TC74HCT540,541AP/AF
东芝CMOS数字集成电路
硅单片
TC74HCT540AP,TC74HCT540AF
TC74HCT541AP,TC74HCT541AF
八路总线缓冲器,具有TTL输入电平
TC74HCT540AP/AF
反转, 3 -STATE
输出
TC74HCT541AP/AF
非反相,
三态输出
该TC74HCT540A / TC74HCT541A是高速CMOS
八路总线缓冲器制造与硅栅
2
MOS
技术。
这些装置可被用作一个电平转换器,用于连接
TTL或NMOS以高速CMOS 。输入是兼容的
与TTL , NMOS和CMOS输出电平。
它们achive类似于等效的高速操作
输入通道,而维修器材的CMOS低功耗。
该TC74HCT540A是反相型,并且
TC74HCT541A是一个非反相型。
当任
G1
or
G2
高,该终端输出在
高阻抗状态。
所有的输入都配备了防静电保护电路
解除或瞬态过电压。
TC74HCT540AP , TC74HCT541AP
TC74HCT540AF , TC74HCT541AF
特点
高速:吨
pd
= 10 ns(典型值),在V
CC
= 5 V
低功耗:我
CC
= 4
μA
(最大)在TA = 25℃
兼容TTL输出: V
IL
= 0.8 V(最大值)
V
IH
= 2.0 V(分钟)
广泛的接口能力: LSTTL , NMOS , CMOS
输出驱动能力: 15输入通道负载
对称的输出阻抗: | I
OH
| = I
OL
= 6 MA( MIN )
平衡传输延迟:吨
PLH
t
PHL
引脚和功能与74LS540 / 541兼容
重量
DIP20-P-300-2.54A
SOP20-P-300-1.27A
:1.30克(典型值)。
0.22克(典型值)。
1
2007-10-01
TC74HCT540,541AP/AF
绝对最大额定值(注1 )
特征
电源电压范围
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流
DC V
CC
/接地电流
功耗
储存温度
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
等级
0.5~7
0.5~V
CC
+
0.5
0.5~V
CC
+
0.5
±
20
±
20
±
35
±
75
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
500 ( DIP ) (注2 ) / 180 ( SOP )
65~150
注1 :任何超过绝对最大额定值,即使短暂,导致恶化IC性能或
甚至是破坏。
在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下(即工作温度/电流/电压等)内的绝对
最大额定值和经营范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
注2: 500毫瓦Ta的范围
=
40至65℃ 。来自TA
=
65 85 ℃的降额因子
10毫瓦/°C,应
应用到300毫瓦。
工作范围(注)
特征
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
输入上升和下降时间
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
OPR
t
r
, t
f
等级
4.5~5.5
0~V
CC
0~V
CC
40~85
单位
V
V
V
°C
ns
0~500
注意:
必须保持在工作范围,以确保设备的正常运行。
未使用的输入必须连接到VCC或GND 。
电气特性
DC特性
特征
高级别输入
电压
低电平输入
电压
高电平的输出
电压
低电平输出
电压
三态输出
FF-态电流
输入漏
当前
静态电源
当前
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
OZ
I
IN
I
CC
I
C
测试条件
V
CC
(V)
Ta
=
25°C
民
2.0
Ta
=
40~85°C
最大
典型值。
民
2.0
最大
单位
V
V
V
V
μ
A
μ
A
μ
A
4.5~5.5
4.5~5.5
4.5
4.5
4.5
4.5
5.5
5.5
5.5
5.5
0.8
0.8
I
OH
=
20
μ
A
V
IN
=
V
IH
或V
IL
I
OH
=
6毫安
I
OL
=
20
μ
A
V
IN
=
V
IH
或V
IL
I
=
6毫安
OL
V
IN
=
V
IH
或V
IL
V
OUT
=
V
CC
或GND
V
IN
=
V
CC
或GND
V
IN
=
V
CC
或GND
每输入: V
IN
=
0.5 V或2.4 V
其他输入: V
CC
或GND
4.4
4.18
4.5
4.31
0.0
0.17
4.4
4.13
0.1
0.26
±
0.5
±
0.1
0.1
0.33
±
5.0
±
1.0
4.0
2.0
40.0
2.9
mA
3
2007-10-01