TD352
电气特性
3电气特性
表4.牛逼
AMB
= -20至125℃ ，VH = 16V （除非另有规定）
符号
参数
测试条件
民
0.8
输入电压4.5V <
T=25°C
4.85
10
5.00
典型值
1.0
4.0
最大
单位
V
V
A
V
mA
V
V
V
输入
VTON
在导通阈值电压
Vtoff
在关断阈值电压
IINP
输入电流
电压基准 - 注1
VREF
参考电压
IREF
最大输出电流
钳
Vtclamp
CLAMP引脚电压阈值
VCL
低钳位电压
延迟
Vtdel
电压阈值
RDEL
放电电阻
饱和保护
Vdes
饱和度降低门槛
IDES
源出电流
输出
ISINK
输出灌电流
ISRC
输出源电流
VOL1
输出低电压1
VOL2
输出低电压2
VOH1
输出高电压1
VOH2
输出高电压2
tr
上升时间
tf
下降时间
Tdon
打开的传播延迟
4.2
1
5.15
2.0
Icsink=500mA
2.5
I=1mA
VH-2
250
Vout=6V
Vout=VH-6V
Iosink=20mA
Iosink=500mA
Iosource=20mA
Iosource=500mA
CL = 1nF的，10％至90％的
CL = 1nF的，90％至10％的
10％的输出变化：
RD = 4.7K ，无镉
RD = 11K ， CD = 220PF
10 ％的输出变化
1000
750
1700
1300
0.35
2.5
VH-2.5
VH-4.0
100
100
500
2.2
400
12
11
500
2.5
A
mA
mA
V
V
V
V
ns
ns
ns
s
ns
V
V
V
mA
1.8
2.0
tdoff
关闭传播延迟
欠压锁定（ UVLO ）
UVLOH
UVLO门限顶部
UVLOL
UVLO门限底部
VHYST
UVLO迟滞
电源电流
IIN
静态电流
VHYST = UVLOH ， UVLOL
投入低，空载
10
9
0.5
11
10
1
2.5
注意：
VREF引脚上1.Recommended电容范围为10nF的到100nF的
4/13
功能说明
TD352
4功能描述
4.1输入级
TD352 IN输入钳位在约5V电压为7V 。输入由信号边沿触发。当使用
集电极开路光耦，电阻上拉电阻可以连接到任何VREF和VH 。
推荐的上拉电阻值与VH = 16V是从4.7K的至22K 。
4.2基准电压源
电压参考用于创建为导通延迟与外部电阻精确的时序和
电容。相同的电路也可用于两电平的关断延迟。
一个去耦电容（ 10nF电容到100nF的）， VREF引脚必须保证良好的噪声抑制。
4.3有源米勒钳位：
在TD352提供了一种替代的解决方案，以密勒电流的问题在IGBT开关
应用程序。代替驱动IGBT的栅极为负电压，以增加安全余量，则
TD352采用了专用的CLAMP引脚来控制米勒电流。当IGBT关断时，低阻抗
路径是IGBT的栅极和发射极之间建立承载米勒电流和所述电压尖峰
IGBT栅极大大降低。
在关断期间，栅极电压被监视，并且当栅极电压变钳位输出被激活
低于2V （相对于VL ） 。钳位电压VL + 4V最大的米勒电流高达500mA 。夹子
被禁用时， IN输入再次被触发。
该钳位功能不影响的关断特性，但只保留其栅极连接到低电平
在整个关断时间。的主要优点是，可避免在许多情况下的负电压，从而使
自举技术的高边驱动器电源。
4.4导通延迟
开启（T
a
）延迟是可编程通过外部电阻R
d
和电容器C
d
精确的计时。牛逼
a
近似计算公式如下：
T
a
（微秒） = 0.7 * R
d
（欧姆） * C
d
（ NF）
导通延时可以通过连接CD引脚连接到VREF用4.7K电阻被禁用。
与ON时的输入信号小于T
a
将被忽略。
4.5去饱和保护
饱和保护，确保IGBT的过流的情况下保护。当DESAT
电压变为高于VH- 2V时， TD352 OUT引脚被拉低。故障状态加电后，唯一的出口
下和上电。
可编程消隐时间用来留出足够的时间进行IGBT的饱和度。消隐时间
由一个内部电流源和外部C提供
DES
电容器中，T
溴二苯醚
消隐时间值给出
方式：
T
溴二苯醚
= V
DES
* C
DES
/ I
DES
在VH = 16V ，T
溴二苯醚
近似计算公式如下：
T
溴二苯醚
（微秒） = 0.056 * C
DES
（PF ）
4.6输出级
输出级能灌/拉电流1.7A / 1.3A的典型，在25℃和1.0A / 0.75A分钟。在整个
温度范围。指定靠近IGBT通常的米勒平台这个电流能力。
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TD352
电气特性
3电气特性
表4.牛逼
AMB
= -20至125℃ ，VH = 16V （除非另有规定）
符号
参数
测试条件
民
0.8
输入电压4.5V <
T=25°C
4.85
10
5.00
典型值
1.0
4.0
最大
单位
V
V
A
V
mA
V
V
V
输入
VTON
在导通阈值电压
Vtoff
在关断阈值电压
IINP
输入电流
电压基准 - 注1
VREF
参考电压
IREF
最大输出电流
钳
Vtclamp
CLAMP引脚电压阈值
VCL
低钳位电压
延迟
Vtdel
电压阈值
RDEL
放电电阻
饱和保护
Vdes
饱和度降低门槛
IDES
源出电流
输出
ISINK
输出灌电流
ISRC
输出源电流
VOL1
输出低电压1
VOL2
输出低电压2
VOH1
输出高电压1
VOH2
输出高电压2
tr
上升时间
tf
下降时间
Tdon
打开的传播延迟
4.2
1
5.15
2.0
Icsink=500mA
2.5
I=1mA
VH-2
250
Vout=6V
Vout=VH-6V
Iosink=20mA
Iosink=500mA
Iosource=20mA
Iosource=500mA
CL = 1nF的，10％至90％的
CL = 1nF的，90％至10％的
10％的输出变化：
RD = 4.7K ，无镉
RD = 11K ， CD = 220PF
10 ％的输出变化
1000
750
1700
1300
0.35
2.5
VH-2.5
VH-4.0
100
100
500
2.2
400
12
11
500
2.5
A
mA
mA
V
V
V
V
ns
ns
ns
s
ns
V
V
V
mA
1.8
2.0
tdoff
关闭传播延迟
欠压锁定（ UVLO ）
UVLOH
UVLO门限顶部
UVLOL
UVLO门限底部
VHYST
UVLO迟滞
电源电流
IIN
静态电流
VHYST = UVLOH ， UVLOL
投入低，空载
10
9
0.5
11
10
1
2.5
注意：
VREF引脚上1.Recommended电容范围为10nF的到100nF的
4/13
功能说明
TD352
4功能描述
4.1输入级
TD352 IN输入钳位在约5V电压为7V 。输入由信号边沿触发。当使用
集电极开路光耦，电阻上拉电阻可以连接到任何VREF和VH 。
推荐的上拉电阻值与VH = 16V是从4.7K的至22K 。
4.2基准电压源
电压参考用于创建为导通延迟与外部电阻精确的时序和
电容。相同的电路也可用于两电平的关断延迟。
一个去耦电容（ 10nF电容到100nF的）， VREF引脚必须保证良好的噪声抑制。
4.3有源米勒钳位：
在TD352提供了一种替代的解决方案，以密勒电流的问题在IGBT开关
应用程序。代替驱动IGBT的栅极为负电压，以增加安全余量，则
TD352采用了专用的CLAMP引脚来控制米勒电流。当IGBT关断时，低阻抗
路径是IGBT的栅极和发射极之间建立承载米勒电流和所述电压尖峰
IGBT栅极大大降低。
在关断期间，栅极电压被监视，并且当栅极电压变钳位输出被激活
低于2V （相对于VL ） 。钳位电压VL + 4V最大的米勒电流高达500mA 。夹子
被禁用时， IN输入再次被触发。
该钳位功能不影响的关断特性，但只保留其栅极连接到低电平
在整个关断时间。的主要优点是，可避免在许多情况下的负电压，从而使
自举技术的高边驱动器电源。
4.4导通延迟
开启（T
a
）延迟是可编程通过外部电阻R
d
和电容器C
d
精确的计时。牛逼
a
近似计算公式如下：
T
a
（微秒） = 0.7 * R
d
（欧姆） * C
d
（ NF）
导通延时可以通过连接CD引脚连接到VREF用4.7K电阻被禁用。
与ON时的输入信号小于T
a
将被忽略。
4.5去饱和保护
饱和保护，确保IGBT的过流的情况下保护。当DESAT
电压变为高于VH- 2V时， TD352 OUT引脚被拉低。故障状态加电后，唯一的出口
下和上电。
可编程消隐时间用来留出足够的时间进行IGBT的饱和度。消隐时间
由一个内部电流源和外部C提供
DES
电容器中，T
溴二苯醚
消隐时间值给出
方式：
T
溴二苯醚
= V
DES
* C
DES
/ I
DES
在VH = 16V ，T
溴二苯醚
近似计算公式如下：
T
溴二苯醚
（微秒） = 0.056 * C
DES
（PF ）
4.6输出级
输出级能灌/拉电流1.7A / 1.3A的典型，在25℃和1.0A / 0.75A分钟。在整个
温度范围。指定靠近IGBT通常的米勒平台这个电流能力。
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