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THD200FI
高压快速切换
NPN功率晶体管
s
s
s
s
意法半导体的优选
SALESTYPE
高电压能力
非常高开关速度
U.L.认可ISOWATT218包装
( U.L.文件# E81734 ( N) )
3
2
1
应用范围:
s
水平偏转
MONITORS
描述
THD200FI
is
使用制造
Multiepitaxial梅萨技术,具有成本效益
高性能,采用了空心发射
结构,提高开关速度。
该THD系列是专为在横向使用
在电视和显示器的偏转电路。
ISOWATT218
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
吨OT
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 基极电压(I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压(I
B
= 0)
发射极 - 基极电压(I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值(T
p
& LT ; 5毫秒)
基极电流
基峰电流(T
p
& LT ; 5毫秒)
总功耗在T
c
= 25 C
圣ORAGE温度
马克斯。工作结温
o
价值
1500
700
10
10
20
5
10
57
-65到150
150
UNI吨
V
V
V
A
A
A
A
W
o
o
C
C
1/7
1999年12月
THD200FI
热数据
R
吨HJ -CA SE
热阻结案件
最大
2.2
o
C / W
电气特性
(T
= 25
o
C除非另有说明)
SYMB OL
I
CES
I
EBO
参数
集电极截止
电流(V
BE
= 0)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
测试电导率银行足球比赛s
V
CE
= 1500 V
V
CE
= 1500 V
V
EB
= 5 V
I
C
= 100毫安
700
T
j
= 125 C
o
分钟。
典型值。
马克斯。
0.2
2
100
取消它
mA
mA
A
V
V
CEO ( SUS)
集电极 - 发射极
维持电压
(I
C
= 0)
V
EBO
V
CE (SAT)
V
BE (S AT)
h
FE
发射极 - 基极电压
(I
B
= 0)
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
直流电流摹泉
电阻式LO AD
贮存时间
秋季牛逼IME
感性负载
贮存时间
秋季牛逼IME
I
E
= 10毫安
I
C
= 7 A
I
C
= 7 A
I
C
= 7 A
I
C
= 7 A
I
B
= 1.5 A
I
B
= 1.5 A
V
CE
= 5 V
V
CE
= 5 V
10
1.5
1.3
6.5
4
2.1
140
3.5
320
13
V
V
V
T
j
= 100 C
o
t
s
t
f
t
s
t
f
V
CC
= 400 V
I
B1
= 1.5 A
I
C
= 7 A
I
B1
= 1.5 A
I
C
= 7 A
I
B2
= 3.5 A
3.1
210
s
ns
s
ns
F = 31250赫兹
I
B2
= -3.5 A
π
V
eflybac
= 1200的罪
10
6
t
5
F = 64千赫
I
B2
= -3.5 A
π
6
V
eflybac
= 1200的罪
10
t
5
V
t
s
t
f
感性负载
贮存时间
秋季牛逼IME
I
C
= 7 A
I
B1
= 1.5 A
V
1.7
215
s
ns
脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 %
2/7
THD200FI
安全工作区
热阻抗
降额曲线
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基极发射极饱和电压
3/7
THD200FI
功率损耗为32KHz
开关时间感性负载在32千赫
(参见图2)
功率损耗为64千赫
开关时间感性负载在64千赫
(参见图2)
反向偏置SOA
4/7
THD200FI
基极驱动信息
以饱和的电源开关,并减少
导通损耗,足够直接的基极电流
I
B1
已被设置为最低增益
FE
在T
j
= 100
o
C(行扫描相位) 。另一方面,
负基极电流I
B2
必须提供转
断功率晶体管(回扫期) 。大多数
的耗散,特别是在偏转
应用程序时,发生在开关关闭,因此它是必不可少
确定的I值
B2
最大限度地减少
功率损耗,下降时间t
f
,因此,T
j
. A
新组曲线已被定义,得到总
功率损耗,T
s
和T
f
为I的函数
B2
在这两个
32千赫和64千赫的频率扫描
责令选择最佳的负驱动。该
测试电路被示于图。 1 。
图1:
感应负载开关测试电路。
电感L
1
用于控制的斜率
负基极电流I
B2
为了重组
多余的载流子的收集器时基
目前仍然存在,从而避免了任何拖尾
现象中的集电极电流。
L和C的值是从所计算的
下面的等式:
1
1
L
(
I
C
)
2
=
C
(
V
CEfly
)
2
2
2
1
ω =
2
π
f
=
L
C
在那里我
C
=工作集电极电流,V
CEfly
=
反激电压, F =振荡期间频率
追溯。
图2:
开关在偏转电路波形。
5/7
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