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TK31N60W
MOSFET的
硅N沟道MOS ( DTMOS )
TK31N60W
1.应用
开关稳压器
2.特点
(1)
(2)
(3)
导通电阻低的漏极 - 源极,R
DS ( ON)
= 0.073
(典型值)。
通过使用超级结结构: DTMOS
易于控制门的开关
增强型: V
th
= 2.7 3.7 V(V
DS
= 10 V,I
D
= 1.5 mA)的
3.包装和内部电路
1 :门
2 :漏极(散热器)
3 :源
TO-247
1
2012-09-18
Rev.2.0
TK31N60W
4.绝对最大额定值(注) (T
a
= 25
除非另有规定编)
25
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
功耗
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
反向漏电流(DC)的
反向漏电流(脉冲电流)
通道温度
储存温度
安装力矩
(注1 )
(注1 )
(T
c
= 25)
(注2 )
(注1 )
(注1 )
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
I
DR
I
DRP
T
ch
T
英镑
等级
600
±30
30.8
123
230
437
7.7
30.8
123
150
-55到150
0.8
N·m的
W
mJ
A
A
单位
V
注意:
在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( "Handling Precautions" / "Derating概念和Methods" )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
5.热特性
特征
通道到外壳热阻
通道到环境的热阻
符号
R
TH( CH-C )
R
第(章-a)的
最大
0.543
50
单位
/W
注1 :确保通道温度不超过150 。
注2 : V
DD
= 90 V,T
ch
= 25 (初始) , L = 12.9 mH的,R
G
= 25
,
I
AR
= 7.7 A
注意:
该晶体管是静电放电敏感,应谨慎处理。
2
2012-09-18
Rev.2.0
TK31N60W
6,电气特性
6.1 。静态特性(T
a
= 25
除非另有规定编)
25
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
符号
I
GSS
I
DSS
V
( BR ) DSS
V
th
R
DS ( ON)
测试条件
V
GS
=
±30
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0 V
V
DS
= 10 V,I
D
= 1.5毫安
V
GS
= 10 V,I
D
= 15.4 A
600
2.7
典型值。
0.073
最大
±1
10
3.7
0.088
V
单位
A
6.2 。动态特性(T
a
= 25
除非另有规定编)
25
特征
输入电容
反向传输电容
输出电容
有效输出电容
栅极电阻
切换时间(上升时间)
切换时间(导通时间)
切换时间(下降时间)
切换时间(关断时间)
MOSFET的dv / dt坚固
符号
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
C
O( ER )
r
g
t
r
t
on
t
f
t
关闭
dv / dt的
V
DD
= 0 400 V,I
D
= 7.7 A
V
DS
= 0 400 V ,V
GS
= 0 V
V
DS
= OPEN , F = 1兆赫
参见图6.2.1
测试条件
V
DS
= 300 V, V
GS
= 0 V , F = 100千赫
50
典型值。
3000
9.5
70
123
2
32
70
8.5
165
最大
V / ns的
ns
单位
pF
图。 6.2.1开关时间测试电路
25
6.3 。栅极电荷特性(T
a
= 25
除非另有规定编)
特征
总栅极电荷(栅极 - 源极加
栅极 - 漏极)
栅极 - 源极电荷1
栅极 - 漏极电荷
符号
Q
g
Q
gs1
Q
gd
测试条件
V
DD
400 V, V
GS
= 10 V,I
D
= 30.8 A
典型值。
86
18
41
最大
单位
nC
6.4 。源极 - 漏极特性(T
a
= 25
除非另有规定编)
25
特征
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
峰值反向恢复电流
二极管的dv / dt坚固
符号
V
DSF
t
rr
Q
rr
I
rr
dv / dt的
I
DR
= 15.4 A,V
GS
= 0 V, V
DD
= 400 V
测试条件
I
DR
= 30.8 A,V
GS
= 0 V
I
DR
= 15.4 A,V
GS
= 0 V
- 二
DR
/ DT = 50 A / μs的
15
典型值。
410
3.5
17
最大
-1.7
单位
V
ns
C
A
V / ns的
3
2012-09-18
Rev.2.0
TK31N60W
7,打标(注)
图。 7.1标志
注意:
下一个批号的行标识产品标签的指示。
没有下划线: [铅] /包括> MCV
下划线: [ [G ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]
请联系您的东芝销售代表的详细情况,诸如环境问题,如RoHS指令
产品的兼容性。
RoHS指令是对指令2002/95 / EC欧洲议会和2003年1月27日理事会
在电气和电子设备中使用某些有害物质的限制。
4
2012-09-18
Rev.2.0
TK31N60W
8.特性曲线(注)
图。 8.1我
D
- V
DS
图。 8.2我
D
- V
DS
图。 8.3我
D
- V
GS
图。 8.4 V
DS
- V
GS
图。 8.5 V
DSS
- T
a
图。 8.6
DS ( ON)
- I
D
5
2012-09-18
Rev.2.0
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