TC74HCT32AP/AF/AFN
东芝CMOS数字集成电路
硅单片
TC74HCT32AP,TC74HCT32AF,TC74HCT32AFN
四2输入或门
该TC74HCT32A是一个高速CMOS 2输入或门
制造与硅栅
2
MOS技术。
它实现了类似于等效的高速操作
输入通道,同时保持CMOS低功耗。
此设备可被用作一个电平转换器,用于连接
TTL或NMOS以高速CMOS 。输入是兼容的
与TTL , NMOS和CMOS输出电平。
内部电路是由4个阶段,包括缓冲
输出,提供高抗噪性和稳定的输出。
所有的输入都配备了防静电保护电路
解除或瞬态过电压。
注意: xxxFN (JEDEC SOP)不在可用
日本。
TC74HCT32AP
TC74HCT32AF
特点
高速:吨
pd
= 12 ns(典型值),在V
CC
= 5 V
低功耗:我
CC
= 1
μA
(最大)在TA = 25℃
兼容TTL输出: V
IH
= 2 V (最小值)
V
IL
= 0.8 V(最大值)
广泛的接口能力: LSTTL , NMOS , CMOS
输出驱动能力: 10输入通道负载
对称的输出阻抗: | I
OH
| = I
OL
= 4 MA( MIN )
平衡传输延迟:吨
PLH
t
PHL
引脚和功能与74LS32兼容
TC74HCT32AFN
引脚分配
重量
DIP14-P-300-2.54
SOP14-P-300-1.27A
SOL14-P-150-1.27
:0.96克(典型值)。
0.18克(典型值)。
0.12克(典型值)。
1
2007-10-01
TC74HCT32AP/AF/AFN
IEC逻辑符号
真值表
A
H
L
H
L
B
H
H
L
L
Y
H
H
H
L
绝对最大额定值(注1 )
特征
电源电压范围
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流
DC V
CC
/接地电流
功耗
储存温度
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
等级
0.5~7
0.5~V
CC
+
0.5
0.5~V
CC
+
0.5
±20
±20
±25
±50
500 ( DIP ) (注2 ) / 180 ( SOP )
65~150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
注1 :任何超过绝对最大额定值,即使短暂,导致恶化IC性能或
甚至是破坏。
在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下(即工作温度/电流/电压等)内的绝对
最大额定值和经营范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
注2: 500毫瓦Ta的范围
= 40
至65℃ 。来自TA
=
65 85 ℃的降额因子
10
毫瓦/°C的应
应用到300毫瓦。
工作范围(注)
特征
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
输入上升和下降时间
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
OPR
t
r
, t
f
等级
4.5~5.5
0~V
CC
0~V
CC
40~85
0~500
单位
V
V
V
°C
ns
注意:
必须保持在工作范围,以确保设备的正常运行。
未使用的输入必须连接到VCC或GND 。
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2007-10-01