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TPC6504

东芝三极管

硅NPN外延型

TPC6504

高速开关应用

DC- DC转换器应用

频闪的应用

高直流电流增益

高速开关

: h

= 400 1000 （我

= 0.1 A)

: t

= 85 ns（典型值）。

单位：mm

低集电极 - 发射极饱和电压： V

CE （SAT）

= 0.17 V（最大值）

绝对最大额定值

（大

25°C)

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

（注1 ）

基极电流

集电极电源

耗散

（注2 ）

结温

存储温度范围

10 s

脉冲

符号

CBO

CEX

首席执行官

EBO

英镑

等级

100

1.0

2.0

0.1

0.8

1.6

150

单位

°C

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-3T1C

重量： 0.011克（典型值）。

注1 ：确保通道温度不超过150 ℃，使用该设备的过程中。

注2 ：安装在FR4电路板（环氧玻璃，厚1.6毫米，铜区， 645毫米

)

注3 ：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用

在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著

即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对

最大额定值。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验

报告与估计的故障率，等）。

2009-07-23

TPC6504

电气特性

（大

25°C)

特征

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极击穿电压

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极输出电容

上升时间

开关时间

贮存时间

下降时间

符号

CBO

EBO

（ BR ） CEO

(1)

(2)

CE （SAT）

BE （SAT）

英镑

测试条件

100 V，I

7 V，I

10毫安，我

2 V，I

0.1 A

2 V，I

0.3 A

300毫安，我

6毫安

300毫安，我

6毫安

10 V，I

0, f

1兆赫

参见图1电路原理图。

≈

30 V ，R

100

10mA

民

400

200

典型值。

680

最大

100

1000

0.17

1.1

单位

图1.开关时间测试电路&时序图

μs

占空比

＆ LT ;

输入

产量

电路CON组fi guration

记号

很多代码（月）

LOT号

产品型号

（或缩写代码）

H2D

产品特定的代码

批号

（年）

针＃ 1

注4

注4：圆点标志标识产品标签的指示。

[ G] ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]

请联系您的东芝销售代表的详细情况，诸如环境问题，如RoHS指令

产品的兼容性。

RoHS指令的指令2002/95 / EC欧洲议会和27个理事会2003年1月就

限制在电子电器设备中使用某些有害物质。

2009-07-23

TPC6504

– V

0.8

10000

– I

(A)

直流电流增益

100°C

1000

100

集电极电流I

0.6

0.4

1mA

0.2

共发射极

25°C

单脉冲试验

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

共发射极

VCE

2 V

单脉冲试验

0.01

0.1

0.001

集电极 - 发射极电压V

(V)

集电极电流I

(A)

CE （SAT）

– I

BE （SAT）

– I

集电极 - 发射极饱和电压

CE （SAT）

(V)

基射极饱和电压

BE （SAT）

(V)

共发射极

IC / IB

单脉冲试验

共发射极

IC / IB

单脉冲试验

0.1

100°C

0.01

0.001

0.01

0.1

0.001

0.01

0.1

集电极电流I

(A)

集电极电流I

(A)

－V

共发射极

VCE

2 V

单脉冲试验

集电极电流I

(A)

0.8

0.6

0.4

100°C

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

基射极电压

(V)

2009-07-23

TPC6504

– t

1000

瞬态热阻

（ ° C / W）

100

曲线应该在热面积有限施加。

单一不重复的脉冲

0.001

0.01

25°C

安装在FR4电路板（环氧玻璃，厚1.6毫米，铜面积： 645毫米

)

0.1

100

1000

脉冲宽度

(s)

安全工作区

集成电路最大值（脉冲） *

10毫秒*

1毫秒* 100

μs*

(A)

IC MAX（连续）

100毫秒*

直流操作

TA = 25°C

集电极电流I

0.1

单一不重复的脉冲

25°C

需要注意的是曲线为10ms ，

100毫秒， 10秒和DC操作

将是不同的时，该设备

是不是安装在FR4板

（环氧玻璃，厚1.6毫米，铜

面积： 645毫米）。

这些特性曲线必须

与增加呈线性降额

在温度。

0.1

10 s*

0.01

0.001

100

集电极 - 发射极电压V

(V)

最大VCEO

2009-07-23

TPC6504

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半导体可靠性手册“和（b）对于该产品将具有或所使用的应用程序的说明。客户

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使用此类设计或应用该产品的适当性; （ b）评价和确定的任何适用性

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电力，装备财务相关领域。不要使用产品的误用，除非在此特别许可

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2009-07-23