3伏特英特尔高级+启动

座快闪记忆体

28F800C3 ， 28F160C3 ， 28F320C3 ， 28F640C3

规范更新

2002年11月

注意：

该28F800C3 ， 28F160C3 ， 28F320C3 ， 28F640C3可能包含设计缺陷或错误

勘误表可能导致产品与已出版的规格有所差异。当前

的勘误表都记录在本规范的更新。

订单号： 297938-014

本文档中的信息均与英特尔产品相关。没有许可证，明示或暗示，由

禁止翻供或其它的任何知识产权权利的授予此文档。除非在

英特尔销售条款与这些产品的条件，英特尔概不承担任何责任，英特尔公司不对

任何明示或暗示的担保，销售和/或使用英特尔产品，包括责任或担保

有关适用于某特定用途，适销性，或不侵犯任何专利，版权或其他

知识产权的担保。英特尔产品并非设计用于医疗，救生或延长生命的应用。

英特尔可能随时更改规格和产品说明，在任何时候，恕不另行通知。

设计者不得依赖于任何功能或说明的缺失或特性标记"reserved"或"undefined."英特尔保留

今后对其定义的权利，对于因今后对其进行修改所产生的冲突或不兼容性概不负责。

该28F800C3 ， 28F160C3 ， 28F320C3 ， 28F640C3可能包含勘误表的设计缺陷或错误，这可能导致产品偏离

公布的规格。最新的勘误表备索。

请联系您当地的英特尔销售办事处或分销商，以获取最新的规格和订购产品之前。

哪个有顺序编号的文档或其他英特尔文献中提及的文件副本，可致电1-800-得到

548-4725或访问英特尔网站http://www.intel.com 。

版权所有英特尔公司， 2002年。

*其他名称和品牌可能是其他公司的财产。

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目录

修订历史................................................ ......................................... 5

Preface....................................................................................................... 6

变化汇总表.............................................. ......................... 7

标识信息................................................ ............................ 9

勘误表....................................................................................................... 10

规格变化................................................ ............................. 15

技术指标说明................................................ ....................... 17

文档更改................................................ ......................... 17

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修订历史

日期

05/13/98

VERSION

-001

描述

文件包括所有已知的规格，日期（原始版本） 。

改变订购信息32兆位密度为95纳秒和115纳秒提供

只访问速度

06/02/98

-002

新增μBGA *包装标志说明

补充测试条件澄清，因为我

PPD

补充说明变化μBGA *封装引脚

新增勘误表我最大

CCD

变化

新增规格变更为字节范围内的保护寄存器寻址

新增CFI主要厂商特有的扩展查询更改

加块锁定命令序列变化

V

IH

最大规格变更

除去48引脚TSOP封装引脚变化（固定在290645-002 ）

除去保护寄存器寻址变化（固定在290645-002 ）

除去CFI查询结构输出表变动（固定290645-002 ）

除去订购信息变更（固定在290645-002 ）

除去μBGA *封装引脚变化（固定290645-002 ）

除去保护寄存器寻址澄清（固定在290645-002 ）

除去μBGA *包装标志澄清（固定在290645-002 ）

除去字节范围内的保护寄存器寻址变化（固定290645-

003)

07/08/98

08/12/98

09/09/98

-003

-004

-005

09/24/98

-006

10/02/98

-007

去掉V

IH

最大的变化（固定在290645-003 ）

除去我

PPD

测试条件澄清（固定在290645-003 ）

从名字改

3伏高级+引导块闪存系列

补充规格变更＃ 1 ，

我最大

CCD

变化

补充规格变更＃ 2 ，

CFI初级供应商特定的扩展查询

变化

05/04/99

-008

补充规格变更＃ 3 ，

块锁定命令序列变化

补充规格变更＃4

32 MB最大V

CC

变化

更新CFI特征识别位定义

改名规格变更＃4

32 MB最大V

CC

变化，

to

0.25m

32 MB最大V

CC

变化，

修改它，以指示受影响的产品

是32 Mb的产品在0.25微米工艺

修订勘误＃ 1 ，

我最大

CCE

当V

PP

=12 V

添加勘误＃ 2 ，

28F320C3xC复位失败

更新勘误＃ 2 ，

28F320C3xC复位失败，加3.3V的Vcc最大

添加勘误＃ 3 ，

28F640C3xC

对于我最大

CCD

/ I

CCS

变化

添加勘误＃ 4 ，

28F160C3xC擦除恢复问题

添加勘误＃ 5 ，

28F160C3xC和28F640C3xC锁定/解锁/锁定下

手术

10/05/00

-009

05/03/01

07/23/01

11/05/01

3/05/02

11/21/02

-010

-011

-012

-013

-014

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