THS4275只）

REF = 0 V ，

或V

S

参考= V

S

+或

漂浮的

掉电静态电流

Turnon时间延迟（吨（ON））

关断延迟时间（T （ OFF））

输入阻抗

输出阻抗

启用

掉电

启用

掉电

875

650

4

3

4

200

REF+1.8

REF+1

REF1

REF1.7

1000

800

1100

900

1200

1000

V

A

s

G

k

民

最大

民

最大

典型值

掉电电压电平（1）

PD =参考+1.0 V，参考值= 0 V

PD =参考-1.7 V，参考值= VS +

最终供电电流值的50％

F = 1 MHz的

（ 1 ）为了使电源降压电路的详细信息，请参见本数据手册的应用信息的断电部分。

4

www.ti.com

THS4271

THS4275

SLOS397E - 2002年7月 - 修订2004年1月

电气特性V

S

= 5 V

RF = 249

,

R

L

= 499

,

G = 2 ，除非另有说明

参数

AC性能

G = 1 ，VO = 100 mVPP的，RL = 150

G = -1 ， VO = 100 mVPP的

小信号带宽

G = 2 ， VO = 100 mVPP的

G = 5 ， VO = 100 mVPP的

G = 10 ， VO = 100 mVPP的

0.1 dB的平坦带宽

增益带宽积

全功率带宽

压摆率

建立时间至0.1％

建立时间0.01％

谐波失真

二次谐波失真

第三谐波失真

三阶互调（ IMD3 ）

三阶输出截取点（ OIP3 ）

输入电压噪声

输入电流噪声

直流性能

开环电压增益（ AOL ）

输入失调电压

平均失调电压漂移

输入偏置电流

平均偏置电流漂移

输入失调电流

平均失调电流漂移

输入特性

共模输入范围

共模抑制比

输入阻抗

输入电容

输出特性

输出电压摆幅

输出电流（采购）

输出电流（沉没）

输出阻抗

G = +2

RL = 10

F = 1 MHz的

1.2/3.8

120

65

0.1

1.4/3.6

100

50

1.5/3.5

90

40

1.5/3.5

90

40

V

mA

民

典型值

VCM =

±

0.5 V ， VO = 2.5 V

共模

共模/差

1/4

72

5

0.4/0.8

1.3/3.7

67

1.4/3.6

65

1.5/3.5

65

V

dB

M

pF

民

典型值

VO =

±

50毫伏， RL = 499

VCM = VS / 2

68

5

6

1

63

10

15

6

60

12

±10

18

±10

8

±10

60

12

±10

18

±10

8

±10

dB

mV

μV/°C

A

NA / ℃，

A

NA / ℃，

民

最大

典型值

最大

典型值

最大

典型值

G = 1 ，VO = 100 mVPP的，RL = 150

> 10 ， F = 1兆赫

G = -1 ， VO = 2副总裁

G = 1 ， VO = 2 V步骤

G = -1 ， VO = 2 V步骤

G = 1 ， VO = 1 VPP ， F = 30 MHz的

RL = 150

RL = 499

RL = 150

RL = 499

G = 2 ， VO = 1 VPP ， RL = 150

,

F = 70 MHz的

G = 2 ， VO = 1 VPP ， RL = 150

,

F = 70 MHz的

F = 1 MHz的

F = 10MHz的

75

72

70

65

32

3

dBc的

DBM

纳伏/赫兹÷

PA / ÷赫兹

典型值

1.2

380

360

80

35

120

350

60

700

750

18

66

GHz的

兆赫

V / μs的

ns

典型值

测试条件

25°C

过温

0℃至

70°C

-40 ° C至

85°C

单位

MIN /

典型值/

最大

5

DGN-8

DGK-8

D-8

DRB-8

www.ti.com

THS4271

THS4275

SLOS397E - 2002年7月 - 修订2004年1月

低噪声，高转换速率，单位增益稳定的电压

反馈放大器

特点

D

单位增益稳定

D

低电压噪声

D

- 3内华达州/ √Hz的

高压摆率： 1000 V / μs的

低失真

- -92 dBc的THD为30兆赫

宽带宽： 1.4 GHz的

电源电压

+5 V,

±5

V, +12 V, +15 V

关机功能（ THS4275 ）

评估模块可用

应用

D

高线性度的ADC前置放大器

无线通信接收器

差分至单端转换

DAC输出缓冲器

有源滤波

THS4271

描述

该THS4271和THS4275是低噪声，高转换率，

单位增益稳定电压反馈放大器设计

从电源电压低至5 V和高达15 V运行

该THS4275提供相同的性能，因为

THS4271用加入了省电功能。该

低噪声，高转换率，高带宽的组合，

低失真和单位增益稳定做出THS4271

并在多个THS4275高性能器件

AC规范。

采用THS4271设计师奖励与高

动态范围更宽的频带，而不

失代偿放大器的稳定性问题。该

器件采用SOIC ， MSOP与PowerPAD ，

和无铅MSOP与PowerPAD包。

NC

IN-

IN +

V

S

1

2

3

4

8

7

6

5

NC

V

S

+

V

OUT

NC

相关器件

设备

THS4211

THS4503

THS3202

描述

1 - GHz的电压反馈放大器

宽带全差动放大器

双路，宽带电流反馈放大器

谐波和互调失真 - 分贝

谐波和互

失真

vs

频率

40

50

60

70

80

90

100

1

10

的F - 频率 - 兆赫

100

GAIN = 2

RF = 249

RL = 150

VO = 2 VPP

VS =

±5

V

IMD3

200 kHz音调间距

VO = 2 VPP信封

HD2

HD3

低噪声，低失真，宽带应用电路

50

来源

50

+

VI

49.9

THS4271

_

VO

+5 V

5 V

249

注：电源去耦电容没有显示

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在德州仪器公司的关键应用程序使用

半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

使用PowerPad是德州仪器的商标。

本文档中包含的一个以上的阶段上的产品信息

发展。每个设备的状态显示在网页指定其上

电气特性。

版权

2002年至2004年，德州仪器

THS4271

THS4275

SLOS397E - 2002年7月 - 修订2004年1月

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绝对最大额定值

在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明（ 1 ）

这个集成电路可以被ESD损坏。得克萨斯州

仪器建议所有集成电路

用适当的预防措施处理。如果不遵守

正确的处理和安装程序，可以造成损坏。

ESD损害的范围可以从细微的性能下降

完整的设备故障。精密集成电路可能会更

容易受到损害，因为很小的参数变化可能

导致设备不能满足其公布的规格。

单位

电源电压，V

S

输入电压V

I

输出电流，I

O

连续功率耗散

最高结温，T

J

最高结温，连续

操作，长期可靠性牛逼

J (2)

存储温度范围，T

英镑

焊接温度

从壳体10秒1.6毫米（1/16英寸）的

16.5 V

±

V

S

百毫安

见耗散额定值表

包装耗散额定值

包

θ

JC

（ ° C / W）

38.3

4.7

54.2

5

θ

JA

(1)

（ ° C / W）

97.5

58.4

260

45.8

额定功率

(2)

TA

≤

25°C

1.02 W

1.71 W

385毫瓦

2.18 W

TA = 85°C

410毫瓦

685毫瓦

154毫瓦

873毫瓦

150°C

125°C

D（ 8针）

-65_C到150_C

300°C

3000 V

1500 V

1000 V

DGN （8针）（3）

DGK （ 8针）

DRB （8针）（3）

HBM

ESD额定值：

(1)

清洁发展机制

MM

在任何条件下的绝对最高温度为

受限于硅工艺的约束。强调以上

这些额定值可能会造成永久性的损害。接触

绝对最大条件下长时间可能会降低

器件的可靠性。这些仅仅是极限参数和功能

该设备在这些或超越任何其它条件的操作

这些规定是不是暗示。

(2)

最高结温为连续操作

受包装限制。操作高于此温度

可能会导致可靠性降低和/或设备的寿命。

（1）该数据被使用的JEDEC标准高K测试印刷电路板采取。

（ 2 ）额定功率为125 ° C的结温是确定的。

这就是失真开始大幅增加点。

最终PCB的热管理应努力保持

在或低于125 ° C的结温为最佳性能和

长期可靠性。

(3)

该THS4271 / 5可结合PowerPAD上侧

芯片。这作为一个散热器和必须连接到一个

热耗散飞机进行适当的功率耗散。失败

这样做可能会导致超过最大结

温度可能永久损坏设备。请参见TI

技术简介SLMA002和SLMA004了解更多信息

关于利用PowerPAD热增强型封装。

推荐工作条件

民

电源电压（ VS +和VS- ）

输入共模电压范围

双电源

单电源

±2.5

5

VS- + 1.4

最大

±7.5

15

VS + - 1.4

单位

V

包装/订货信息

订购及包装和数量

塑料

小尺寸

(D) (1)

THS4271D

THS4271DR

THS4275D

THS4275DR

LEADLESS MSOP 8 （ 2 ）

（ DRB ）

THS4271DRBT

THS4271DRBR

THS4275DRBT

THS4275DRBR

塑料MSOP （ 1 ）

使用PowerPad

（ DGN ）

THS4271DGN

THS4271DGNR

THS4275DGN

THS4275DGNR

BFR

BFQ

包

记号

塑料MSOP （ 1 ）

（ DGK ）

THS4271DGK

THS4271DGKR

THS4275DGK

THS4275DGKR

BJD

BEY

包

记号

（ 1 ）所有封装均提供卷带封装。 R后缀的标准量为2500 （例如， THS4271DGNR ）。

（ 2 ）所有封装均提供卷带封装。 R后缀的标准数量是3000的T后缀的标准数量是250 （例如， THS4271DRBT ）。

2

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THS4271

THS4275

SLOS397E - 2002年7月 - 修订2004年1月

引脚分配

（ TOP VIEW ）

THS4271

D， DRB ， DGN ， DGK

（ TOP VIEW ）

THS4275

D， DRB ， DGN ， DGK

NC

IN-

IN +

V

S

1

2

3

4

8

7

6

5

NC

V

S+

V

OUT

NC

REF

IN-

IN +

V

S

1

2

3

4

8

7

6

5

PD

V

S+

V

OUT

NC

NC - 无内部连接

电气特性V

S

=

±5

V

RF = 249

,

R

L

= 499

,

G = 2 ，除非另有说明。

参数

AC性能

G = 1 ，VO = 100 mVPP的，RL = 150

G = -1 ， VO = 100 mVPP的

小信号带宽

G = 2 ， VO = 100 mVPP的

G = 5 ， VO = 100 mVPP的

G = 10 ， VO = 100 mVPP的

0.1分贝平坦带宽

增益带宽积

全功率带宽

压摆率

建立时间至0.1％

建立时间0.01％

谐波失真

二次谐波失真

第三谐波失真

谐波失真

二次谐波失真

第三谐波失真

三阶互调（ IMD3 ）

三阶输出截取点（ OIP3 ）

微分增益（ NTSC ， PAL ）

微分相位（NTSC，PAL ）

输入电压噪声

输入电流噪声

G = 1 ，VO = 100 mVPP的，RL = 150

> 10 ， F = 1兆赫

G = -1 ， VO = 2副总裁

G = 1 ， VO = 2 V步骤

G = -1 ， VO = 2 V步骤

G = -1 ， VO = 4 V步骤

G = 1 ， VO = 1 VPP ， F = 30 MHz的

RL = 150

RL = 499

RL = 150

RL = 499

G = 2 ， VO = 2 VPP ， F = 30 MHz的

RL = 150

RL = 499

RL = 150

RL = 499

G = 2 ， VO = 2 VPP ， RL = 150

,

F = 70 MHz的

G = 2 ， VO = 2 VPP ， RL = 150

,

F = 70 MHz的

G = 2 ，RL = 150

,

G = 2 ，RL = 150

,

F = 1 MHz的

65

70

80

90

60

35

0.007%

0.004

3

_

纳伏/赫兹÷

pA√Hz

dBc的

DBM

典型值

92

80

95

dBc的

典型值

1.4

400

390

85

40

200

400

80

950

1000

25

38

GHz的

兆赫

V / μs的

ns

典型值

测试条件

25°C

过温

0℃至

70°C

40°C

至85℃

单位

MIN /

典型值/

最大

3

THS4271

THS4275

SLOS397E - 2002年7月 - 修订2004年1月

www.ti.com

电气特性V

S

=

±5

V（续）

RF = 249

,

R

L

= 499

,

G = 2 ，除非另有说明。

参数

直流性能

开环电压增益（ AOL ）

输入失调电压

平均失调电压漂移

输入偏置电流

平均偏置电流漂移

输入失调电流

平均失调电流漂移

输入特性

共模输入范围

共模抑制比

输入阻抗

输入电容

输出CHARACTERISTIC8

输出电压摆幅

输出电流（采购）

输出电流（沉没）

输出阻抗

电源

额定工作电压

最大静态电流

最低静态电流

电源抑制比（ PSRR + ）

电源抑制比（ PSRR ± ）

VS + = 5.5 V至4.5 V ， VS- = 5 V

VS + = 5 V ，

VS- = -5.5 V至-4.5 V

±5

22

85

75

±7.5

24

20

75

65

±7.5

27

18

70

60

±7.5

28

15

70

60

V

mA

dB

最大

民

G = +2

RL = 10

F = 1 MHz的

±4

160

80

0.1

±3.8

120

60

±3.7

110

50

±3.7

110

50

V

mA

民

典型值

VCM =

±

2 V

共模

共模/差

±4

72

5

0.4/0.8

±3.6

67

±3.5

65

±3.5

65

V

dB

M

pF

民

典型值

VO =

±

50毫伏， RL = 499

VCM = 0 V

75

5

6

1

65

10

15

6

60

12

±10

18

±10

8

±10

60

12

±10

18

±10

8

±10

dB

mV

μV/°C

A

NA / ℃，

A

NA / ℃，

民

最大

典型值

最大

典型值

最大

典型值

测试条件

25°C

过温

0℃至

70°C

-40 ° C至

85°C

单位

MIN /

典型值/

最大

掉电特性（ THS4275只）

REF = 0 V ，

或V

S

参考= V

S

+或

漂浮的

掉电静态电流

Turnon时间延迟（吨（ON））

关断延迟时间（T （ OFF））

输入阻抗

输出阻抗

启用

掉电

启用

掉电

875

650

4

3

4

200

REF+1.8

REF+1

REF1

REF1.7

1000

800

1100

900

1200

1000

V

A

s

G

k

民

最大

民

最大

典型值

掉电电压电平（1）

PD =参考+1.0 V，参考值= 0 V

PD =参考-1.7 V，参考值= VS +

最终供电电流值的50％

F = 1 MHz的

（ 1 ）为了使电源降压电路的详细信息，请参见本数据手册的应用信息的断电部分。

4

www.ti.com

THS4271

THS4275

SLOS397E - 2002年7月 - 修订2004年1月

电气特性V

S

= 5 V

RF = 249

,

R

L

= 499

,

G = 2 ，除非另有说明

参数

AC性能

G = 1 ，VO = 100 mVPP的，RL = 150

G = -1 ， VO = 100 mVPP的

小信号带宽

G = 2 ， VO = 100 mVPP的

G = 5 ， VO = 100 mVPP的

G = 10 ， VO = 100 mVPP的

0.1 dB的平坦带宽

增益带宽积

全功率带宽

压摆率

建立时间至0.1％

建立时间0.01％

谐波失真

二次谐波失真

第三谐波失真

三阶互调（ IMD3 ）

三阶输出截取点（ OIP3 ）

输入电压噪声

输入电流噪声

直流性能

开环电压增益（ AOL ）

输入失调电压

平均失调电压漂移

输入偏置电流

平均偏置电流漂移

输入失调电流

平均失调电流漂移

输入特性

共模输入范围

共模抑制比

输入阻抗

输入电容

输出特性

输出电压摆幅

输出电流（采购）

输出电流（沉没）

输出阻抗

G = +2

RL = 10

F = 1 MHz的

1.2/3.8

120

65

0.1

1.4/3.6

100

50

1.5/3.5

90

40

1.5/3.5

90

40

V

mA

民

典型值

VCM =

±

0.5 V ， VO = 2.5 V

共模

共模/差

1/4

72

5

0.4/0.8

1.3/3.7

67

1.4/3.6

65

1.5/3.5

65

V

dB

M

pF

民

典型值

VO =

±

50毫伏， RL = 499

VCM = VS / 2

68

5

6

1

63

10

15

6

60

12

±10

18

±10

8

±10

60

12

±10

18

±10

8

±10

dB

mV

μV/°C

A

NA / ℃，

A

NA / ℃，

民

最大

典型值

最大

典型值

最大

典型值

G = 1 ，VO = 100 mVPP的，RL = 150

> 10 ， F = 1兆赫

G = -1 ， VO = 2副总裁

G = 1 ， VO = 2 V步骤

G = -1 ， VO = 2 V步骤

G = 1 ， VO = 1 VPP ， F = 30 MHz的

RL = 150

RL = 499

RL = 150

RL = 499

G = 2 ， VO = 1 VPP ， RL = 150

,

F = 70 MHz的

G = 2 ， VO = 1 VPP ， RL = 150

,

F = 70 MHz的

F = 1 MHz的

F = 10MHz的

75

72

70

65

32

3

dBc的

DBM

纳伏/赫兹÷

PA / ÷赫兹

典型值

1.2

380

360

80

35

120

350

60

700

750

18

66

GHz的

兆赫

V / μs的

ns

典型值

测试条件

25°C

过温

0℃至

70°C

-40 ° C至

85°C

单位

MIN /

典型值/

最大

5