【产品预览8兆位（ 512K ×16 ， 1024K ×8 ）SmartVoltage BOOT BL】,IC型号TE28F008BVT90,TE28F008BVT90 PDF资料,TE28F008BVT90经销商,ic,电子元器件-51电子网

产品预览

8兆位（ 512K ×16 ， 1024K ×8 ）

SmartVoltage BOOT BLOCK

闪存系列

28F800BV -T / B ， 28F800CV -T / B ， 28F008BV -T / B

28F800CE -T / B ， 28F008BE -T / B

英特尔SmartVoltage技术

5V或12V的编程/擦除

2.7V ， 3.3V或5V读操作

节目时间减少60 ％，至

12V V

非常高的性能读

5V ：一百二十○分之七十ns（最大值）。访问时间，

30/40 ns（最大值）。输出使能时间

3V ： 120/150 ns（最大值）访问

65 ns（最大值）。输出使能时间

2.7V ： 120 ns（最大值）访问

65 ns（最大值）。输出使能时间

低功耗

最大60毫安读取电流为5V

最大30毫安读取电流在2.7-3.6V

X8 / X16可选的输入/输出总线

28F800的高性能16位或

32位CPU

X8仅输入/输出架构

28F008B为空间受限

8位应用程序

优化阵列无阻塞架构

一个16 KB的保护引导块

两个8 KB参数块

一个96 KB的主座

七128 KB的主块

顶部或底部启动位置

绝对的硬件保护启动

块

软件EEPROM仿真与

参数块

扩展温度操作

-40 ° C至+ 85°C

扩展循环能力

100000块擦除周期

（商业温度）

万块擦除周期

（扩展温度）

自动字/字节写和块

抹去

工业标准命令用户

接口

状态寄存器

擦除挂起功能

SRAM兼容写接口

自动省电功能

1毫安典型I

目前活跃在

静态工作

复位/深度掉电输入

0.2 μA我

典型

提供复位的启动操作

硬件数据保护功能

擦除/电源中写入锁定

TRANSITIONS

行业标准的表面贴装

包装

40引脚TSOP

44引脚PSOP ： JEDEC ROM

兼容

48引脚TSOP

足迹可升级为2 Mbit与

4 - Mbit的引导块闪存产品

ETOX IV闪存技术

本文档中的信息提供，仅用于帮助使用英特尔产品。英特尔概不承担任何责任，包括侵犯任何

专利或版权，对英特尔产品的销售和使用，除非在英特尔的销售条款和此类产品的条件规定。信息

此处包含以前发布的规范取代从英特尔这些设备。

英特尔公司1995年

1995年9月

订单号： 290539-002

8兆位SmartVoltage BOOT BLOCK闪存系列

页面

1.0产品系列概述。 3

1.1中的新功能

SmartVoltage产品..................... 3

1.2主要特点................................... 4

1.3应用..................................... 7

1.4引脚分配.............................................. 8

1.5引脚说明............................. 10

2.0产品说明........... 13

2.1存储器组织.................... 13

2.1.1阻止................................... 13

3.0产品系列原则

操作的............................. 12

3.1总线的运行............................... 16

3.2读操作............................. 16

3.2.1读阵列............................... 16

3.2.2智能标识符................ 14

3.3写操作............................ 19

3.3.1命令的用户界面.......... 19

3.3.2状态寄存器.......................... 17

3.3.3编程模式.......................... 18

3.3.4擦除模式.............................. 27

3.4引导块锁定....................... 19

3.4.1 V

= V

有关完整

保护.................................. 28

3.4.2 WP ＃ = V

为引导块

锁定..................................... 28

3.4.3 RP ＃ = V

或WP ＃ = V

为

引导块解锁.............. 29

页面

3.5功耗....................... 33

3.5.1有功功率............................ 33

3.5.2自动节能........ 33

3.5.3备用电源......................... 33

3.5.4深度掉电模式......... 33

3.6电/缩小操作............ 34

3.6.1 RP ＃连接到系统复位4

3.6.2 V

, V

和RP ＃ Transtions ... 34

3.7电源去耦.............. 34

3.7.1 V

微量元素对印刷电路

板...................................... 35

4.0绝对最大额定值36

5.0商业操作系统

条件................................. 37

5.1应用V

电压.................. 37

5.2直流特性.......................... 38

5.3交流特性.......................... 32

6.0扩展的工作

条件................................. 57

6.1应用V

电压.................. 57

6.2直流特性.......................... 58

6.3交流特性.......................... 67

7.0附加信息... 75

7.1订购信息..................... 75

7.2参考...................................... 77

7.3版本历史............................ 77

产品预览

8兆位SmartVoltage BOOT BLOCK闪存系列

产品系列

概观

该数据表包含的规格

供的产品在两个分支

SmartVoltage 8 - Mbit的引导块闪光

内存系列：该-BE / CE后缀

产品具有低V

工作范围

的2.7-3.6V ;在-bv / CV后缀的产品

提供

3.0-3.6V操作。这两个BE / CE和

BV / CV产品也于5V操作的

高速存取时间。在本

数据表中， 28F800是指所有X8 / X16

8 - Mbit的产品，同时28F008B指

所有X8 8 - Mbit的引导块的产品（但不

到28F008SA FlashFile 存储器）。

此外，术语“ 2.7V ”通常是指所述

全电压范围2.73.6V 。第1节

提供了闪速存储器的概况

家族，包括应用程序，引脚和

引脚说明。第2和第3描述了

内存的组织和运作

这些产品。最后，第4，第5和第6

包括家庭的经营

特定连接的阳离子。

1.1

在新功能

SmartVoltage产品

新8兆位SmartVoltage引导块

闪存系列提供了

从方便的密度升级路径

2兆位和4兆位引导块的产品。

8 - Mbit的引导块的功能类似于

在较低密度的引导块中的产品

这两个指令集和操作，

提供类似引脚缓解密度

升级。

1.0

从较低的密度提升-Bx / BL-

后缀12V程序产品，请注意

以下区别和准则：

WP ＃引脚取代了杜（不要使用）

在40引脚TSOP封装引脚＃ 12 。

在44引脚PSOP ，杜针＃ 2

用A代替

（参见图1和

有关详细信息，参见3.4节）。连接

WP ＃引脚来控制信号或V或

接地（在这种情况下，一个逻辑电平信号

可以放在杜引脚＃ 12 40-

导致TSOP ）。见表2和9看

如何WP ＃引脚工作。

5V编程/擦除操作已

补充说。如果开关V

对于写

保护，切换到GND （未5V ）的

完整的写保护。拿

利用5V写能力，使

用于连接5V到V

和

从V断开12V

线。

增强的电路优化低V

性能，使操作下来

到V

= 2.7V （使用BE / CE

产品）。

从较低的密度升级

SmartVoltage引导块的产品，

在40引脚和48引脚引脚类似

TSOP封装提供轻松升级了

增加额外的地址线（见Figures1

和3）。在44引脚TSOP ，在WP ＃引脚

在2兆位和4兆位BV份

成为A

，除去能力

具有逻辑电平解锁引导块

在这个包信号

只。

引导块

仍然可以用12V的RP ＃解锁（见

图2和3.4节）。

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8兆位SmartVoltage BOOT BLOCK闪存系列

表1. SmartVoltage提供的总电压灵活性

产品

名字

28F008BV-

T / B

28F800BV-

T / B

28F800CV-

T / B

28F008BE-

T / B

28F800CE-

T / B

公共汽车

宽度

x8或x16

√

2.7–3.6V

3.3

0.3V

√

10%

√

10%V 12

5%V

√

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8兆位SmartVoltage BOOT BLOCK闪存系列

1.2

主要特点

英特尔的SmartVoltage技术是最

在闪速柔性电压溶液

行业，提供两个独立的电压

电源引脚： V

对于读操作，和V

编程和擦除操作。分离

电源引脚允许系统设计人员使用

最佳的电压电平为他们的设计。

所有产品（ 28F800BV / CV ， 28F008BV ，

28F800CE和28F008BE ）提供

编程/擦除功能在5V或12V 。该

28F800BV / CV和28F008BV允许读取

随着V

3.3

0.3V或5V ，而

28F800CE和28F008BE允许读取

随着V

在2.73.6V或5V 。由于许多

外观设计从闪存中读取大

的时间， 2.7V V百分比

手术

可以提供极大的节省了功耗。如果阅读

性能是一个问题，但是， 5V V

提供更快的读取访问时间。为

编程和擦除操作， 5V V

操作不需要在系统

电压转换器，而12V V

手术

提供更快的编程和擦除

情况下， 12V是可用的，如

制造或设计，其中12V为IN-

系统。为设计简单，但是，只是

挂钩V

和V

到相同的5V±10％

源。

该28F800 / 28F008B引导块闪光

内存系列是一个高性能的，

8兆位（ 8,388,608位）快闪记忆体系列

组织结构无论是

512 K字的16位各（仅28F800 ）

1024字节的每一个8位（ 28F800和

28F008B).

分别可擦除块，其中包括一个

硬件上锁的引导块（ 16,384

字节），两个参数块（ 8,192字节

的98,304个）和主块（1块

字节， 131,072字节七块）

定义的引导块闪存系列

架构。请参阅图4和图5为

存储器映射。每个块可以是

独立地擦除和编程

10万次，在商用温度或

10000次在扩展级温度。

引导块位于任顶部

（记为

-T

后缀）或底部（-B

地址映射的后缀）以

适应不同的微处理器

协议启动代码的位置。该

硬件上锁的引导块提供

内核代码的完整代码的安全性

用于系统的初始化。锁定

和引导块的解锁是

通过WP ＃和/或RP ＃控制（见

3.4获取详细信息）。

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