H
VE S·C
AV R M
一个I S IO P L
L A IA
BL S N牛逼
E
TISP4070J1BJ THRU TISP4395J1BJ
双向晶闸管过电压保护
*R
o
TISP4xxxJ1BJ过电压保护器系列
Y形结构的接地回路元
上元素-2x电流能力
- 适用于电压范围广
- 使对称和非对称设计
-SMB （ DO- 214AA ）封装
离子注入击穿区
- 精确和稳定的电压
- 低电压过冲下浪涌
设备
TISP4070J1
TISP4080J1
TISP4095J1
TISP4115J1
TISP4125J1
TISP4145J1
TISP4165J1
TISP4180J1
TISP4200J1
TISP4219J1
TISP4250J1
TISP4290J1
TISP4350J1
TISP4395J1
V
DRM
V
58
65
75
90
100
120
135
145
155
180
190
220
275
320
V
（BO）
V
70
80
95
115
125
145
165
180
200
219
250
290
350
395
2/10
8/20
10/160
10/700
10/560
GR-1089-CORE
IEC 61000-4-5
TIA / EIA- IS- 968 （ FCC第68部分）
ITU -T K.20 /四十五分之二十一
TIA / EIA- IS- 968 （ FCC第68部分）
GR-1089-CORE
SMB封装（顶视图）
MT1
1
2
MT2
MD4JAA
设备符号
MT2
MT1
SD4JAA
额定国际浪涌波形
波形
标准
I
PPSM
A
1000
800
400
350
250
200
............................................ UL认可零部件
10/1000
描述
该TISP4xxxJ1BJ是已经设计为尾部（接地回路）元件的对称电压触发双向晶闸管装置
对A Y电路配置的保护。这样， TISP4xxxJ1BJ额定值必须能够进行TIP和RING电流的总和。例如，
正常的GR -1089 -CORE测试可以并处200 A， 10/1000和1000 A ， 2/10的Y形结构的接地回路元件上。运用
在TISP4xxxJ1BJ与两名TISP4xxxH3BJ部分给出了一个2倍100 A， 10/1000 保护电路。为ITU-T的应用中，使用
TISP4xxxJ1BJ与TISP3xxxT3BJ给出了2倍120 A，三百十分之五能力的协调保护。设计表中给定的
应用信息部分。这些SMB封装组合往往更多的空间效率比单包保护
多芯片集成。
这些器件允许的信号电压，无需裁剪，直到达到最大断态电压值，V
DRM
，参见图1的电压高于V
DRM
是
限制，并且不会超过导通电压V
（BO）
，水平。如果有足够的电流流过，由于该过电压时，器件转换成低
电压的导通状态的条件，该转移免受过电压的电流通过器件。当被转移的电流下降到低于
保持电流，我
H
，整平装置关闭，并恢复系统正常运行。
如何订购
标准
终止完成
顺序
TISP4xxxJ1BJR
设备
TISP4xxxJ1BJ
包
BJ （ SMB / DO- 214AA J-弯）
支架
R（卷带卷取）
对于无铅
终止完成
顺序
TISP4xxxJ1BJR-S
*符合RoHS指令2002/95 / EC 2003年1月27日，包括附件
2001年9月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP4xxxJ1BJ过电压保护器系列
绝对最大额定值， TA = 25
°C
（除非另有说明）
等级
’4070
’4080
’4095
’4115
’4125
’4145
重复峰值断态电压
’4165
’4180
’4200
’4219
’4250
’4290
’4350
‘4395
非重复性峰值通态脉冲电流（见注1和2 ）
2/10 （符合Telcordia GR -1089 -CORE ， 2/10电压波形）
8/20 （ IEC 61000-4-5 ，混合波形发生器， 1.2 / 50伏的年龄波形）
一百六分之一十（ TIA / EIA- IS- 968 （替换FCC第68部分） ，一百六十○分之一十电压波形）
二百五十〇分之四（ITU-T K.20 / 21 10/700电压波形，同时）
三百一分之五（ ITU -T K.20 / 21 ， 10/700伏年龄波形，单）
三百二十〇分之五（ TIA / EIA- IS- 968 （替换FCC第68部分） ，七百二十零分之九电压波形，单）
五百六十○分之一十（ TIA / EIA- IS- 968 （替换FCC第68部分） ，五百六十零分之十电压波形）
10/1000 （符合Telcordia GR -1089 -CORE ， 10/1000电压波形）
非重复性峰值通态电流（见注1和2 ）
50赫兹， 1个循环
60赫兹， 1个循环
在-S大老电流上升的初始速度，
结温
存储温度范围
线性电流斜坡，斜坡的最大价值< 50 A
di
T
/ DT
T
J
T
英镑
I
TSM
80
100
800
-40到+150
-65到+150
A / μs的
°C
°C
A
I
PPSM
1000
800
400
370
350
350
250
200
A
V
DRM
符号
价值
±58
±65
±75
±90
±100
±120
±135
±145
±155
±180
±190
±220
±275
±320
V
单位
注释：1.最初，设备必须在以T热平衡
J
= 25
°C.
2.这些不重复的额定电流是任一极性的峰值。电涌可能会重复后，设备恢复到
初始条件。
推荐工作条件
部件
串联电阻为GR -1089 -CORE一级浪涌生存
串联电阻的ITU - T建议K. 20 / K.45 / K.21 （基本coordi与400 V GDT国家）
R1 ， R2串联电阻为TIA / EIA- IS- 968 （替换FCC第68部分） ， 720分之9生存
串联电阻为TIA / EIA- IS- 968 （替换FCC第68部分） ，五百六十○分之十生存
串联电阻为TIA / EIA- IS- 968 （替换FCC第68部分） ，一百六十○分之十生存
民
0
6.5
0
0
0
典型值
最大
单位
2001年9月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP4xxxJ1BJ过电压保护器系列
电气特性， TA = 25
°C
（除非另有说明）
参数
I
DRM
场外重复峰值
目前状态
V
D
=
±V
DRM
测试条件
T
A
= 25
°C
T
A
= 85
°C
4070
’4080
’4095
’4115
’4125
’4145
V
（BO）
AC击穿电压
的dv / dt =
±250
V / ms的，R
来源
= 300
’4165
’4180
’4200
’4219
’4250
’4290
’4350
‘4395
4070
’4080
’4095
’4115
’4125
dv / dt的
≤±1000
V / μs的，线性电压斜坡，
V
（BO）
斜导通
电压
最大斜坡值=
±500
V
的di / dt =
±20
A / μs的，线性电流斜坡，
最大斜坡值=
±10
A
’4145
’4165
’4180
’4200
’4219
’4250
’4290
’4350
‘4395
4070
’4080
’4095
’4115
’4125
’4145
V
（BO）
脉冲导通
电压
2/10波形，我
PP
=
±1000
A，R
S
= 2.5
,
（见注3 ）
’4165
’4180
’4200
’4219
’4250
’4290
’4350
‘4395
±96
±101
±112
±130
±140
±161
±183
±199
±221
±242
±276
±320
±386
±434
V
民
典型值
最大
±5
±10
±70
±80
±95
±115
±125
±145
±165
±180
±200
±219
±250
±290
±350
±395
±77
±88
±104
±125
±135
±156
±177
±192
±212
±231
±263
±303
±364
±409
V
V
单位
A
注3 ：动态电压测量应与有限的带宽（ 20 MHz）的示波器进行，以避免高频
噪声。
2001年9月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP4xxxJ1BJ过电压保护器系列
电气特性， TA = 25
°C
（除非另有说明） （续）
参数
I
（BO）
I
H
dv / dt的
I
D
导通电流
保持电流
的临界上升率
断态电压
FF-态电流
的dv / dt =
±250
V / ms的，
测试条件
R
来源
= 300
±20
±5
T
A
= 85
°C
VD = 1 V有效值，V
D
= 0,
4070 '通' 4115
4125 '通' 4219
4250 '通' 4395
F = 1MHz时，
VD = 1 V有效值，V
D
= -1 V
4070 '通' 4115
4125 '通' 4219
4250 '通' 4395
C
关闭
关态电容
F = 1MHz时，
VD = 1 V有效值，V
D
= -2 V
4070 '通' 4115
4125 '通' 4219
4250 '通' 4395
F = 1MHz时，
VD = 1 V有效值，V
D
= -50 V
4070 '通' 4115
4125 '通' 4219
4250 '通' 4395
F = 1MHz时， VD = 1 V有效值，V
D
= -100 V
（见注4 ）
注4 ：为了避免可能的电压限幅，在“ 4125与V测试
D
= -98 V
4125 '通' 4219
4250 '通' 4395
195
120
105
180
110
95
165
100
90
85
50
42
40
35
±10
235
145
125
215
132
115
200
120
105
100
60
50
50
40
pF
民
典型值
最大
±600
单位
mA
mA
KV / μs的
A
I
T
=
±5
A， di / dt的= +/- 30毫安/ MS
线性电压斜坡，斜坡的最大价值< 0.85 V
DRM
V
D
=
±50
V
F = 1MHz时，
热特性
参数
R
θJA
结到自由空气的热阻
测试康迪特离子
EIA / JESD51-3 PCB，我
T
= I
TSM(1000)
,
T
A
= 25
°C,
（见注5 ）
民
典型值
最大
90
单位
° C / W
注5 ： EIA / JESD51-2环境和PCB与5 A额定印刷电路线宽连接标准封装尺寸。
2001年9月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
QQ：2881677436 复制
