TEMT3700
威世德律风根
硅NPN光电晶体管
描述
TEMT3700是一种高速NPN硅外延
在微型PL -CC - 2封装的平面光电晶体管
年龄为表面安装在印刷电路板。由于其
waterclear环氧树脂透镜的装置是对可见光敏感
和近红外辐射。
特点
D
D
D
D
D
D
D
PL - CC- 2 SMD封装
超宽的可视角度
=
±
60
°
包装缺口=收藏家
未连接底座端
快速的响应时间
适用于可见光和近红外辐射
匹配与红外发射器TSMS3700
94 8553
应用
微型开关
计数器和分拣机
灭弧
磁带和读卡器
编码器
位置传感器
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
峰值集电极电流
总功耗
结温
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
合计
T
j
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
70
5
50
100
100
100
–55...+100
260
450
单位
V
V
mA
mA
mW
°
C
°
C
°
C
K / W
t
p
/T
T
AMB
x
0.1, t
x
10
m
s
x
55
°
C
p
t
x
3s
文档编号81555
第1版， 20日， 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (5)
TEMT3700
威世德律风根
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和员工的安全和影响公众系统，以及它们的
对环境的影响。
这是特别令人关注，以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策，以杜绝使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年，由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay ，德律风根产品的任何意外或未经授权的应用程序时，
买方应赔偿日前，Vishay ，德律风根的所有索赔，费用，损失，费用，所产生的直接或
间接的，人身损害，伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 7131 67 2423
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TEMT3700
威世半导体
硅NPN光电晶体管，符合RoHS
特点
封装类型：表面贴装
包装形式： PLCC - 2
外形尺寸（单位：mm长x宽x高） ： 3.5× 2.8× 1.75
高感光度照片
高灵敏度辐射
适用于可见光和近红外辐射
快速的响应时间
角半灵敏度：
= ± 60°
包装缺口表明收藏家
与红外发射器系列VSML3710包匹配
地板寿命：1年， 2 MSL ， ACC 。 J- STD- 020
铅（Pb ）按照-free组件
RoHS指令2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC
光遮断器
微型开关
计数器
编码器
位置传感器
LIGTH传感器
94
8553
描述
TEMT3700是高速硅NPN外延平面
光电晶体管的微型PLCC -2封装的表面
安装在印刷电路板。该装置是对可见光敏感
和近红外辐射。
应用
产品概述
部件
TEMT3700
记
测试条件见附表“基本特征”
I
ca
（MA ）
0.5
（度）
± 60
λ
0.1
（纳米）
450 1080
订购信息
订购代码
TEMT3700-GS08
TEMT3700-GS18
记
最小起订量：最小起订量
包装
磁带和卷轴
磁带和卷轴
备注
最小起订量： 7500件， 1500件/卷
最小起订量： 8000件， 8000件/卷
包装形式
PLCC-2
PLCC-2
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
70
5
50
100
100
100
- 40至+ 100
- 40至+ 100
260
400
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
t
p
/T
≤
0.1, t
p
≤
10 s
命中率。回流焊接温度曲线图。 10
焊接在PCB板焊盘尺寸为4mm ×4mm的
文档编号： 81555
修订版1.7 ， 10 -OCT- 08
如有技术问题，请联系： detectortechsupport@vishay.com
www.vishay.com
1
TEMT3700
威世半导体
硅NPN光电晶体管，符合RoHS
125
P
V
- 功耗限制（MW ）
R
thJA
= 400 K / W
100
75
50
25
0
0
10 20 30 40 50 60 70
80
90 100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
20376
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
基本特征
参数
集电极发射极击穿电压
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极电容
集电极电流LIGTH
半灵敏度角
峰值灵敏度的波长
光谱带宽范围
集电极 - 发射极饱和电压
E
e
= 1
毫瓦/平方厘米
2
,
λ
= 950纳米，
I
C
- 0.1毫安
测试条件
I
C
= 1毫安
V
CE
= 20 V ， E = 0
V
CE
= 5 V ， F = 1MHz时， E = 0
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
λ
= 950纳米，
V
CE
= 5 V
符号
V
（ BR ） CEO
I
首席执行官
C
首席执行官
I
ca
λ
p
λ
0.1
λ
0.5
V
CESAT
t
r
/t
f
t
r
/t
f
f
c
0.25
分钟。
70
1
3
0.5
± 60
850
450 1080
620到980
0.15
6
2
180
0.3
200
典型值。
马克斯。
单位
V
nA
pF
mA
度
nm
nm
nm
V
s
s
千赫
上升时间，下降时间
V
S
= 5 V，I
C
= 1毫安，
λ
= 950纳米，
R
L
= 1 kΩ
V
S
= 5 V，I
C
= 1毫安，
λ
= 950纳米，
R
L
= 100
Ω
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
Ω
截止频率
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
10
4
I
首席执行官
- 集电极暗电流（ NA）
2.0
10
3
V
CE
= 20
V
10
2
I
CA REL
- 相对集电极电流
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0
20
40
60
80
100
V
CE
= 5
V
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
λ
= 950 nm的
10
1
10
94
8304
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
94
8239
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 2 - 集电极暗电流与环境温度
图。 3 - 相对集电极电流与环境温度
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2
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威世半导体
10
I
ca
- 集电极灯电流（mA ）
8
t
on
/t
关闭
- 导通/关断时间（μs ）
1
6
V
CE
= 5
V
R
L
= 100
Ω
λ
= 950 nm的
0.1
V
CE
= 5
V
λ
= 950 nm的
4
t
关闭
2
t
on
0
0
2
4
6
8
10
12
14
0.01
0.001
0.01
94
8316
0.1
1
10
E
e
- 辐射（毫瓦/平方厘米）
94
8293
I
C
- 集电极电流（毫安）
图。 4 - 集电极光电流与光强
图。 7 - 导通/关断时间与集电极电流
10
S (λ)
REL
- 相对光谱灵敏度
I
ca
- 集电极灯电流（mA ）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
400
600
800
1000
λ
-
波长
（纳米）
λ
= 950 nm的
1
E
e
= 1毫瓦/平方厘米
0.5毫瓦/平方厘米
0.2毫瓦/平方厘米
0.1
0.1
94
8317
1
10
100
94
8348
V
CE
- 集电极发射极
电压
(V)
图。 5 - 集电极光电流与集电极发射极电压
图。 8 - 相对光谱灵敏度与波长
C
首席执行官
- 集电极发射极电容（pF ）
10
F = 1 MHz的
S
REL
- 相对灵敏度
8
0°
10°
20°
30°
- 角位移
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
6
4
2
0
0.1
1
10
100
94
8318
0.6
0.4
0.2
0
94
8294
V
CE
- 集电极发射极
电压
(V)
图。 6 - 集电极发射极电容集电极与发射极电压
图。 9 - 相对辐射灵敏度与角位移
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3
TEMT3700
威世半导体
硅NPN光电晶体管，符合RoHS
包装尺寸
以毫米为单位
贴装焊盘布局
1.2
覆盖区域
同
阻焊
2.6 (2.8)
4
1.6 (1.9)
20350
焊接温度曲线
DryPack
300
最大。 240℃
约230℃
948625
10 s
250
装置被装在防潮袋（MBB ），以
防止产品吸湿时
运输和储存。每袋含有干燥剂。
温度（℃）
200
215 °C
地板寿命
车间寿命（焊接和拆卸MBB之间的时间）
不得超过MBB标签上注明的时间：
地板寿命：1年
条件：T已
AMB
< 30 ℃，相对湿度< 60％的
潮湿敏感度等级2 ， ACC 。以J- STD- 020 。
150
100
50
2 K / s到4 KB / s的
全行：典型
点缀：过程限制
最大。 160℃
90秒至120秒
最多40秒
焊接温度
0
0
50
100
150
200
250
烘干
如遇水分吸收装置应该出炉
前焊接。条件看J- STD- 020或标签。
在录音盘干燥设备使用条件推荐
在40℃ （ ±5 ℃） ，相对湿度< 5％的192小时。
时间（s）
图。 10 - 铅锡（锡铅）回流焊接温度曲线
4
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硅NPN光电晶体管，符合RoHS
威世半导体
磁带和卷轴
PLCC-2封装的组件都装在防静电吸塑带
（ DIN IEC （ CO） 564 ），自动元件插入。
泡罩带的空腔都覆盖着胶带。
4.5
3.5
胶带
120°
10.0
9.0
2.5
1.5
鉴定
标签：
日前，Vishay
TYPE
组
胶带典
生产
CODE
QUANTITY
94
8670
13.00
12.75
63.5
60.5
吸塑带
180
178
14.4最大。
94
8665
部件腔
图。 14 - 卷轴- GS08的尺寸
10.4
8.4
图。 11 - 吸塑带
3.5
3.1
2.2
2.0
120°
5.75
5.25
3.6
3.4
1.85
1.65
4.5
3.5
4.0
3.6
8.3
7.7
2.5
1.5
鉴定
标签：
日前，Vishay
TYPE
组
胶带典
生产
CODE
QUANTITY
13.00
12.75
62.5
60.0
1.6
1.4
4.1
3.9
2.05
1.95
4.1
3.9
0.25
94
8668
图。 12 - 磁带尺寸（mm）的PLCC- 2
321
329
14.4最大。
18857
MISSING器件
最多每分量的总数的0.5％的
盘可能会丢失，在完全缺少的组件
开始，并在卷轴的端部。最多三个
连续的组件可能会丢失，只要这种差距
后面是六个连续的组件。
德缫丝方向
94
8158
图。 15 - 卷轴- GS18的尺寸
盖带去除力
去除力在于n的0.1 N和1.0在去除
速度为5毫米/秒。为了防止部件从
飞出的水泡，盖带必须拉断
在180 °相对于进给方向的角度。
> 160毫米
40空
车厢
分钟。 75空
车厢
磁带首
运营商的领导者
载拖车
图。 13 - 开始与卷筒结束
磁带引出是在至少160毫米，后面是
载带的领导者，至少40空隔间。该
磁带引出可包括载带，只要盖
磁带未连接到载体带。最少
组件之后是载带挂车与至少
75空隔间，并与盖带密封。
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描述
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在微型PL -CC - 2封装的平面光电晶体管
年龄为表面安装在印刷电路板。由于其
waterclear环氧树脂透镜的装置是对可见光敏感
和近红外辐射。
特点
D
D
D
D
D
D
D
PL - CC- 2 SMD封装
超宽的可视角度
=
±
60
°
包装缺口=收藏家
未连接底座端
快速的响应时间
适用于可见光和近红外辐射
匹配与红外发射器TSMS3700
94 8553
应用
微型开关
计数器和分拣机
灭弧
磁带和读卡器
编码器
位置传感器
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
峰值集电极电流
总功耗
结温
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
合计
T
j
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
70
5
50
100
100
100
–55...+100
260
450
单位
V
V
mA
mA
mW
°
C
°
C
°
C
K / W
t
p
/T
T
AMB
x
0.1, t
x
10
m
s
x
55
°
C
p
t
x
3s
文档编号81555
第1版， 20日， 99
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FaxBack + 1-408-970-5600
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消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和员工的安全和影响公众系统，以及它们的
对环境的影响。
这是特别令人关注，以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策，以杜绝使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年，由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay ，德律风根产品的任何意外或未经授权的应用程序时，
买方应赔偿日前，Vishay ，德律风根的所有索赔，费用，损失，费用，所产生的直接或
间接的，人身损害，伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 7131 67 2423
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5 (5)
QQ：2880707522 复制
