THN6701B
□
评估板（ FRS为465兆赫）
部分
C8
C5
C4
L1
C1
C2 C3
C7
L2
C6
价值
100 pF的（ 1608年，村田）
10 pF的（ 1608年，村田）
18 pF的（ 1608年，村田）
1 NF（ 1608 ，村田制作所）
15pF的（ 1608年，村田）
100 NH（ 1608 ，村田制作所）
0.4 X 1.5 X 6T
（空心线圈）
C1, C4
C7, C9
C2
C3
C9
C5,C8
C6
L1
L2
FR4玻璃环氧树脂：介电常数= 4.5 ，厚度= 0.8毫米
评估电路板尺寸= 119
ⅹ
50 mm
2
测试条件： CW测试，V
CC
= 6.0 V，I
CQ
= 50 mA时， F = 465 MHz的
□
测试电路原理图
V
BB
100 pF的
1 nF的
V
CC
1 nF的
100 pF的
100 nH的
L2
0.5 X 1.5 X 6T
W = 1.3毫米
L = 10毫米
W = 1.3毫米
100 pF的
L = 42毫米
产量
输入
100 pF的
W = 1.3毫米
L = 36毫米
W = 1.3毫米
升= 5毫米
W = 1.3毫米
L± 2毫米
15 pF的
10 pF的
18 pF的
5
初步speci fi cation
NPN硅锗RF功率晶体管
SOT223
THN6701B
以毫米单位
□
应用
- UHF和VHF宽频带放大器
6.5
3.0
4
□
特点
- 高功率增益
MAG = 15 dB的V
CE
= 6 V，I
C
= 400 mA时， F = 465 MHz的
- 高功率
P
OUT
= 35 dBm的（ 3W ） @ V
CE
= 6 V，I
CQ
= 50 mA时， F = 465 MHz的
1
2.3
0.7
4.6
3.5
7.0
2
3
引脚配置
1.基地
2.辐射源
3.收集
4.发射器
□
绝对最大额定值
(T
A
= 25
℃)
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
评级
17
12
1.5
1
4.5
150
-65 ~ 150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
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第1页6
1.0版
初步speci fi cation
□
热特性
符号
R
日J-一
参数
从结点到环境的热阻
THN6701B
价值
27
单位
K / W
□
电气特性
(T
A
= 25
℃)
参数
集电极截止电流
符号
I
CBO
I
首席执行官
发射极截止电流
直流电流增益
反向传输电容
I
EBO
h
FE
C
re
测试条件
V
CB
= 15 V，I
E
= 0毫安
V
CE
= 11 V，I
B
= 0毫安
V
EB
= 1.0 V，I
C
= 0毫安
V
CE
= 6 V，I
C
= 200毫安
V
CB
= 6 V，I
E
= 0 mA时， F = 1兆赫
分钟。
-
-
-
40
-
典型值。
-
-
-
-
6.2
马克斯。
1.0
5.0
1.0
300
-
pF
单位
□
h
FE
分类
记号
h
FE
价值
R6701
40 - 200
R6701
·
170 - 300
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第2 6
1.0版
初步speci fi cation
□
典型特征（T
A
= 25
℃
除非另有规定编）
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
反向传输电容，C
re
（PF ）
THN6701B
反向传输电容
与集电极 - 基极电压
10.0
9.5
9.0
8.5
8.0
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
0
2
4
6
8
10
500
集电极电流，I
C
（MA ）
V
CE
= 6 V
400
300
200
100
0
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
基地发射极电压，V
BE
(V)
集电极 - 基极电压，V
CB
(V)
直流电流增益
与集电极电流
150
V
CE
= 6 V
集电极电流
与集电极到发射极电压
0.9
0.8
集电极电流，I
C
(A)
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
I
B
步= 2毫安
125
直流电流增益，H
FE
100
75
50
25
0
-3
10
10
-2
10
-1
10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
集电极电流，I
C
(A)
集电极到发射极电压，V
CE
(V)
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第3页6
1.0版
初步speci fi cation
□
应用信息
射频性能在T
S
≤
60
℃
在共发射极配置
操作模式
CW ， AB类
F（兆赫）
465
V
CE
(V)
6
P
OUT
（ dBm的）
35
THN6701B
G
P
（ dB）的
≥10
η
C
(%)
60
输出功率和功率增益
随输入功率
40
F = 465兆赫，V
CC
= 6 V，I
CQ
= 50毫安
集电极电流和集电极效率
随输入功率
18
16
功率增益，G
P
（ dB）的
1.6
1.4
集电极电流，I
C
(A)
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
5
10
15
20
25
I
C
η
C
80
F = 465兆赫，V
CC
= 6 V，I
CQ
= 50毫安
输出功率P
OUT
（ dBm的）
30
25
20
15
10
G
P
P
OUT
60
50
40
30
20
10
0
30
14
12
10
8
6
30
0
5
10
15
20
25
输入功率， P
IN
（ dBm的）
输入功率， P
IN
（ dBm的）
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第4 6
1.0版
集热效率，
η
C
(%)
35
70
初步speci fi cation
□
评估板（ FRS为465兆赫）
THN6701B
部分
C8
C5
C4
L1
C1
C2 C3
C7
L2
C6
价值
100 pF的（ 1608年，村田）
10 pF的（ 1608年，村田）
18 pF的（ 1608年，村田）
1 NF（ 1608 ，村田制作所）
15pF的（ 1608年，村田）
100 NH（ 1608 ，村田制作所）
0.4 X 1.5 X 6T
（空心线圈）
C1, C4
C7, C9
C2
C3
C9
C5,C8
C6
L1
L2
FR4玻璃环氧树脂：介电常数= 4.5 ，厚度= 0.8毫米
评估电路板尺寸= 119
ⅹ
50 mm
2
测试条件： CW测试，V
CC
= 6.0 V，I
CQ
= 50 mA时， F = 465 MHz的
□
测试电路原理图
V
BB
100 pF的
1 nF的
V
CC
1 nF的
100 pF的
1 nH的
L2
0.5 X 1.5 X 6T
W = 1.3毫米
L = 11毫米
W = 1.3毫米
100 pF的
L = 39毫米
产量
输入
100 pF的
W = 1.3毫米
L = 36毫米
W = 1.3毫米
L = 2.8毫米
W = 1.3毫米
L = 1.8毫米
15 pF的
10 pF的
18 pF的
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