TCV7101F
东芝CMOS集成电路
硅单片
TCV7101F
降压型DC -DC转换器IC
该TCV7101F是一个单芯片的降压型DC-DC转换器的集成电路。
该TCV7101F包含高速，低导通电阻的功率
MOSFET的使用外部实现同步整流
低边MOSFET ，或整改使用外部二极管，
可进行高效率。
特点
实现高达3.8负载电流的（我
OUT
）具有最小的
的外部元件。
高效率：
η
=
95 ％ （ TYP 。 ）
(@V
IN
=
5 V, V
OUT
=
3.3 V，I
OUT
=
1.5 A)
（使用TPC6008 - H作为一个低侧MOSFET时）
工作电压范围： V
IN
= 2.7 V至5.5 V
低导通电阻，R
DS （ ON）
=
0.08
（高侧）典型（ @V
IN
=
5 V ， TJ
=
25°C)
振荡频率：F
OSC
=
600 kHz（典型值）。
反馈电压： V
FB
= 0.8 V
±
1 ％ （ @ TJ
=
25
°C)
采用同步整流N沟道MOSFET驱动器
采用内部相位补偿，实现了高效率与极少的外部元件。
允许使用小型表面贴装陶瓷电容作为输出滤波电容。
装在一个小型表面贴装封装（ SOP高级）具有低热阻。
软启动时间可调由一个外部电容器
HSON8-P-0505-1.27
重量： 0.068克（典型值）。
最热
型号（或缩写代码）
LOT号
引脚分配
L
X
LSG
EN
8
7
6
V
FB
5
TCV
7101F
点（ ）在顶表面上指示针1 。
1
V
IN1
2
V
IN2
3
SS
4
GND
*:
批号由三个数字组成。第一位数字代表制造年份的最后一个数字，而
制造的01 ，要么52或53周后两位数字表示。
制造业星期代码
（这一年的第一周是01 ，上周为52或53 ）
生产年份代码（ manufacture3的年份的最后一位
本产品具有MOS结构，对静电放电很敏感。小心轻放。
这个文件（ “产品”）中的产品（S ）包含的功能旨在保护产品免受临时
少量过载，如轻微的短期过流，过热或。保护功能不一定
保障产品在任何情况下。当产品纳入到你的系统，请设计系统（ 1 ）
一旦该产品，以避免这样的过载，和（2）来关闭或以其他方式缓解这样过载的产品
条件后立即发生。有关详情，请参阅本文档中出现如下的说明和
本文档中提及的其他文件。
1
2011-10-27
TCV7101F
订购信息
产品型号
TCV7101F （ TE12L ， Q）
航运
压纹带（ 3000单位每卷）
框图
V
IN2
V
IN1
电流检测
振荡器
坡
赔偿金
ジ
+
-
下
电压
封锁
V
FB
恒流
源（ 8
μA)
控制逻辑
司机
L
X
短路
保护
误差放大器器
SS
EN
软启动
-
-
+
相位补偿
LSG
参考文献。电压（ 0.8 V）
GND
引脚说明
PIN号
1
2
符号
V
IN1
V
IN2
输入引脚的输出部分
该引脚被放置在备用状态，如果V
EN
=
低。待机电流为10
μA
或更小。
输入引脚控制部分
该引脚被放置在备用状态，如果V
EN
=
低。待机电流为10
μA
或更小。
软启动引脚
3
SS
当SS输入端开路时，软启动时间为1毫秒（典型值） 。软启动时间可调节
与外部电容器。外部电容从一个8带电
μA
（典型值）的恒流
源，并且所述误差放大器的参考电压被限制在0V 0.8伏。
外部电容被放电时EN
=
低的情况下欠压锁定和热的
关机。
接地引脚
反馈引脚
这个输入被馈送到同为0.8V的基准电压的内部误差放大器（典型值） 。
使能引脚
6
EN
当EN
≥
1.5 V (@ V
IN
=
5 V）中，内部电路被允许工作，从而使
切换输出部分的操作。当EN
≤
0.5 V (@ V
IN
=
5 V）中，所述内部电路是
残疾人，把在待机模式下的TCV7101F 。
该引脚有大约一个内部下拉电阻。 500 k 。
7
8
LSG
L
X
栅极驱动引脚为低侧开关
开关引脚
该引脚连接到高端P沟道MOSFET 。
描述
4
5
GND
V
FB
2
2011-10-27
TCV7101F
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
输入引脚电压输出部分
输入引脚电压控制部分
软启动引脚电压
反馈引脚电压
使能引脚电压
V
EN
– V
IN2
电压差
LSG引脚电压
开关引脚电压
开关引脚电流
功耗
（注2 ）
（注1 ）
符号
V
IN1
V
IN2
V
SS
V
FB
V
EN
V
EN
-V
IN2
V
LSG
V
LX
I
LX
P
D
T
JOPR
T
j
T
英镑
等级
0.3
6
0.3
6
0.3
6
0.3
6
0.3
6
V
EN
– V
IN2
＆ LT ;
0.3
0.3
6
0.3
6
4.6
2.2
40
to125
150
55
to150
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
W
°C
°C
°C
工作结温
结温
储存温度
（注3）
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使
的操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
额定值和工作范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率等）
注1：开关引脚电压（V
LX
）不包括由TCV7101F的切换而产生的峰值电压。
在死区时间生成的负电压被允许其中的开关引脚的电流（I
LX
).
热阻特性
特征
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
(Tc=25℃)
符号
R
号（j -a）的
R
日（J -C ）
最大
44.6
（注2 ）
4.17
单位
° C / W
° C / W
注2 ：
玻璃环氧树脂板
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
单脉冲测量：
脉冲宽度
t=10(s)
注3： TCV7101F可以在最大额定结温进入热关断。热
是必需的设计，以确保在额定最大工作结温度T
JOPR
，将不
超标。
3
2011-10-27
TCV7101F
电气特性
(T
j
=
25 ° C，V
IN1
=
V
IN2
=
2.7到5.5 V时，除非另有规定）
特征
工作输入电压
工作电流
输出电压范围
符号
V
IN（ OPR ）
I
IN
V
OUT （ OPR ）
I
IN（ STBY ） 1
待机电流
I
IN（ STBY ） 2
高侧开关漏电流
I
泄漏（H ）
V
IH （ EN） 1
EN阈值电压
V
IH （ EN ） 2
V
白细胞介素（ EN） 1
V
白细胞介素（ EN ） 2
EN输入电流
I
IH （ EN） 1
I
IH （ EN ） 2
V
FB1
V
FB
输入电压
V
FB2
V
FB
输入电流
I
FB
R
DS（ON） （H） 1
高边开关导通电阻
测试条件
―
V
IN1
=
V
IN2
=
V
EN
=
V
FB
=
5 V
V
EN
=
V
IN1
=
V
IN2
V
IN1
=
V
IN2
=
5 V, V
EN
=
0 V,
V
FB
=
0.8 V
V
IN1
=
V
IN2
=
3.3 V, V
EN
=
0 V,
V
FB
=
0.8 V
V
IN1
=
V
IN2
=
5 V, V
EN
=
0 V,
V
FB
=
0.8 V, V
LX
=
0 V
V
IN1
=
V
IN2
=
5 V
V
IN1
=
V
IN2
=
3.3 V
V
IN1
=
V
IN2
=
5 V
V
IN1
=
V
IN2
=
3.3 V
V
IN1
=
V
IN2
=
5 V, V
EN
=
5 V
V
IN1
=
V
IN2
=
3.3 V, V
EN
=
3.3 V
V
IN1
=
V
IN2
=
5 V, V
EN
=
5 V
TJ = 0 85 ℃
V
IN1
=
V
IN2
=
3.3 V, V
EN
=
3.3 V
TJ = 0 85 ℃
V
IN1
=
V
IN2
=
2.7至5.5 V
V
FB
=
V
IN2
V
IN1
=
V
IN2
=
5 V, V
EN
=
5 V
I
LX
=
1.5
A
民
2.7
―
0.8
―
―
―
1.5
1.5
―
―
6
4
0.792
0.792
1
―
―
―
―
480
0.5
5
―
―
―
2.35
2.45
―
4.4
典型值。
―
450
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
0.8
0.8
―
0.08
0.1
0.8
0.4
600
1
8
―
150
15
2.45
2.55
0.1
6.2
最大
5.5
600
―
10
μA
10
10
―
―
0.5
0.5
13
9
0.808
V
0.808
1
―
―
―
R
LSG （ON）， （L）的
V
IN1
=
V
IN2
=
5 V
f
OSC
t
SS
I
SS
DMAX
T
SD
ΔT
SD
V
UV
V
紫外线辐射
ΔV
UV
I
LIM
V
IN1
=
V
IN2
=
V
EN
=
5 V
V
IN1
=
V
IN2
=
5 V，I
OUT
=
0 A,
测定在0％和90 ％的点
在V
OUT
.
V
IN1
=
V
IN2
=
5 V, V
EN
=
5 V
V
IN1
=
V
IN2
=
2.7至5.5 V
V
IN1
=
V
IN2
=
5 V
V
IN1
=
V
IN2
=
5 V
V
EN
=
V
IN1
=
V
IN2
V
EN
=
V
IN1
=
V
IN2
V
EN
=
V
IN1
=
V
IN2
V
IN1
=
V
IN2
=
5 V, V
OUT
=
2 V
―
720
1.5
11
100
―
―
2.6
2.7
―
―
A
V
千赫
ms
μA
%
°C
μA
μA
V
μA
单位
V
μA
V
V
=
V
IN2
=
3.3 V, V
EN
=
3.3 V
R
DS （ ON） （H ） 2 IN1
I
LX
=
1.5
A
R
LSG （ON）， （H）的
V
IN1
=
V
IN2
=
5 V
接通状态的高侧的电阻
晶体管连接到所述LSG销
导通状态低端的电阻
晶体管连接到所述LSG销
振荡频率
内部软启动时间
外部软启动充电电流
高边开关的占空比
热
关断（TSD ）
发现
温度
迟滞
检测电压
欠压
锁定（UVLO ）
L
X
电流限制
恢复电压
迟滞
需要注意的电气特性
测试条件牛逼
j
=
25℃的装置，其中所产生的增加的电特性的任何漂移的状态下
该芯片的结温脉冲测试时被忽略。
4
2011-10-27
TCV7101F
应用电路示例
图1示出了使用低ESR的电解或陶瓷电容器对C的典型应用电路
OUT
.
与使用外部低边MOSFET的TCV7101F时间：
L
V
IN
V
IN1
V
IN2
EN
C
IN
C
C
EN
SS
C
SS
TCV7101F
LSG
Q1
GND
R
FB2
GND
C
OUT
L
X
V
FB
R
FB1
V
OUT
GND
使用TCV7101F当使用外部肖特基二极管：
L
V
IN
V
IN1
V
IN2
EN
C
IN
C
C
EN
SS
C
SS
TCV7101F
LSG
SBD
GND
C
S
R
FB2
GND
R
S
C
OUT
L
X
V
FB
R
FB1
V
OUT
GND
图1 TCV7101F典型应用电路示例
元件值（参考值@ V
IN
=
5 V, V
OUT
=
3.3 V ，TA
=
25°C)
Q
1
：低边FET
（ N沟道MOSFET ： TPC6008 -H或TPC6012 （ T5LS ， F），由Toshiba Corporation制造）
D
i
：低侧肖特基势垒二极管（肖特基势垒二极管：由东芝公司制造CMS05 ）
C
IN
：输入滤波电容
=
10
μF
（陶瓷电容器： GRM21BB30J106K村田制造有限公司制造）
C
OUT
：输出滤波电容
=
47
μF
（陶瓷电容器： GRM31CB30J476M村田制造有限公司制造）
C
C
去耦电容
=
1
μF
（陶瓷电容器： GRM155B30J105K村田制造有限公司制造）
R
FB1
：输出电压设定电阻
=
7.5 k
R
FB2
：输出电压设定电阻
=
2.4 k
R
S
：缓冲电阻
=
10
C
S
：缓冲电容器
=
220 pF的
（陶瓷电容器： GRM1552C1H221J村田制造有限公司制造）
L：电感= 2.2
μH
（ RLF7030T - 2R2M5R4由TDK -EPC公司制造）
C
SS
是一个电容器，用于调节软启动时间。
5
2011-10-27
QQ：2880707522 复制
