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TBB1017
双内置偏置电路MOS FET IC
超高频/甚高频射频放大器
REJ03G1469-0100
Rev.1.00
2006年8月7日
特点
小型SMD封装CMPAK - 6内置双BBFET ;为了减少使用零件成本& PC板空间。
非常有用的总量减少调谐器的成本。
适用于世界标准调谐器RF放大器。
高增益
低噪音
低输出电容
电源电压： 5 V
概要
瑞萨封装代码： PTSP0006JA -A
（包名称： CMPAK - 6 ）
5
4
6
2
1
3
1.漏（ 1 ）
2.源
3.栅- 1（1）
4.门- 1（2）
5.门- 2
6.漏（2）
注意事项：
1.标记是“SM” 。
2. TBB1017是瑞萨双BBFET个别型号。
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
GATE1至源极电压
GATE2至源极电压
符号
V
DS
V
G1S
V
G2S
评级
6
+6
–0
+6
–0
30
250
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
漏电流
I
D
信道功率耗散
PCH
Note3
通道温度
总胆固醇
储存温度
TSTG
注： 3。价值上的玻璃环氧树脂板（50毫米
×
40mm
×
1mm).
Rev.1.00
2006年8月7日
分页： 13 1
TBB1017
电气特性
FET1
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿
电压
GATE1源击穿
电压
GATE2源击穿
电压
GATE1源截止
当前
GATE2源截止
当前
GATE1源截止
电压
GATE2源截止
电压
漏电流
正向转移导纳
输入电容
输出电容
功率增益
噪声系数
符号
V
（ BR ） DSS
V
(BR)G1SS
V
(BR)G2SS
I
G1SS
I
G2SS
V
G1S(off)
V
G2S(off)
I
D（ OP ）
|y
fs
|
西塞
科斯
PG
NF
民
6
+6
+6
—
—
0.5
0.4
12
27
1.3
0.7
15
—
典型值
—
—
—
—
—
0.8
0.7
16
32
1.7
1.1
20
1.95
最大
—
—
—
+100
+100
1.1
1.0
20
38
2.1
1.5
25
2.7
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
mA
mS
pF
pF
dB
dB
测试条件
I
D
= 200
A,
V
G1S
= V
G2S
= 0
I
G1
= +10
A,
V
G2S
= V
DS
= 0
I
G2
= +10
A,
V
G1S
= V
DS
= 0
V
G1S
= +5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
V
G2S
= +5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 4 V，I
D
= 100
A
V
DS
= 5 V, V
G1S
= 5 V，I
D
= 100
A
V
DS
= 5 V, V
G1
= 5 V
V
G2S
= 4 V ，R
G
= 100 k
V
DS
= 5 V, V
G1
= 5 V, V
G2S
= 4 V,
F = 1千赫，R
G
= 100 k
V
DS
= 5 V, V
G1
= 5 V, V
G2S
= 4 V,
F = 1 MHz时，R
G
= 100 k
V
DS
= 5 V, V
G1
= 5 V, V
G2S
= 4 V,
R
G
= 100 kΩ的， F = 900兆赫
FET2
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿
电压
GATE1源击穿
电压
GATE2源击穿
电压
GATE1源截止
当前
GATE2源截止
当前
GATE1源截止
电压
GATE2源截止
电压
漏电流
正向转移导纳
输入电容
输出电容
功率增益
噪声系数
符号
V
（ BR ） DSS
V
(BR)G1SS
V
(BR)G2SS
I
G1SS
I
G2SS
V
G1S(off)
V
G2S(off)
I
D（ OP ）
|y
fs
|
西塞
科斯
PG
NF
民
6
+6
+6
—
—
0.5
0.4
13
25
2.3
0.9
24
—
典型值
—
—
—
—
—
0.8
0.7
17
30
2.7
1.3
29
1.0
最大
—
—
—
+100
+100
1.1
1.0
21
35
3.1
1.7
34
1.6
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
mA
mS
pF
pF
dB
dB
测试条件
I
D
= 200
A,
V
G1s
= V
G2S
= 0
I
G1
= +10
A,
V
G2S
= V
DS
= 0
I
G2
= +10
A,
V
G1S
= V
DS
= 0
V
G1S
= +5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
V
G2S
= +5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 4 V，I
D
= 100
A
V
DS
= 5 V, V
G1S
= 5 V，I
D
= 100
A
V
DS
= 5 V, V
G1
= 5 V
V
G2S
= 4 V ，R
G
= 82 k
V
DS
= 5 V, V
G1
= 5 V, V
G2S
= 4 V,
F = 1千赫，R
G
= 82 k
V
DS
= 5 V, V
G1
= 5 V, V
G2S
= 4 V,
F = 1 MHz时，R
G
= 82 k
V
DS
= 5 V, V
G1
= 5 V, V
G2S
= 4 V,
R
G
= 82 kΩ的， F = 200 MHz的
Rev.1.00
2006年8月7日
分页： 13 2
TBB1017
直流偏置电路的工作特色项目（I
D（ OP ）
, |y
fs
| ，西塞，科斯， NF ， PG ）
FET1的测量
门2
V
G2
开放
开放
I
D
V
D
A
漏
来源
门1
R
G
V
G1
FET2的测量
V
G2
门2
漏
I
D
V
D
A
门1
R
G
V
G1
开放
来源
开放
Rev.1.00
2006年8月7日
第13 3
TBB1017
900 MHz功率增益，噪声系数测试电路
V
G1
V
G2
C4
C5
V
D
C6
R1
R2
C3
G2
R3
D
L3
RFC
产量
(
50
)
L4
输入
(
50
)
L1
L2
G1
S
C1
C2
C1, C2
C3
C4 ~ C6
R1
R2
R3
:
:
:
:
:
:
可变电容（ 10pF的MAX）
圆盘电容器（1000 pF的）
空气电容器（1000 pF的）
100 k
47 k
4.7 k
L1:
10
10
L2:
26
3
3
（ φ 1毫米铜线）
单位：mm
8
21
L4:
29
10
7
7
10
L3:
18
RFC ：
φ1
毫米铜线珐琅4圈内部直径6毫米
Rev.1.00
2006年8月7日
第13 4
TBB1017
200 MHz功率增益，噪声系数测试电路
V
T
1000 p
V
G2
1000 p
V
T
1000 p
47 k
输入（ 50
)
1000 p
36 p
L1
1000 p
47 k
FET2
L2
1000 p
47 k
输出（ 50
)
10 P最大
1000 p
1SV70
R1
1000 p
V
G1
1000 p
V
D
单位：电阻（Ω ）
电容（ F）
RFC
1SV70
R1 ： 82千欧
L1 :
φ1
mm的漆包铜线，内部直径10mm时， 2圈
L2 :
φ1
mm的漆包铜线，内部直径10mm时， 2圈
RFC ：
φ1
mm的漆包铜线，内部直径5毫米2圈
Rev.1.00
2006年8月7日
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