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TGF2961-SD
1瓦的DC- 4GHz的包装HFET
主要特点
频率范围: DC- 4 GHz的
标称900MHz的应用板的性能:
TOI : 44 dBm的
31 dBm的PSAT , 30 dBm的P1dB为
增益: 18分贝
输入回波损耗: -15分贝
输出回波损耗: -7分贝
偏见: VD = 8 V ,ID = 200mA时Vg的= -1.0 V
(典型值)
封装尺寸: 4.5 ×4× 1.5毫米
900 MHz的应用板
性能
偏置条件: VD = 8 V , IDQ = 200 mA时, V G = -1.0 V(典型)
20
20
15
增益(dB )
15
收益
IRL
ORL
5
0
-5
-10
-15
IRL和ORL ( dB)的
10
主要应用
蜂窝基站
WiMAX的
无线基础设施
IF & LO缓冲器的应用
RFID
产品说明
该TGF2961 - SD是一个高性能的1瓦
砷化镓异质结场效应晶体管
( HFET )装在一个低成本的SOT89表面
贴装封装。
该器件的理想的工作点是在漏极偏压
8 V和200 mA的电流。在这种偏差在900 MHz的时
相映成使用外部元件50欧姆,
这个设备能够在18分贝的增益为30 dBm的
饱和输出功率和44 dBm的输出IP3的
评估板在900兆赫, 1900兆赫和
2100兆赫可应要求提供。
RoHS和无铅标准
10
5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
频率(GHz )
31
-20
PSAT ( DBM)
30
29
0.86
0.87
0.88
0.89
0.91
0.92
0.93
0.94
0.95
0.96
0.97
0.9
频率(千兆赫)
改变数据表,恕不另行通知。
TriQuint半导体: WWW 。 triquint.com (972)994-8465传真(972)994-8504 Info-mmw@tqs.com
2007年8月修订版A
1
表一
绝对最大额定值1 /
符号
VD -VG
Vd
Vg
Id
Ig
漏极电压
栅极电压范围
漏电流
栅电流范围
输入连续波功率
TGF2961-SD
笔记
2/
参数
漏极至栅极电压
价值
17 V
9V
-5至0 V
780毫安
-2.4到17.8毫安
29 dBm的
2/
2/
1/
这些评级代表了该设备的最大可操作的价值。强调超越这些上市
“绝对最大额定值”,可能会造成永久性损坏设备和/或影响
器件的寿命。这些压力额定值只,设备的这些功能操作
条件是不是暗示。
电源电压,电源电流,输入功率,输出功率的组合应不超过
表四列出的最大功耗。
2/
表二
推荐工作条件
符号
Vd
IDQ
Id
Vg
漏极电压
漏电流
漏电流在PSAT
栅极电压
参数1 /
典型的价值
8V
200毫安
260毫安
-1.0 V
1/
见装配图的偏差说明。
2
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2007年8月修订版A
TGF2961-SD
表三
射频表征表
偏见: VD = 8 V , IDQ = 200 mA时, V G = -1.0 V,典型的
符号
收益
参数
小信号增益
测试条件
900兆赫
1900兆赫
2100兆赫
900兆赫
1900兆赫
2100兆赫
900兆赫
1900兆赫
2100兆赫
900兆赫
1900兆赫
2100兆赫
900兆赫
1900兆赫
2100兆赫
900兆赫
1900兆赫
2100兆赫
900兆赫
1900兆赫
2100兆赫
公称
18
15
15
-15
-15
-15
-6
-6
-6
30.5
31
31
29.5
30
30
44
44
44
3.3
4.3
4.3
单位
dB
笔记
1/
2/
3/
1/
2/
3/
1/
2/
3/
1/
2/
3/
1/
2/
3/
1/
2/
3/
1/
2/
3/
IRL
输入回波损耗
dB
ORL
输出回波损耗
dB
PSAT
饱和输出
动力
输出功率@ 1分贝
压缩
输出TOI
DBM
P1dB
DBM
TOI
DBM
NF
噪声系数
dB
1/
2/
3/
使用900 MHz的应用板。
采用1900 MHz的应用板
采用2100 MHz的应用板
3
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2007年8月修订版A
TGF2961-SD
表四
功耗和热性能
参数
最大功率耗散
测试条件
Tbaseplate = 70 °
C
价值
PD = 2.7 W
Tchannel = 175 °
C
TM = 8.7E + 06小时
θJC
= 39 (°
C / W )
Tchannel = 147 °
C
TM = 1.86E + 08小时
θJC
= 39 (°
C / W )
Tchannel = 127 °
C
TM = 2.27E + 09小时
笔记
1/ 2/
热阻,
θJC
VD = 8 V
ID = 200毫安
PD =为1.6W
Tbaseplate = 85 °
C
VD = 8 V
ID = 260毫安
POUT = 30 dBm的
PD = 1.08 W
Tbaseplate = 85 °
C
热阻,
θJC
在RF驱动器
安装温度
储存温度
1/
参见“典型的回流焊曲线”表
-65到150
C
对于8.7E6小时平均寿命,功耗限制为
加入Pd(最大值) = ( 175° - TBASE °/
θJC
C
C)
2/
通道的工作温度将直接影响设备的平均无故障时间( MTTF ) 。为
最大寿命,所以建议信道的温度被保持在尽可能低的
的水平。
功率降容曲线
6
TM = 8.7E6小时
耗散功率( W)
5
4
3
2
1
0
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175 200
底板温度(C )
4
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TGF2961-SD
GMAX ,最大稳定增益, K系数
偏置条件: VD = 8 V , IDQ = 200 mA时, V G = -1.0 V(典型)
35
30
GMAX和味精 - 分贝
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
频率(千兆赫)
GMAX
最大稳定增益
K系数
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
K系数
5
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2007年8月修订版A
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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