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微波功率GaAs FET
微波半导体
TIM1415-2
技术参数
特点
n
高功率
P1dB为33.5dBm =在14.5GHz至15.0GHz
n
高增益
G1dB = 6.0分贝在14.5GHz至15.0GHz
n
密封包装
n
宽带内部匹配
RF性能参数（ TA = 25
°
C )
特征
在1分贝增益输出功率
压缩点
功率增益1分贝增益
压缩点
漏电流
功率附加效率
通道温度上升
符号
P
1dB
G
1dB
I
DS1
条件
单位
DBM
dB
A
%
°
C
分钟。
32.5
5.0
典型值。马克斯。
33.5
6.0
0.85
22
1.1
60
VDS = 9V
F = 14.5 15.0GHz
η
添加
ΔTch
（ VDS X IDS +引脚 - 的P1dB ）
X的Rth （ C-C ）
推荐的栅极电阻（RG） ： RG = 150
（ MAX 。 ）
电气特性（ TA = 25
°
C )
特征
跨
捏-O FF电压
饱和漏极电流
栅源击穿
电压
热阻
符号
gm
V
GSoff
I
DSS
V
GSO
R
TH（ C-C ）
条件
V
DS
= 3V
I
DS
= 1.0A
V
DS
=
3V
I
DS
= 30毫安
V
DS
=
3V
V
GS
= 0V
I
GS
= -30A
渠道情况
单位
mS
V
A
V
°
C / W
分钟。
-2.0
-5
典型值。
600
-3.5
2.0
5.0
马克斯。
-5.0
2.6
6.0
u
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没有获发牌照以暗示或以其他方式在东芝或他人的任何专利或专利权。
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。这是为此建议联系东芝
以前在进行设备纳入本产品的设计。
修订版2006年9月
TIM1415-2
绝对最大额定值（ TA = 25
°
C )
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
总功率耗散（TC = 25
°
C)
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
GS
I
DS
P
T
T
ch
T
英镑
单位
V
V
A
W
°
C
°
C
等级
15
-5
2.6
25
175
-65到+175
包装外形（ 2-9D1B ）
2.0MIN.
4-R2.4
(1)
(2)
(2)
2.5±0.3
（ 1 ）门
（ 2 ）资料来源
(3)
0.5±0.15
0.2MAX
1.2±0.3
注意事项关于封装模式
烙铁应接地和工作时间不应超过10秒
在260℃下。
2
1.8±0.3
3.2MAX
8.5 MAX 。
0.1
-0.05
+0.1
13.0±0.3
17.0最大。
2.0MIN
9.7±0.3
（ 3 ）排水
TIM1415-2
射频性能
输出功率（噘）与频率的关系
的Pout （ dBm的）
VDS=9V
35
IDS0.85A
Pin=27.5dBm
34
33
32
31
14.5
14.75
15.0
频率（GHz ）
输出功率（噘）与输入功率（PIN）
37
freq.=15.0GHz
36
35
34
VDS=9V
IDS0.85A
70
噘
60
50
40
的Pout （ dBm的）
33
32
31
30
29
28
21
23
25
27
29
31
ηadd
30
20
10
0
PIN （ DBM）
3
ηadd （％）
TIM1415-2
功耗（ PT ）与外壳温度（TC ）
25
PT （W）的
20
15
10
0
0
40
80
120
160
200
TC （
°
C )
4
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