TGF4112-EPU
12毫米离散HFET
4112
0.5微米栅指长度
6.0瓦，在2.3GHz的标称噘
54.5 ％的名义PAE为2.3 GHz的
12.7分贝2.3GHz的标称增益
芯片尺寸36.0 X 81.0 X 4.0密耳
（ 0.914 X 2.057 X 0.102毫米）
以F TGF4112 - EPU RF性能= 2.3 GHz的
VD = 8.0 V， V G = -1.3 V ，智商= 0.75 A和T
A
= 25°C
46
噘
44
42
40
38
36
34
32
30
28
26
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
PAE
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
输入功率（dBm ）
1
TriQuint半导体公司德州电话： 972 994-8465
传真972 994-8504
网站： www.triquint.com
功率附加效率％
输出功率（dBm ）
为VD = 7.0 V，F = 2.3千兆赫，和T TGF4112 - EPU RF性能
A
= 25°
C
静态Id为0.9 （VG = -1.1 V） ， 0.72 （VG = -1.3 V）和0.61 （VG = -1.5 V）
140
130
预测通道温度（℃ ）
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
60
55
功率附加效率％
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
15
VG = -1.1V
VG = -1.3 V
VG = -1.5 V
38
37
36
输出功率（dBm ）
2
35
34
33
总胆固醇
32
31
噘
VG = -1.1V
VG = -1.3 V
VG = -1.5 V
30
29
28
27
14
13
增益（dB ）
12
11
10
9
8
14
15
VG = -1.1V
VG = -1.3 V
VG = -1.5 V
16
17
18
19 20 21 22 23
输入功率（dBm ）
24
25
26
27
28
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为VD = 8.0 V，F = 2.3千兆赫，和T TGF4112 - EPU RF性能
A
= 25°
C
静态Id为0.92 （VG = -1.1 V） ， 0.75 A （VG = -1.3 V）和0.65 （VG = -1.5 V）
140
130
预测通道温度（℃ ）
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
60
55
功率附加效率％
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
15
VG = -1.1V
VG = -1.3 V
VG = -1.5 V
38
37
36
输出功率（dBm ）
3
35
34
总胆固醇
33
32
31
噘
VG = -1.1V
VG = -1.3 V
VG = -1.5 V
30
29
28
27
14
13
增益（dB ）
12
11
10
9
8
14
VG = -1.1V
VG = -1.3 V
VG = -1.5 V
15
16
17
18
19 20 21 22 23
输入功率（dBm ）
24
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26
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为VD = 9.0 V，F = 2.3千兆赫，和T TGF4112 - EPU RF性能
A
= 25°
C
静态Id为0.92 （VG = -1.79 V） ， 0.74 （VG = -1.3 V）和0.65 （VG = -1.5 V）
150
140
预测通道温度（℃ ）
130
120
110
100
90
80
70
噘
60
50
40
55
50
功率附加效率％
45
40
35
30
25
20
15
10
5
16
VG = -1.1V
VG = -1.3 V
VG = -1.5 V
39
38
37
总胆固醇
输出功率（dBm ）
4
36
35
34
33
32
31
VG = -1.1V
VG = -1.3 V
VG = -1.5 V
30
29
28
15
14
增益（dB ）
13
12
11
10
14
15
VG = -1.1V
VG = -1.3 V
VG = -1.5 V
16
17
18
19
20 21 22 23
输入功率（dBm ）
24
25
26
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28
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直流特性为TGF4112 - EPU
DC探头参数
IDSS
GM
VP
BVgs
BVgd
饱和漏电流
跨
夹断电压
击穿电压门源
击穿电压栅极 - 漏极
公称
2940
1980
-1.85
-22
-22
单位
mA
mS
V
V
V
直流I- V曲线的例子
VG = 0.0 V至-2.75 V在0.25牛逼的步骤
A
= 25°
C
3000
2500
漏极电流（mA ）
2000
1500
1000
500
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
在V L T A G E D R A （V ）
绝对最大额定值
漏极至源极电压VDS .............................. ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .......... 12 V
栅 - 源电压Vgs的.................. ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ........ .....- 5 V至0 V
安装温度................. ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... 320℃
储存温度..................... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ........... ...... -65℃ 200℃
功耗........... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ...是指热模型
工作通道温度... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .refer到热模型
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。
这些压力额定值只，设备的这些功能操作或以后的任何其他条件
本文档中的说明是不是暗示。如果长期绝对最大额定条件
时间会影响器件的可靠性。
5
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