THBT200S
瞬态电压抑制器
为SLIC保护
专用分立器件
A.S.D.
特点
DUAL BIDIRECTIONALCROWBARPROTECTION 。
峰值脉冲电流:
- I
PP
= 75 A, 10/1000
s.
维持电流= 150 mA(最小值)
击穿电压为200 V分钟。
转折电压= 290 V最大。
单片器件。
描述
此单片保护装置已埃斯佩
cially旨在保护用户线cards.The
THBT200装置特别适用于保护
对瞬态overvol-环式发电机继电器
每日新闻。
SIP3
COMPLIESWITHTHE FOLLOWINGSTANDARDS :
CCITT K20 :
VDE 0433 :
VDE 0878 :
FCC第68部分:
Bellcore实验室
TR- NWT- 001089 :
10/700
s
5/310
s
10/700
s
5/310
s
1.2/50
s
1/20
s
2/10
s
2/20s
2/10
s
2/10s
10/1000s
10/1000s
1kV
25A
2kV
50A
1.5kV
40A
2.5kV
225A (*)
2.5kV
225A (*)
1kV
75A (*)
原理图
N c个
1
牛逼的IP
2
G N
3
( * )与串联电阻或PTC 。
R IN摹
4
TM : ASD是SGS - THOMSON微电子公司的注册商标。
1998年2月
ED : 2
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THBT200S
电气特性
(T
AMB
= 25°C).
符号
V
RM
I
RM
V
BR
V
BO
I
H
I
BO
I
PP
C
参数
待机offvoltage
漏电流在V
RM
连续反向电压
击穿电压
保持电流
导通电流
峰值脉冲电流
电容
IBO
IH
IRM
VRM VBR VBO
V
IPP
I
与一个TRISIL ( TIP和GND或环和GND之间)参数
I
RM
马克斯。
@ V
RM
V
BR
@ I
R
分钟。
马克斯。
V
BO
@
I
BO
马克斯。
I
H
分钟。
注2
mA
800
mA
150
C
马克斯。
注3
pF
200
分钟。
注1
A
10
注1 :
注2 :
注3
:
V
180
V
200
mA
1
V
290
mA
150
请参见参考测试电路1 IBO和VBO参数。
见测试电路2 。
VR = 1V , F = 1MHz的。
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THBT200S
参考测试电路1 FOR I
BO
和V
BO
参数:
t
测试步骤:
脉冲测试持续时间( TP = 20毫秒) :
- 对于双向器件=开关K闭合
- 单向设备=开关K断开。
V
OUT
选择
- 设备与V
BO
& LT ;
200伏
- V
OUT
= 250 V
RMS
, R
1
= 140
.
- 设备与V
BO
≥
200伏
- V
OUT
= 480 V
RMS
, R
2
= 240
.
功能HOLDING电流(I
H
)测试电路2 。
R
D.U.T.
V
BAT
= - 48 V
浪涌发生器
- V
P
这是一个GO - NOGO测试,其允许确认的保持电流(I
H
在一个功能性)水平
测试电路。
测试步骤:
1)调整所述电流电平在我
H
值由短路的D.U.T.的AK
2 )消防用浪涌电流DUT :伊普= 10A , 10/1000
s.
3) DUT会回来的关断状态在50毫秒内最大。
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THBT200S
应用电路
典型的线路卡保护的概念
环
发电机
-V
BAT
线路一
T
E
S
T
R
E
L
A
Y
S
B线
PTC
TIP
环
接力
SLIC
环
PTC
THBT200S
THDTxxx
or
LCPxxx
功能说明
线路一
TIP
A线和B保。
每行( TIP和RING )由bidi-保护
rectional TRISIL ,这将触发以最大电压
年龄等于在V
BO
.
B线
环
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